MOSFET Gatewiderstand, Stabilitätsanalyse

Gast #4414425
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Hallo Liebe Community,

Ich habe folgendes Problem. Ich habe eine Konstantstromquelle simuliert 
und aufgebaut die einen Strom von 1 A erzeugen soll. Die Last ist rein 
Ohmisch. Laut Simulation in Multisim arbeitet die Schaltung stabil aber 
nicht die real aufgebaute Schaltung. Sie schwingt mit einer Amplitude 
von 200mV mit einer Frequenz von ca. 92KHz. Nachdem ich den 
Gatewiderstand von 100Ω auf 1KΩ geändert habe arbeitet die Schaltung 
stabil. Kann mir aber nicht erklären weshalb.

Kann mir jemand Theoretisch erklären warum dies so ist. Ich weiß das das 
Gate des MOSFETS einen Kapazitiven anteil hat und dadurch eine 
Zeitkonstante ensteht. Durch erhöhen des Widerstandes müsste doch eig 
die Zeitkonstante größer werden. Auch eine Betrachtung des Bode- 
Diagramms hat zu keinem Ergebnis geführt.

Vielen Dank schonmal für eure Hilfe
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Gast #4414476
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Andreas schrieb:
> Ich habe eine Konstantstromquelle simuliert
> und aufgebaut die einen Strom von 1 A erzeugen soll.

das passt aber nicht zu deinem Bild: dort wären es 2A und der FET hätte 
nur 1V Spannungsabfall und wäre an der Grenze zwischen Abschnürung und 
Widerstandsbereich. Also wie schon angefragt wurde: bitte konkreten 
Aufbau und Schaltung zeigen, nicht eine Prinzipskizze.

Andreas schrieb:
> Laut Simulation in Multisim arbeitet die Schaltung stabil

Gib in der Simu mal einen kleinen Sprung auf den Eingang und schau, wie 
der Ausgang darauf reagiert. Daraus kann besser erkennen, ob die 
Schaltung sehr stabil ist oder schon kurz vor dem Schwingen.

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