Distributed Amplifier: Literatur?

Auf deutsch heissen die Dinger Kettenverstärker, und wurden zu Zeiten 
der Röhrentechnik z.B. in Breitbandverstärkern für Oszilloskope genutzt.
Röhren können auch besser als HF-Transistoren mit den hohen Spannungen 
umgehen, die gegen Ende der Verzögerungsleitung auftreten.
Die Technik hat sich aber weitgehend überlebt.
In wenigen Büchern der 1950er findest du evtl noch 
Dimensionierungshinweise.

Macom baut diese 40 oder 50 GHz Breitbandverstärker
https://www.macom.com/products/amplifiers/distributed-amplifiers

Und hier ist ein Schaltplan mit Röhren aus einem Tektronix-Scope
http://w140.com/tekwiki/wiki/Distributed_amplifier

Hallo zusammen.

Anbei noch Kopien aus dem Siemens Schaltbeispiele Buch von
1980/1981.

Entschuldigt die miserable Qualität des Schaltbilds.
Ich habe es mehrfach versucht, es geht nicht besser.
Mein Scanner gibt nicht mehr her.
Wenn es gewünscht wird, zeichne ich das Schaltbild auch neu.
Bitte nicht an den Dateinamen stören. Die GAsFETs sind CFY11.

Ich erinnere mich auch noch an einen Artikel in den
'Technical Topics' der RSGB von Pat Hawker (G3RV),
in dem diese Art von 'Distributed Amplifiers'erwähnt wurden.
Das im Zusammenhang mit den Abhörstationen der Engländer
im 2. Weltkrieg, um viele Empfänger an einer Antenne entkoppelt
betreiben zu können. Die eingesetzten Röhren waren 6L6.

Aber wie Christoph schon schrieb: Im Zeitalter der MMICs
ist das wohl mehr als out.

73
Wilhelm

Oh sorry,
da habe ich im Eifer des Gefechts auch noch die
falsche Beschreibung angehangen.

73

Wilhelm S. schrieb:
> Im Zeitalter der MMICs
> ist das wohl mehr als out.

Das hat damit zu tun, dass, neben dem Lastwiderstand, für die 
Breitbandigkeit S/C,  also die Steilheit dividiert durch die 
Ausgangskapazität, entscheidend ist.
Bipolare Transistoren haben per se extrem hohe Werte für S und 
bescheidene Kapazitäten, und können von der Technik der Kettenverstärker 
nur wenig profitieren, während bei den FETs eher S/C Verhältnisse wie 
bei den Röhren anzutreffen sind.
Deshalb kann man auch bei den ganz schnellen, mit GaAs-FETs 
ausgestatteten, MMICs diese Technik wieder vorteilhaft einsetzen.