Gast
#4382949
Hallo zusammen! Ich bräuchte mal ein wenig Unterstützung. Ich möchte gerne eine externe Last schalten, aber habe ein wenig Probleme (mangels Erfahrung) bei der Dimensionierung des ganzen. Die zu schaltende Spannung beträgt 30V, die Steuerspannung ist 3,3V von einem Mikrocontroller. Problematisch bei der Sache ist, dass die schaltende Elektronik selber nahezu keinen Strom verbauchen darf. Ich habe mir als Maximum selber jetzt erstmal 100µA gesetzt. Im Anhang habe ich zwei Varianten angehängt, welche ich mir vorgestellt habe. Variante A arbeitet mit einem P-Kanal MOSFET als Schalter für die Versorgungsspannung und einem N-Kanal MOSFET als Steuerschalter. Da die meisten MOSFETs nur maximal 20V Differenz am Gate vertragen habe ich den Spannungsteiler eingebaut. Variante B arbeitet mit einem PNP-Darlington-Transistor als Schalter für die 30V und einem NPN als Steuerschalter. Den Darlington habe ich gewählt, damit bei dem geringen Steuerstrom am Ausgang noch einigermaßen was raus kommt. 100mA sollte der Ausgang schon bringen. Jetzt habe ich das ganze unter anderem auch mal mit TI TINA simuliert und stelle fest, dass auch bei ausgeschaltetem Transistor Ströme fließen, was wahrscheinlich die Leckströme sind. In der Simulation habe ich erstmal irgendwelche Transistoren genommen, da gibt es bestimmt auch Unterschiede, aber die Problematik bleibt generell ja erhalten, nur eben mehr oder weniger. Jedenfalls reicht dieser Strom bei Schaltung A auf Grund der hohen Widerstände bereits aus, dass VGS groß genug ist um den FET aufzusteuern. Sind beide Varianten Murks, oder gibt es irgendwelche Tricks, wie so etwas intelligenter gemacht wird? Ich habe auch bereits fertige High-Side Schalter von z.B. Infineon gefunden, aber die verbrauchen alle rund 1mA. Ich wäre euch sehr dankbar über ein wenig Hilfestellung. Flo
Angehängte Dateien:
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IMG_3943.JPG
(120 KB)
