Schottky Diode Transienten

Schottky Dioden haben auch nen Lawinendurchbruch. Wie die maximale 
Energie bzw. Leistung ist, steht aber häufig nicht im Datenblatt.

Beim Step-Up muss die Energie beim Durchbruch bis zum nächsten 
Schaltzyklus nicht zwingend abgebaut sein. In dem Fall wird die Diode 
wahrscheinlich zerstört.

Siehe hier: www.st.com/resource/en/application_note/cd00004480.pdf

Bei FETs sieht das genauso aus, wenn die maximale Energie beim 
Lawinendurchbruch überschritten wird, kann das Bauteil geschädigt 
werden.

Timmy schrieb:
> ich verwende eine 40V Schottky für einen Step-Up auf 35V. Bei gutem
> Layout kommt man damit hin, aber bei schlechtem Layout habe ich auch
> schon 45V gemessen.

Wann und wo? Die Spannung entsteht doch normalerweise dann wenn der 
Mosfet abschaltet, und da wird die Diode in Vorwärtsrichtung normal 
leitend. Sperrspannung liegt an der nur, wenn der Mosfet eingeschaltet 
ist, aber dann gibt es keine 45V, weil die Drainspannung dann ins 
negative schwingen müsste, was aber die Body-Diode des Mosfet 
verhindert.

Hat er doch gesagt, Transienten bei schlechtem Layout. Vor und hinter 
der Schottky sind ja Leiterbahninduktivitäten.

Sascha_ schrieb:
> Hat er doch gesagt...

Nee.
Wenn er 45V misst (wohl am Drain gegen Masse, wenn der Mosfet 
abgeschaltet wird), liegen die eben nicht an der Diode.

ArnoR schrieb:
> Sascha_ schrieb:
>> Hat er doch gesagt...
>
> Nee.

Das musst du dir echt mal abgewöhnen.

> Wenn er 45V misst (wohl am Drain gegen Masse, wenn der Mosfet
> abgeschaltet wird), liegen die eben nicht an der Diode.

Vermutung.

Selbst wenn, beantwortet das nicht die Frage des TE.

Transienten können an vielen Orten entstehen und man kann auch mehr als 
eine Diode in der Schaltung haben. Wie Sascha schon richtig sagte, ist 
das für die Frage auch irrelevant.

Danke Sascha, hat mir sehr geholfen.