Minimale physikalische Flash-Speicher Temperatur

Gast #4580261 
Hallo Zusammen,

ich habe mal in einem Zusammenhang gehört/gelesen, dass Flash-Speicher 
unter -40°C aufgrund von physikalischen Effekten irreparablen Schaden 
bei Schreibvorgängen nehmen. Also, dass die Zellen beim Schreiben dann 
kaputt gehen.

Mich interessiert das Thema, aber ich finde leider keine Quelle, in der 
das mal fachlich dargelegt ist, was da genau dazu führt, wenn es denn 
überhaupt so ist.

Soweit ich weis geht es um Durchschläge beim Floating Gate. Egal ob NAND 
oder NOR-Architektur.

Um sachdienliche Hinweise bin ich sehr dankbar :-)

Ralf
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Gast 
Ralf schrieb:
> in einem Zusammenhang gehört/gelesen, dass Flash-Speicher
> unter -40°C

Erste Hinweise,

https://www.eeweb.com/blog/eli_tiomkin/industrial-temperature-and-nand-flash-in-ssd-products



"NAND is subject to two competing factors relative to temperature. At 
high temperature, programming and erasing a NAND cell is relatively less 
stressful to its structure, but data retention of a NAND cell suffers. 
At low temperature, data retention of the NAND cell is enhanced but the 
relative stress to the cell structure due to program and erase 
operations increases."
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