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#5007750
Es gibt hier eine Beschreibung zum Thema FET. Da steht folgendes: Beim N-Kanal FET muss die Gatespannung positiv gegenüber Source sein. Dabei wird der FET dann leitend, wenn die sogenannte "threshold voltage" (Schwellenspannung) erreicht wird. Eine typische Anwendung ist z. B. ein Low-Side Schalter: Source an GND, Drain an die Last, Ansteuerung des N-Kanal FETs mit 12V gleichbedeutend mit 12V ÜBER den Source = GND Potential. Beim P-Kanal FET als HS-Schalter muss die Gatespannung negativer=niedriger als das Sourcepotential sein.Beispiel. Beispiel: Lastspannung = 400V d.h. Source an 400V, Last zwischen Drain und GND, Ansteuerung des P-Kanal FETs mit 388V, also 12V UNTER dem Sourcepotential. Beim N-Kanal FET als HS-Schalter muss die Gatespannung positver=höher als das Sourcepotential sein. Beispiel: Lastspannung = 400V d.h. Last an 400V, Drain an die Last, Source an GND, Ansteuerung des N-Kanal FETs mit 412V, also 12V ÜBER dem Sourcepotential. In diesem Fall ist aber eine zusätzliche Spannungsquelle erforderlich, denn der FET wird mit einer Spannung über der Lastspannung eingeschaltet. Ich bin da nicht wirklich sicher, aber ist der 3. Teil "N-FET als HS" nicht falsch? Müsste es nicht heißen: Source an 400V, Last zwischen Drain und Gnd. Ansteuerung mit 412V?