IRF530N - 3,3V

Franz schrieb:
> Wo kann ich dies in dem Datenblatt finden:

Continuous Drain Current, VGS @ 10V

Er will 10V am Gate für sicheres Durchschalten.

VGS(th) Gate Threshold Voltage 2.0 ––– 4.0 V VDS = VGS, ID = 250μA

heisst: Unter 2 bis 4V ist er garantiert aus.

Darüber kommt bis ca. 4 bis 8V der lineare Bereich.

Das kannt Du am Besten in dem Diagramm zur Transfercharakteristik sehen.
Da sieht man, daß 3,3 Volt Ugs den Kollegen nicht sonderlich 
beeindrucken.

-Feldkurat-

@ Franz (Gast)

>Es würde mir bei der Auswahl passender Mosfets helfen.

https://www.mikrocontroller.net/articles/FET#Gate-Source_Threshold_Voltage

Feldkurat K. schrieb:
> Das kannt Du am Besten in dem Diagramm zur Transfercharakteristik sehen.

Nein.

Natürlich nicht.

Weil das ein "typical" Diagramm ist.

Und je nach Exemplar des MOSFETs ist die Kurve um 1V nach links oder 1V 
nach rechts verschoben.

Michael B. schrieb:

> VGS(th) Gate Threshold Voltage 2.0 ––– 4.0 V VDS = VGS, ID = 250μA
>
> heisst: Unter 2 bis 4V ist er garantiert aus.
>
> Darüber kommt bis ca. 4 bis 8V der lineare Bereich.

so ist das nicht korrekt... korrekt müßte man sagen, der MOSFET geht auf 
irgendwo zwischen 2V bis 4V, unter 2V ist er garantiert aus. bei 10V ist 
er garantiert voll auf.

Also auf gar keinen Fall annehmen, daß er BIS 4V noch zu ist.

THOR schrieb:
> Ne, nur für den niedrigen Rdson der auf der ersten Seite angegeben ist.
> Figure 8: 2V bei 33A ergibt 60mOhm.

Du solltest noch Drain-Source-Voltage ergänzen. Und vielleicht wäre es 
ganz nett, noch auf das »ergibt« einzugehen. Das ist nichts von außen 
aufgeprägtes (2V rein, 33A durch), sondern etwas dem Bauteil inhärentes 
(Quellwiderstand 0). An einem 48V-Netzteil mit 2-5A ist es dennoch ein 
veritabler Kurzschluss mit 0V, so der MOSFET durchgeschaltet ist.

THOR schrieb:
> Auch nach 8V noch. Sofern der Strom gering genug ist, natürlich.

…den wer genau begrenzt? Das beschränkende Kriterium in Figure 8 ist die 
Gate-Source-Voltage, da bspw. 5V den Kanal nicht breit genug machen, 
folglich keine 60mOhm RDSon herrschen, sondern mehr. Deswegen steht in 
der Ecke rechts unten auch Pulse Duration 80µs und Duty Cycle 0,5% MAX. 
Bei mehr Drain-Source-Voltage steigt die Verlustleistung aufgrund 
Innenwiderstands (RDSon) so stark an, dass entweder das Substrat oder 
die Bonding-Drähte aufgeben. (Produkt aus Spannung und Strom oder 
Widerstand und Quadrat des Stromes…verrechnet mit Wärmewiderstand und 
abgeglichen mit Maximaltemperatur)

Leider haben es die vielen MOSFET-Hersteller nicht geschafft, 
einheitliche Begriffe und Datenblätter für MOSFETs zu schaffen. 
Wenigstens haben die meisten etwas wie Figure 5: SOA – Safe Operating 
Area – aus der hervorgeht, dass bei 1-2V Drain-Source-Voltage 4-10A als 
sicher gelten, während Figure 8 bei 1V ganze 10A näherlegt. Immer den 
niedrigeren Wert nehmen.