Verwirrung wegen Qg bei FETs

Timmy Gast #4770474
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Hallo,

ich habe gerade irgendwie ein Brett vorm Kopf.
In FET Datenblättern steigt Qgtotal linear mit Vgs (das Plateau ist 
jetzt mal egal).

Das ist ja auch logisch, denn um einen Kondensator auf die doppelte 
Spannung aufzuladen, brauche ich auch die doppelte Ladung.

10nC ist wie 1 Sekunde lang 10nA
20nC ist wie 1 Sekunde lang 20nA

Jetzt habe ich aber mal den Gate-Strom bei 4V und bei 12V gemessen und 
es fliesst exakt der gleiche Strom im uA Bereich. Ich schalte 10000 mal 
pro Sekunde. Eigentlich habe ich bei der doppelten Spannung auch den 
doppelten Strom erwartet. Immerhin gilt E=1/2CV².

Hier muss ich einen ganz blöden Denkfehler haben. Kann jemand helfen?
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Falk B. #4770489
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@ Timmy (Gast)

>10nC ist wie 1 Sekunde lang 10nA

Oder eher 1A für 20ns

>20nC ist wie 1 Sekunde lang 20nA

>Jetzt habe ich aber mal den Gate-Strom bei 4V und bei 12V gemessen und
>es fliesst exakt der gleiche Strom im uA Bereich.

Ganz schön viel, normalerweise liegt der reale Gatestrom bei 
Raumtemperatur deutlich unter 1uA.

>Ich schalte 10000 mal
>pro Sekunde. Eigentlich habe ich bei der doppelten Spannung auch den
>doppelten Strom erwartet. Immerhin gilt E=1/2CV².

Was hat die Kondensatorenergie mit dem Strom zu tun? Und was hat der 
Leckstrom damit zu tun?

Ein Gatetreiber läde x mal pro Sekunde das Gate auf und entlädt es auch 
wieder. Wenn man die Spannung verdoppelt, verdoppelt sich der MITTLERE 
Ladestrom.
Dito bei doppelter Frequenz.

I = Q * t = Q * 1/f
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Timmy Gast #4770515
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Nach deine Formel I=Q*1/f würde der Strom bei steigender Frequenz aber 
abnehmen. Meinst du nicht eher I=Qf? Dennoch bestätigst du mich damit, 
dass der mittlere Strom mit steigendem Vgs auch steigen müsste. Tut er 
aber nicht.
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Timmy Gast #4770537
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Ich möchte erstmal ein paar mehr Expertenmeinungen. Sollte der Strom 
wirklich steigen müssen, dann muss ich hier einen Fehler beim Messaufbau 
haben. Die Energie steigt ja auch an, da 4V*500uA=2mW und 12V*500uA=6mW 
ist.

Aber kurz zum Aufbau: Der Gatetreiber wird mit einem 1mF Elko versorgt. 
Der Elko wird auf 12V aufgeladen, dann wird die Stromversorgung getrennt 
und die Spannung wird über Zeit gemessen. Die Spannung sinkt von 12V bis 
4V fast linear ab.
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Yalu X. Moderator #4770589
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Der Gatetreiber hat ja auch einen Eigenverbrauch, den du berücksichtigen
solltest.

Welchen Typ von Gatetreiber und Mosfet verwendest du?

Ist das Drain des Mosfets offen?

Wenn nicht, wie sieht die angeschlossene Last aus, und mit welcher
Spannung wird diese betrieben?
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Timmy Gast #4770602
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Ich habe jetzt mal direkt das Gate gemessen und feststellen dürfen, dass 
der Gatetreiber das Gate immer nur auf 3V auflädt. WARUM er das tut, 
weiss ich nicht. Habe auch verschiedene FETs probiert. Aber das erklärt 
schonmal den gleich bleibenden Stromverbrauch. Der Gate-Treiber ist der 
ZXGD3005E6.
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Sascha_ Gast #4770829
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Timmy schrieb:
> Aha. Toll. Anscheinend ist bei diesem Gate-Treiber Vin=Vout. Also
> nur
> ein Impedanzwandler. Mist. :(

Bau dir nen Treiber mit Bipolartransistoren auf. Gegentaktstufe mit NPN 
oben und PNP unten und die Basen zusammen an nen weiteren NPN in 
Emitterschaltung.
3 Transistoren, 2 Widerstände.

Der Gatestrom beim Aufladen lässt sich dann per Shunt in der 
Versorgungsleitung messen.
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