Gast
#4059976
Hallo an alle, für einen Wechselrichter (3 Halbbrücken) muss ich grob überschlagen, welchen Rth die Kühlkörper der Transistoren benötigen. Für diese Abschätzung benötige ich die Durchlass und Schaltverluste der Mosfets und die Durchlass und Schaltverluste der Diode. Daten: f=100kHz, Uzk=300V, I=10A mit Transistordaten will ich euch jetzt nicht langweilen Hier mal meine Überlegung dazu (bezogen auf einen Transistor): PdurchlassTransistor=Rdson*Idrain²*DutyCycle=21,6W Der DurtyCycle wechselt von 0,1 bis 0,9, daher hab ich mal mit dem worst case gerechnet. Das Ergebnis scheint mir von der größenordnung plausibel. PschaltTransistor=f*(Eon+Eoff)=3,8W Auch hier denke ich bewegt sich der Wert in einem sinnvollen Bereich. PdurchlassDiode=Uf*If*f*tdeathtime=0,18W Bei einer Halbbrücke trägt die Diode ja nur den Strom, wenn beide Transistoren aus sind. Und dies geschieht ja nur in der Totzeit des Treibers. Pschaltdiode=Preverserecovery=f*Uzk*Qrr=100kHz*300V*13uC=390W Dieser Wert springt so total aus der Reihe, ca 10 mal so hoch wie die restlichen Verluste zusammen. Aber die Berechnungsformel müsste eigentlich stimmen (Quelle: AN 989 International Rectifier). Könnte hierbei ein Fehler vorliegen, auf den ich gerade nicht komme?