@ Sebastian R. (seri)
>nachbauen. Ich habe einen ähnlichen Beitrag zur Dimensionierung gelesen,
>doch keine passende Antworten für meine Fragen gefunden.
Es gibt doch mehrere Beiträge mit den unterschiedlichsen
Dimensionierungen, damit kann man anfangen.
>24 VDC (Vorgabe!)
>Sekundärseite:
>ungefähr 7V (Danach Low-Drop oder ähnlich, um 5V sicherstellen zu
>können)
>Der Abstand der Spulen zueinander soll 2 cm betragen.
Hmm.
>Ich suche hier im Forum nicht die fertige Lösung, sondern vielmehr die
>Tipps, die mich auf den richtigen Weg bringen.
>-Wie beginnt man Prinzipiell mit einem solchen Dimensionierungsentwurf?
Erstmal einen Kern auswählen, der ungefähr passen könnte. Entweder einen
Schalenkern mit vielleicht 30mm Durchmesser oder die Ladespulen für den
QI Standard.
Dann baut man da mal fix mit 1:1 Wicklungsverhältnis auf und misst den
Koppelkfaktor. Der wird bei 2cm Abstand eher klein sein, das kann man
aber problemlos mittels Parallelkondensatoren kompensieren.
>-Wie errechnen sich die Induktivitäten der "konstanstromquelle" sowie
>die Vorwiderstände der Mosfets.
Pi mal Daumen. Die Induktivitäten sollten ca. 3mal oder mehr größer sein
als die Induktivität der Primärspule.
Die Mosfets haben keine Vorwiderstände, wohl aber Pull-Ups, um das Gate
auf HIGH zu ziehen. Die sollten klein genug sein, um das bei der
Resonanzfreqeunz schnell genug zu schaffen.
Da du 24V VErsorgungsspannung hast, mußt du mittels Z-Diode und
Vorwiderstand erstmal eine 12V Hilfsspanung für die Gates erzeugen, denn
mit 24V kann man da nicht direkt arbeiten.
1K ist ein brauchbarer Anfang.
