Basiswiderstand so richtig?

Gast #4452309
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Guten Morgen Leute,

ich sitz' gerade über der Berechnung des Basiswiderstands eines 
Transistors. Schalten möchte ich ein Relais, wessen Spule 50 mA bei 5 
Volt zum Anziehen benötigt.

Transistor: BC558A
Ic: 50 mA
hFE: 20 (laut Datenblatt in der Kennlinie VCEsat / Ic)

Ib = Ic / 20 * 4 (Übersteuerungsfaktor)
Ib = 10 mA

Im Datenblatt ist VBE bei Ic = 50 mA ca. bei 0,8 V.

Rb = 5 V - 0,8 V / 10 mA
Rb = 420 Ohm

Stimmt das so? Rb kommt mir irgendwie so klein vor...

Grüße,
Mike
Gast #4452327
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Mike schrieb:

> Transistor: BC558A
> Ic: 50 mA
> hFE: 20 (laut Datenblatt in der Kennlinie VCEsat / Ic)

Tatsächlich? Steht im Datenblatt wirklich "hFE" - oder
nicht doch "Ic/Ib"?

Man kann die Stromverstärkung nicht sinnvoll bei Sättigung
bestimmen, denn in der Sättigung gilt die Proportionalität
von Ib und IC gerade NICHT mehr.

> Ib = Ic / 20 * 4 (Übersteuerungsfaktor)
> Ib = 10 mA
>
> Im Datenblatt ist VBE bei Ic = 50 mA ca. bei 0,8 V.
>
> Rb = 5 V - 0,8 V / 10 mA
> Rb = 420 Ohm
>
> Stimmt das so?

Nein.

ENTWEDER Du rechnest mit Ic/Ib = 20, wie es im Diagramm
für VCEsat angenommen wird, und lässt den Übersteuerungsfaktor
weg - der ist nämlich bei der Bestimmung von VCEsat schon
berücksichtigt,
ODER Du suchst Dir die garantierte Stromverstärkung für
Ic = 50mA und teilst diese durch den Übersteuerungsfaktor.

Beides gleichzeitig ist Blödsinn, da doppelt gemoppelt.

> Rb kommt mir irgendwie so klein vor...

Dein Gefühl trügt Dich nicht.
Deine Dimensionierung geht letztlich von hfe = 5 aus - und das
ist nun wirklich übertrieben.

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