Tach zusammen ich möchte gerne einen Verstärker bauen. Einerseits soll der Eingang so hochohmig wie möglich sein, andererseits soll die Verstärkung einstellbar sein, damit ich eine AGC realisieren kann. Daher möchte ich einen Doppelgate-FET benutzen, da sich mit diesem in gewissen Grenzen die Verstärkung einfach über das zweite Gate beeinflussen lässt. Jetzt meine Frage. Kennt ihr Literatur oder einige praktische Faustformeln für die Dimensionierung mit einem solchen Doppelgate FET? Vor allem auch betreffend der Anpassung der Ausgangsimpedanz. Ich möchte eine 50 Ohm Last treiben.
Gast
#4085208
Die Entkopplung Ausgang-Eingang ist besonders gut, das war wegen der Abstrahlung der Oszillatorfrequenz bei Eingangsstufen von HF-Empfängern wichtig. Das andre Feature war die steuerbare Verstärkung. Sie waren früher in den TV-Tunern fast die Standardlösung für HF-Eingangsstufen. Sinnvoller Betrieb ist erst ab Vdd von > 8V möglich. Die Rauscheigenschaften sind wegen der MOS-Technik nicht so besonders gut. Deswegen bringen die dual-gate-fets erst bei Frequenzen oberhalb 100 MHz Vorteile gegenüber bipolaren HF-Transistoren. Was den Ausgangswiderstand anbelangt: so im niedrigen kOhm-Bereich, sie wurden immer mit Schwingkreisen am Drain betrieben. 50 Ohm musste mit Transformation betrieben werden, wegen des rel. geringen Stroms (wenige mA)ging direkte Ausganglast von 50 Ohm nicht. In den Datenblättern der gängigen Typen oder ind den Schaltbildern von TV-Tunern dürften sich viele Standard-Bemessungen finden lassen. An 50-Ohm-Last ist die Verwendung von bipolaren HF-Transistoren die bessere Lösung. Die fahren zwar mit deutlich größeren Strömen und können wegen der inneren Rückkopplung keine solch große Verstärkung, sind aber wegen des großen Stroms übersteuerungsfester als Mosfets. Weit verbreitet sind auch HF-ICs als SMD-Verstärkerbausteine. In iihnenSMD-Technik lässt sich die Entkopplung ein-aus besser erreichen und damit haben solche Bausteine größere verstärkung als diskrete HF-Transistoren
Gast
#4085231
Tobias Plüss schrieb: > Jetzt meine Frage. Kennt ihr Literatur oder einige Hier im Forum gab es schon mal Themen zum Dual Gate FET, die auch noch Links zu Anwendungen und Schaltplänen enthalten: http://www.mikrocontroller.net/forum/all?filter=Dual-Gate&x=6&y=7
Tobias Plüss schrieb: > Literatur "Das FET-Kochbuch", Texas Instruments, ISBN 3-88078-001-3, ist schon älter (1. Auflage 1977). Auch mit Berechnungs- und Anwendungsbeispielen zu Dual-Gate-MOSFETs wie BF900, BF905, 3N204, 3N205, z.B. Antennen-Amp, TV-Kanal-Amp, multiplikat. Mischer, UHF-Vorstufe, AFu-2m-Konverter, zum Schluß eine Sammlung diverser Schaltungen und FET-Typenübersicht.
> Ich möchte eine 50 Ohm Last treiben.
Allein mit einem Mosfet erzielst du wegen der doch bescheidenen
Steilheit aber nur ein Verstärkung kleiner 1. Wenn du mehr Verstärkung
haben willst dann solltest du einen hochohmigeren Widerstand am Drain
nehmen und einen Emitterfolger hinterher schalten.
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