Feldeffekttransistoren

Gast #4658675
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Hallo,

hier melde ich mich wieder mit einem neuen Thema, dem 
Feldeffekt-Transistor.

Die Bedingung für den Stromfluss ist ja: Ugs > UT

wenn Uds>Ugs-UT dann befindet sich der Transistor im Sättigungsbereich 
und wenn Uds<Ugs-UT befindet er sich im Widerstandsbereich, richtig?

Daraus ergeben sich die Verschiedenen Formeln für den Strom ID.

Allerdings sehe ich jetzt nicht, wie ich Ugs berechnen kann, denn dort 
ist ja überhaupt kein Widerstand angeschlossen. Wie berechne ich diese 
Spannung also?
Genau die gleiche Frage sellt sich mir bei Uds.

in den Unterlagen finde ich dazu keine angaben und rechnerisch haben wir 
diesen Transistor auch nicht behandelt.
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Gast #4658721
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Also die Lösung steht ja schon da, aber die ignoriere ich mal.

Also einfach eine Annahme: Angenommen, er wäre im Sperrbetrieb. Dann 
wäre UGS = UDS <= 1V. Also würden über Rd >=14V abfallen. Demzufolge 
würde durch ihn ein Strom fließen, Id >= 14V/1.2kOhm = 11.6mA. Das 
stünde aber im Widerspruch zur Annahme, daß er sperrt. Also ist die 
Annahme falsch, und man weiß, im Sperrbetrieb ist er schonmal nicht.

Nächster Versuch: Angenommen, er wäre voll durchgesteuert, also 
Sättigung.

Dann haben wir

(1) Ids = (ß/2)*(Ugs-Uth)^2. Uth ist gegeben.

Andererseits muß die Summe der Spannungen über Rd und Uds 15V sein:

(2) Ids*Rd + Uds = 15V.

Und außerdem ist das Gate an Drain gekoppelt, so daß

(3) Uds = Ugs.

Wir haben drei Unbekannte (Ids, Uds und Ugs) und drei Gleichungen. Das 
sollte man lösen können.

Wenn man das dann löst, muß sich ergeben:

(a) Ugs >= Uth (sonst wäre es Sperrbetrieb)
(b) Uds > Ugs - Uth (Bedingung für Sättigung)

(b) ist trivial erfüllt wegen Uds = Ugs.

Wenn Du die Gleichungen auswertest, kommt dann die gewünschte Lösung 
raus? Bißchen Arbeit muß ich Dir ja auch noch lassen. ;-)
Gast #4658732
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Peter92 schrieb:
> wenn Uds>Ugs-UT dann befindet sich der Transistor im Sättigungsbereich
> und wenn Uds<Ugs-UT befindet er sich im Widerstandsbereich, richtig?

Nein.

Es ist kein bipolarer Transistor, die Anwendung von Formeln für 
physikalisch anders wirkende Modelle führt zu falschen 
Schlussfolgerungen.

"Gesättigt" ist ein MOSFET wenn eine Änderung, also vor allem Erhöhung, 
der Gate-Soannung nicht ndhr zu einer Veränderung, also vor allem 
Ansteigen, des Drainstroms führt.

Wobei der Übergang zum Abschürbereich weich erfolgt, siehe 
Kennlinienschar im Datenblatt.
Gast #4658783
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Nein, im Sperrbereich ist er nicht, weil diese Annahme (siehe mein 
erstes  Posting, zweiter Absatz) dazu führen würde, daß ein Strom fließt 
- was ein Widerspruch zur Annahme wäre.

Die Bedingung Uds > Ugs - Uth wird wegen Uds=Ugs, wie Du richtig gesehen 
hast, zu 0V > -1V, was natürlich immer erfüllt ist. Das ist aber nicht 
die Bedingung für Sperrbereich, sondern für Sättigungsbereich.

Ich hätte natürlich mit dieser Bedingung auch gleich anfangen können und 
die Betrachtung mit Sperrbereich weglassen können. Als Student habe ich 
mir bei sowas aber immer die Frage gestellt: Und woher weiß ich, welche 
der Möglichkeiten ich zuerst probieren soll? Soll ich hellsehen oder 
was?

Deswegen habe ich gezielt eine Betrachtung (Sperrbereich) eingebaut, die 
eben nicht aufgeht. Damit haste dann eine Methodik, die man auch ohne 
Hellsehen verwenden kann: Annahme machen, rechnen, feststellen, ob die 
Lösung im Widerspruch zur Annahme steht. Wenn ja, anderen Fall ansetzen 
(hier: Sättigung).
Gast #4658804
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Laß Dich übrigens nicht davon leiten, daß ß gegeben ist, man aber für 
den Fall des Sperrbereiches ß gar nicht braucht. Profs geben gerne in 
Klausuren Parameter an, die zur Lösung nicht notwendig sind. Was ja auch 
richtig so ist, denn in der Realität stehen im Datenblatt ja auch alle 
Daten und nicht nur die, welche Du konkret benötigst.

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