EEPROM Daten löschen mit Tunneleffekt

Hallo,

ich versuch zu verstehen, wie ein EEProm gelöscht wird, finde aber keine 
klare Beschreibung. (Ggf. ist mein google kaputt ;))

Ist der Ablauf wie beim Beschreiben? Sprich man legt einen höheren 
Spannungsimpuls an das Gate an und dabei fließt der Tunnelstrom durch 
das isolierende Dielektrikum auf das Floating Gate?

Dann wäre löschen ja quasi schreiben nur mit einem definierten 
"Löschzustande" z.b. 0


Und wie kann man sich das Lesen vorstellen. Guckt man einfach wie die 
Drain-Source Spannung ist und entscheidet ob der Transistor eine 0 oder 
1 darstellt?

Schöne Grüße