Hallo,
ich habe in meiner Bastelkiste noch etlich BF494, die ich seinerzeit mal
für eine im Elektor veröffentlichte Schaltung gekauft hatte. Die möchte
ich nun verwenden und vorher aber die Schaltung simulieren. Aber...
leider habe ich kein SPICE Modell für den BF494.
Und ja, ich habe gelesen, dass es dieses Modell bei der Yahoo LTSpice
Gruppe gibt. Aber nur für dieses eine Spice Modell möchte ich eigentlich
kein Yahoo-Konto eröffnen.
Vielleicht ist trotzdem jemand so lieb, sofern er dieses Modell hat, mir
das zu schicken. Meine Email-Adresse ist rschmidt-at-kansaigaidai.ac.jp
(Ich arbeite zur Zeit in Japan.)
Viele Grüße
Rüdiger
Bei HF ist es sowieso nicht mehr trivial, weil ja oft erst der Aufbau
entscheidet, ob ein "Verstärker" wirklich nur ein Verstärker bleibt bzw.
der Oszillator überhaupt schwingt.
Für die erste Simulation kann man sicher irgendeinen HF-Transistor
nehmen, je nach Anwendung womöglich sogar einen einfachen BC 107, der je
nach Arbeitspunkt auch über 100 MHz "kann".
Für einen klassischen HF-Transistor findet man immer etwas, z.B. unter:
http://www.centralsemi.com/product/partpage2.php?part=BFY90
Elektrofan schrieb:> Bei HF ist es sowieso nicht mehr trivial, weil ja oft erst der> Aufbau entscheidet, ob ein "Verstärker" wirklich nur ein Verstärker bleibt bzw.> der Oszillator überhaupt schwingt.
Aber nicht beim BF494, den würde heute niemanden mehr ernsthaft als
HF-Transistor bezeichnen. Er ist im TO92 Gehäuse mit 250 MHz
Transisfrequenz, da kann man auch das Model eines BF199 nehmen.
Nur bei Transtoren mit Transitfrequenzen im GHz Bereich sollte man statt
des puren Models auch den Subcircuit des Gehäuses für die Simulation
berücksichtigen.
Rüdiger schrieb:> Vielleicht ist trotzdem jemand so lieb, sofern er dieses Modell hat, mir> das zu schicken. Meine Email-Adresse ist rschmidt-at-kansaigaidai.ac.jp
Nöö, aber hier hochladen kann ich es.
Hallo,
ich bin es nochmal.
Zunächst möchte ich allen, die sich meiner Sache angenommen und sich
hier geäußert haben, danken.
Jetzt habe ich zwei Modelle, deren Parameter in weiten Teilen gleiche
oder relativ nahe Werte aufweisen, in anderen aber sich stark
unterscheiden.
So hat z.B. der Parameter CJE (control emitter capacitance) einmal den
Wert 2p (gleichzeitig SPICE default Wert), im anderen Modell den Wert
182.4p ...(?)
Wie es scheint, kann man so einem Modell nicht einfach blauäugig
vertrauen und Simulationsergebnisse für bare Münze nehmen. Zum Schluss
muss man doch an einem Versuchsaufbau die simulierten Ergebnisse durch
Meßdaten überprüfen... ;-)
Rüdiger
Wenn ich da einen Vorschlag machen darf:
Such nicht nach einem Modell-File sondern nach dem Datenblatt. Möglichst
genau von dem Hersteller und aus der Zeit. Falls Du Hersteller und Jahr
hier nennst, guckt man hier auch gerne mal im Bücherregal oder auf der
Festplatte.
Ich habe noch Datenbücher bis zurück in die 70er hier.
Die Daten aus dem Datenblatt dann in ein Modell einzutragen ist
allenfalls eine Fleißarbeit aber keine Hexerei.
Rüdiger schrieb:> Wie es scheint, kann man so einem Modell nicht einfach blauäugig> vertrauen
Dem Modell schon, nur den Parametern nicht.
Man kann verschiedene Schaltungen im Simulator bauen und die Ergebnisse
auf Plausibilität überprüfen. Wenn eine Kapazität um den Faktor 100 zu
groß ist, dann hat das merkliche Auswirkungen.
Aber man darf die Parameter auch nicht isoliert betrachten. IdR ergibt
erst das Zusammenwirken verschiedener Parameter eine bestimmte
Eigenschaft des Transistors. In "Parts" (PSpice-Komponente zum
Ermitteln, Editieren und Visualisieren von Modellparametern) kann man
schön sehen, dass z.B. in die Stromverstärkung oder die Transitfrequenz
etwa je 5 Parameter eingehen, die sowohl die Höhe als auch den Verlauf
über Strom und Spannung bestimmen.
Rüdiger schrieb:> Wie es scheint, kann man so einem Modell nicht einfach blauäugig> vertrauen und Simulationsergebnisse für bare Münze nehmen.
Auf einen Nenner gebracht gilt generell bei Simulationen:
Shit in - Shit out!
Wie schon erwähnt, wird man in diesem Falle bei einem frühen
HF-Transistor von Ende der 60er Jahre des letzten Jahrtausends auch in
der Simulation keine nennenswerten Unterschiede im Simulationsergebnis
feststellen.
Weitaus gravierender als die Abweichungen im Simulations-Modell sind
wohl die unterschiedlichen realen Parameter von unterschiedlichen
Herstellern über den Lauf der Zeit. Man darf nicht glauben, ein heutiger
BF494 aus aktueller Produktion hätte noch viel mit dem vor über 40
Jahren im Valvo Datenblatt verewigten Typen zu tun. Die
Fertigungsprozesse sind weit fortgeschritten und verbessert.
Bei den Halbleiterfirmen ist es daher üblich die Transistor-Dies nach
Stichprobenprüfung auf dem Wafer als unterschiedliche Typen zu stempeln
und zu vermarkten. Da wird der gleiche Die schon mal als BF224, BF238,
BF240, BF494, BF594, BF199 oder sonstwie gestempelt in den Handel
kommen. Die Datenblattangaben dieser alten Allerwelts HF-Typen sind
dabei minimal zugesicherte Eigenschaften zu sehen und werden meist
übertroffen.
> Nur bei Transtoren mit Transitfrequenzen im GHz Bereich sollte man statt> des puren Models auch den Subcircuit des Gehäuses für die Simulation> berücksichtigen.
Ich meinte nicht das Subcircuit des Gehäuses, sondern den gesamten
äusseren Aufbau.
Von vor 40 Jahren baute ich meinen heute noch im Einsatz befindlichen
Verstärker.
Das Ding produzierte anfangs wilde Schwingungen auf UKW, ich bekam lange
nicht heraus, woran das lag. (Im Tietze-Schenk stand da etwas drin, den
kannte ich damals nur noch nicht.)
Ein "unkritischer" Emitterfolger war's, dessen BC 239 C war sehr
"schwingfreudig" ...
> der Parameter CJE einmal den Wert 2p> im anderen Modell den Wert 182.4p
Der Wert 182pF kann nicht sein, viele NF-Transistoren haben Werte in der
Größenordnung von 20pF. Für einen HF-Transistor sind 2pF oder kleiner
typische Werte.
Elektrofan schrieb:>> Nur bei Transtoren mit Transitfrequenzen im GHz Bereich sollte man statt>> des puren Models auch den Subcircuit des Gehäuses für die Simulation>> berücksichtigen.>> Ich meinte nicht das Subcircuit des Gehäuses, sondern den gesamten> äusseren Aufbau.
Subcircuit nennt man in LT-Spice das Simulationsmodell das den
Transistor-Chip zusammen mit den Parametern des Gehäuses berücksichtigt.
Beim BF494 in TO-92 mit gerade mal 250 MHz der gleichen Transitfrequenz
wie ein Feld-Wald-und Wiesen BC548 ist das aber weniger relevant.
Was du allerdings unter "äußerem Aufbau" das Schaltungsdesign und das
dazugehörige Layout verstehst, dann wird die Zahl der unbekannten
Parameter so groß, dass man sie schwerlich in einer Simulation
berücksichtigen kann.
B e r n d W. schrieb:> Der Wert 182pF kann nicht sein
Ja, denke ich auch. Das Modell ist aus TINA-TI. In einer Testsimulation
ist der Transistor auch unverhältnismäßig langsam (~Faktor 8 gegenüber
BF959).
Helmut S. schrieb:> Beide Modelle haben Macken.> Bei einem ist Cje viel zu hoch und bei dem anderen fehlt der> Basisbahnwiderstand Rb.
Stimmt!
Insbesondere das um den Faktor 100 falsche CJE hat drastische
Auswirkungen. Der fehlende RB macht etwa 2dB Verstärkungsfehler aus in
dieser Schaltung.
Man kann ja RB=10 im Modell nachtragen.