Frage zu MOS FETs

Gast #4537693
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Hallo

Der Off-Widerstand ist meist nicht im Datenblatt angegeben. Jedoch der 
Drain-to-Source Leakage Strom. Dieser liegt im uA Bereich. In deinem 
Fall vom Bild mit UDS=20V und angenommenem 1uA Leakage Strom wäre er 
also etwa 20MOhm.

Gruss
kleiner Affe
#4537695
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frei0 schrieb:
> Wie gross ist der Widerstand eines N kanal MOS FETs zwischen drain und
> source bei diesem
> Bild?http://www.sprut.de/electronic/switch/nkanal/nsperr.gif
> Also wenn der MOS FET sperrt

Ideal: unendlich (steht doch auf dem Bild!)
Real:  steht im Datenblatt des verwendeten Typs; allerdings steht da 
üblicherweise der "Drain-to-Source leakage current" oder "Zero Gate 
Voltage Drain Current", abhängig von Spannung und Temperatur, und nicht 
der Widerstand.

Gruß Dietrich
Moderator (Firma: Titel) Persönliche Seite #4537697
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frei0 schrieb:
> Wie gross ist der Widerstand eines N kanal MOS FETs zwischen drain und
> source bei diesem Bild?
Theoretisch: unendlich.
Praktisch: man müsste wissen, welcher Mosfet da verbaut ist und welche 
Sperrschichttemperatur der hat...

Im Anhang mal die Leckströme des IRL540.
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