Mosfet, Bipolartransistor Sättigung.

Du irrst dich nicht.
Der intrinsiche MOSFET verhält sich physikalisch sehr anders als ein 
Bipolartransistor. Die Sättigung (physikalisch) ist hier nicht im 
Bereich kleiner DS-Spannungen zu suchen (ähnlich wie beim 
Bipolartransistor), sondern im Bereich von hoher UDS, in dem der Kanal 
durch das elektrische Feld vom Drain abgeschnürt wird.

Die Gate Ladung allein entspricht nicht der Speicherladung in der Basis, 
da sie nicht im Strompfad zwischen Drain und Source liegt und rein 
kapazitiv an den Kanal gekoppelt ist.

Der Speichereffekt im MOSFET entsteht durch die immer vorhandene 
Bodydiode, die auch wieder bipolar ist.

Wenn diese Bodybuilder aber nicht leitend wird, dürfte das aber 
irrelevant sein.

Entschuldigung, dass heißt natürlich Bodydiode.
Also verlangsamt sich der MOSFET durch hohe Ugs Spannung nicht wie ein 
Bipolartransistor bei hohem Basisstrom.

Arno H. schrieb:
> Du unterliegst da einem weit verbreiteten Missverständnis.

Ging das an den TE oder an mich?

Arno H. schrieb:
> Dort ist das der lineare Bereich, der aber wiederum nichts mit
> Linearbetrieb zu tun hat.

Doch hat er, weil der Drain Strom bei kleinen UDS nahezu linear von der 
Drain Spannung abhängt.

Jan R. schrieb:
> Wenn diese Bodybuilder aber nicht leitend wird, dürfte das aber
> irrelevant sein.

Doch es ist relevant, weil auch das wieder etwas anderes ist als der 
hier erwähnte Effekt beim Bipolartransistor (BPT).
Bei BPT schaltet man vom AN- zum AUS-Zustand, wenn der Speichereffekt 
auftritt, weil die Basis (nicht unbedingt die Raumladungzone) ausgeräumt 
werden muss.
Bei der Bodydiode tritt der Effekt aber beim Umschalten von AUS- zu 
AN-Zustand auf, da hier die Raumladungszone umgeladen werden muss.
Der Begriff Sperr-Erholzeit deutet schon darauf hin.

Jan R. schrieb:
> Also verlangsamt sich der MOSFET durch hohe Ugs Spannung nicht wie ein
> Bipolartransistor bei hohem Basisstrom.

Ja.

Jan R. schrieb:
> Wenn diese Bodydiode aber nicht leitend wird, dürfte das aber
> irrelevant sein.
ich glaube du verstehst mich falsch..
Wenn nie Strom in die Diode fließt, da einfach kein Strom in die 
Richtung fließt sprich die Diode nie aktiv ist, dann ist sie doch 
irrelevant. Und damit auch deren Eigenschaften.

Jan R. schrieb:
> Wenn nie Strom in die Diode fließt, da einfach kein Strom in die
> Richtung fließt sprich die Diode nie aktiv ist, dann ist sie doch
> irrelevant. Und damit auch deren Eigenschaften.

Die Diode liegt effektiv zwischen Drain und Source. Wenn sie hohe 
Spannungen sperrt (hohe Drain Spannung), dann ist ihre Kapazität und 
gespeicherte Ladung anders als wenn sie eine sehr niedrige Spannung 
sperrt oder in Durchlassrichtung geschaltet wird. Die Ladungsänderung 
findet größtenteils über einen Ausgleichstrom statt.

Es gibt keine Dioden ohne Sperrstrom, d.h. ein kleiner Sperrstrom fließt 
sowieso.