Wie werden die V_GS/I_D-Kurven fuer verschiedene Temperaturen in MOSFET-Datenblaettern aufgenommen? Ist es nicht so, dass das Gate dafuer linear angesteuert werden muss, man also durch den Bereich mit positivem Temperaturkoeffizienten fahren muss? Werden diese Messungen einfach so schnell (wie schnell genau?) gemacht, dass man den Bereich schneller durchschreitet als sich HotSpots ausbilden koennen?
Bei manchen Datenblättern steht dabei, welche Pulsbreiten verwendet werden. Teilweise sind es aber offensichtlich extrapolierte oder rein am Die simulierte Daten, wenn da z.B. im Graphen die Kurve eines TO-220-MOSFETs bis 800 A geht.
Mein Hintergrund ist: Ich moechte etwas ausprobieren, wo ich die Fets mit linearer Gate-Ansteuerung betreiben muss, dafuer brauche ich V_GS/I_D-Kurven verschiedener Temperaturen (um den Schnittpunkt und damit die Bereiche mit positivem und negativem TK zu kennen, um entscheiden zu koennen, wo sie linear betrieben werden duerfen). Ich moechte dafuer erstmal einen Stapel alter Fets verheizen, bevor ich Neue kaufe. Die haben aber nur Kurven fuer eine Temperatur, also koennte ich eigene Kurven aufzeichnen...
Du kannst das Prozedere abkürzen, indem du dir FETs besorgst mit einer DC-Kurve im SOAR-Diagramm. Da kannst du dann direkt ablesen, welchen Drainstrom bei welcher Uds der FET verträgt -- bei optimaler Kühlung. Manchmal sollte man auch nochmal nachschauen, ob nicht ein Bipolartransistor für die Anwendung besser geeignet ist.
Marian . schrieb: > Du kannst das Prozedere abkürzen, indem du dir FETs besorgst mit einer > DC-Kurve im SOAR-Diagramm. Da kannst du dann direkt ablesen, welchen > Drainstrom bei welcher Uds der FET verträgt -- bei optimaler Kühlung. Ich glaube wir reden aneinander vorbei. Mir gehts nicht um Uds, sondern Ugs. Je nach Ugs (und dem entsprechenden Strom durch ds) hat der Mosfet einen positiven oder negativen Temperaturkoeffizient und die inneren Einzelmosfets symmetrieren sich selber oder gehen eben durch...
David .. schrieb: > Marian . schrieb: >> Du kannst das Prozedere abkürzen, indem du dir FETs besorgst mit einer >> DC-Kurve im SOAR-Diagramm. Da kannst du dann direkt ablesen, welchen >> Drainstrom bei welcher Uds der FET verträgt -- bei optimaler Kühlung. > > Ich glaube wir reden aneinander vorbei. Mir gehts nicht um Uds, sondern > Ugs. Je nach Ugs (und dem entsprechenden Strom durch ds) hat der Mosfet > einen positiven oder negativen Temperaturkoeffizient und die inneren > Einzelmosfets symmetrieren sich selber oder gehen eben durch... Genau das sollte der Hersteller im SOAR-Diagramm aber bereits berücksichtigt haben.
Marian . schrieb: > Je nach Ugs (und dem entsprechenden Strom durch ds) hat der Mosfet >> einen positiven oder negativen Temperaturkoeffizient und die inneren >> Einzelmosfets symmetrieren sich selber oder gehen eben durch... Wenn du diesen Punkt erwischen willst, kannst du den Transistor ja ruhig warm werden lassen. Es ist ja gerade das Kennzeichen, dass sich Id dort nicht ändert. Solange du dabei in der SOA bleibst, sollte der Transistor das aushalten.
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