Relais ohne Freilaufdiode

Gast #4537726
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Dein MOSFET geht kaputt.

Schließlich wirkt die abgeschaltete Spule wie eine Zündspule und 
produziert einen Zündfunken, der dort durchschlägt, wo die Isolation am 
dünnsten ist, in deinem MOSFET.

Es gäbe auch Avalanche-Rated MOSFETs, die das aushalten, falls dir mal 
eine Schaltung begegnet, die ohne ist.
Gast #4537730
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Zitat Wiki:

"Nach dem Abschalten der Speisespannung sorgt die Selbstinduktion der 
Spule dafür, dass der Strom zunächst in der ursprünglichen Richtung 
weiter fließt. Ohne Freilaufdiode führt das zu einer Spannungsspitze, 
die sich zur Betriebsspannung addiert und die Schaltstrecke schädigen 
oder zerstören kann."

Sicherlich hat ein MOSFET eine Bodydiode, aber die reicht nicht aus, 
jedenfalls nicht lange.
Gast #4537732
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Beim Abschalten gibt es ab Relais halt eine Induktionsspannung, die 
dafür sorgt, dass der Strom nicht sofort zusammenbricht. Mit einem 
MOSFETs als Schalter könnte die Durchbruchspannung erreicht werden - für 
kleine Leistung verträgt der MOSFET das ggf., bei mehr Pulsenergy geht 
er halt ggf. kaputt.
Man bekommt ggf. auch ein paar zusätzliche Funkstörungen vom kurzen aber 
hohen Spannungspuls.
Gast #4537733
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frei0 schrieb:
> Mal angenommen das Relais wird von einem MOS FET geschalten.

Du einen Einwegschalter erfunden. Damit kannst du genau einmal 
einschalten.

Beim Ausschalten wird er zum Zufallschalter, der entweder immer an oder 
immer aus ist.
Wahrscheinlich aber immer an.
#4537798
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@  MaWin (Gast)

>Es gäbe auch Avalanche-Rated MOSFETs, die das aushalten, falls dir mal
>eine Schaltung begegnet, die ohne ist.

Die meisten MOSFETs sind avalanchefähig. Wenn also die Energie im Relais 
nicht zu hoch ist, wird der MOSFET sich selber schützen und die Energie 
wie eine Z-Diode verheizen und dabei die Spannung etwas über der 
offiziellen Durchbruchsspannung begrenzen.
Gast #4537812
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batman schrieb:
> Hmm und wie stellt man das fest? Gibts da Richtlinien oder
> sonstige
> Daten?

Die im Relais gespeicherte Energie ist E = 1/2 L I²
Der MOSFET muss diese Energie als Avalanche-Energie verkraften können.
Ferner darf der ursprüngliche Spulenstrom nicht den Avalanche-Strom 
übersprechen. In der Regel ist der zulässige Avalanche-Strom deutlich 
kleiner (typ. nur 10 %) als der Drain-Strom des MOSFETs.
Die Angaben stehen im Datenblatt.
Außerdem hat die Avalanche-Energie ebenfalls ein Derating mit der 
Temperatur.

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