3D XPoint: 1000 x schneller, 1000 x haltbarer und 10 x dichter als NAND

Gast #4214530
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Wolkiger Text, auf den Fotos könnte alles mögliche drauf sein, 
eigentlich Null Information.
Also merken wir es uns mal:
3D XPoint: 1000 x schneller, 1000 x haltbarer und 10 x dichter als NAND.
Gast #4214551
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1000x schneller, also 100ps (PicoSekunden) Zugriffszeit.
Wozu dann noch DRAM?
Ok, schreiben war ja auch noch, in 5ns. Wäre auch noch flott.
Mal sehen, wieviel 10-ner Potenzen überigbleiben, wenn nicht Marketing 
verkündet, sondern Fertigung liefern muß.
Gast #4214586
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Scheint sich um die erste tatsächliche Ankündigung von 3D RRAM zu 
handeln.

http://newsroom.intel.com/community/intel_newsroom/blog/2015/07/28/intel-and-micron-produce-breakthrough-memory-technology

Spannend! Das könnte auch einen Umbruch für Microcontroller bedeuten, 
denn:

- Der Speicher ist deutlich schneller als Flash
- Byte-Addressable

Damit könnte man problemlos persistent computing in microcontrollern 
realisieren, ohne dass sich die Kosten vervielfachen.

Ab 2020 mit CM9?
Moderator (Firma: Titel) Persönliche Seite #4214948
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bork schrieb:
> Stellt sich die Frage, warum?
Ich hätte das auch dorthin verschoben.
In dem verlinkten Beitrag ist überhaupt nichts

bork schrieb:
> Damit könnte man problemlos persistent computing in microcontrollern
> realisieren, ohne dass sich die Kosten vervielfachen.
Das Problem am "Instant-On" Prozessor ist eher, dass der dann damit 
klarkommen muss, dass mitten im Programmablauf aus Sicht der Prozessors 
schlimmstenfalls von einem Zyklus auf den nächsten die komplette 
Peripherie neu initialisiert werden muss.

Denn wenn jedes Register und jeder Speicher (heute noch RAM, ROM Flash) 
in deiser Technik ausgeführt ist und somit der Prozessortakt einfach 
angehalten werden und danach das Ding sogar stromlos gemacht werden 
kann, dann wird der nach dem Anlegen einer Spannung weiterlaufende 
Prozessor jede Menge uninitialisierte Hardware (z.B. Netzwerk, GPS, IO) 
um sich finden...

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