Dimensionierung Gegentaktendstufe mit MOSFETs

Robin Gast #4280504
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Hallo Leute,

ich bin gerade vor einem "Problem" gestoßen und habe ich eine 
Sourceschaltung realisiert und über längere Zeit fällt diese hin und 
wieder aus. Da die Leistung über den Drainwiderstand zu hpoch ist. Die 
Spannungsamplitude die über diesen Widerstand abfällt ist zwischen 20 V 
- 60 V @100kHz bei einem Drainstrom von 0,150 A. Nun Möchte ich die 
Schaltung etwas effizienter machen und dahinter eine Gegentaktendstufe 
Schalten.
WIe kann ich diese im Idealfall Dimensionieren ?
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Michael B. #4280514
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Robin schrieb:
> WIe kann ich diese im Idealfall Dimensionieren ?

Na im Idealfall so daß sie nicht dauernd ausfällt.

Das geht auch bei einer Class A Sourceschaltung,
scheint für dich aber schon eine Hürde zu sein.

Gegentaktendstufen mit bipolaren Transistoren kommen
mit geringerer verlorener Spannung aus als solche mit
MOSFETs, es spricht also einiges dafür, die mit
bipolaren Transistoren aufzubauen, auch wenn 0.15A
noch keine Parallelschaltung mehrere Transistoren
benötigen, was bei MOSFETs noch schlechter geht.

Bei 100kHz sollte man überprüfen, daß die Schaltung nicht
schwingt, und in dem Bereich, wenn die Phasendrehung
kritisch wird, nur noch deutlich unter 1 verstärkt.
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Robin Gast #4280639
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Ingo L. schrieb:
> Robin schrieb:
>> längere Zeit fällt diese hin und wieder aus
> Und was fällt aus? Der MOSFET? Falls ja, ist der überlastet. Nimmste
> halt n größeren/besseren FET. Was genau erhoffst du dir von ner
> Gegentaktstufe?

Ehrlich gesagt möchte oich die Schaltung etwas Effizienter aufbauen und 
die Verluste etwas aufsplitten. Der Drainwiderstand brennt immer 
Dauerbetrieb immer wieder durch. Deshalb soll ich eine alternative mit 
Transistoren heraussuchen (Als Übung).

Michael B. schrieb:
> Gegentaktendstufen mit bipolaren Transistoren kommen
> mit geringerer verlorener Spannung aus als solche mit
> MOSFETs, es spricht also einiges dafür, die mit
> bipolaren Transistoren aufzubauen, auch wenn 0.15A
> noch keine Parallelschaltung mehrere Transistoren
> benötigen, was bei MOSFETs noch schlechter geht

Laut Tietze sind die Geschwindigkeiten von Bipolatransistoren bei den 
Frequenzen leider nicht mehr hoch genug und er würde eher zu MOSFETS 
tendieren.
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Ulrich F. Gast #4280646
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Robin schrieb:
> Ehrlich gesagt möchte oich die Schaltung etwas Effizienter aufbauen und
> die Verluste etwas aufsplitten. Der Drainwiderstand brennt immer
> Dauerbetrieb immer wieder durch.

Selbst nach mehrfachen aufmerksamen lesen des Threads sehe ich keinen 
Drain Widerstand.
Kann mir auch gar nicht vorstellen, was der da tun soll....

Und wenn Widerstand zu warm wird, hat man einen Bock in der Schaltung.
Oder schlicht einen mit zu wenig Leistung verwendet.


Es ist schwer einen Rat zu geben, wenn man nix weiß....
OK, 20 bis 60V und 100kHz, und 15mA sind bekannt.
Aber nicht der Wert des Widerstandes.
Nicht die Art des FET Treibers
Nicht die Art der Last.
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Robin Gast #4280693
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Ingo L. schrieb:
> Robin schrieb:
>> Laut Tietze sind die Geschwindigkeiten von Bipolatransistoren bei den
>> Frequenzen leider nicht mehr hoch genug und er würde eher zu MOSFETS
>> tendieren.
> Wenn du mal damit rausrücken würdest was du machen willst... Willst du
> hart Schalten oder das Ding im Linearbetrieb fahren? Wie sieht deine
> Last aus?

Ja, sorry mein Fehler.

- Lastwiderstand Rl = 300 R
- Drain WIderstand ist Rd= 100 R
- Source Widerstand  Rs 20R
- Spannungsverstärkung von ca. 5
- Der Verstärker soll im Linearbetrieb arbeiten das heißt entweder im 
Class A oder Class B Betrieb.
- Ub =70V
Ziel ist es die WIderstände Rd und Rs zu erhöhen um weiterhin eine 
SPannungsverstärkung machen zu könne. Die Gegentaktstufe soll dann am 
AUsgang den nötigen Strom liefern. WIe kann ich diese Schaltung nun 
Dimensionieren?
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