Funktionsweise Photodiode in einem CCP-Sensor

OP #5106646
Hallo liebe Community,

ich schreibe zur Zeit meine Bachelorarbeit über eine Regelung mit Hilfe 
eines Bildverarbeitungssystems. Im Theorieteil möchte ich unter anderem 
auch die Funktionsweise eines CCP Sensors beschreiben. Bin mir da 
allerdings noch unsicher ob meine bisherige Erklärung richtig ist. 
Folgendes habe ich bis jetzt geschrieben:

Beim CCD-Sensor funktioniert die Umwandlung des Lichts in ein 
elektrisches Signal in einer Photodiode durch den inneren Photoeffekt, 
pro Pixel wird eine Photodiode benötigt. Dabei werden in der Photodiode 
durch einfallendes Licht (Photonen) Ladungsträger energetisch vom 
Valenzband in das Leitungsband gehoben. Durch die Sperrschichtkapazität 
der Photodiode können sich die Ladungsträger wie in einem Kondensator 
akkumulieren. Die Photodiode ist über einen als Schalter verwendeten 
MOS-Transistor mit der peripheren Elektronik verbunden. Ist der 
Transistor nicht leitend werden Ladungsträger akkumuliert, wird der 
Transistor leitend werden die Ladungsträger abgeführt. Die Anzahl der 
akkumulierten Ladungsträger hängt von der Lichtintensität und der 
Belichtungsdauer ab und bestimmen im späteren Bild die Helligkeit des 
Pixels.

Falls das komplett falsch sein sollte würde ich um einen 
Literaturhinweis bitten wo es besser beschrieben ist.

Vielen Dank

Frederik
OP
Keine Antwort seit gestern? Bin hier wohl im falschen Forum?

Egal, habe die Antwort gerade selbst gefunden. Falls sich jemand dafür 
interessiert:

"Bei integrierenden Ausleseverfahren wird der Signalstrom der Photodiode 
auf der Sperrschichtkapazität C der Diode aufintegriert. Die 
akkumulierte Ladungsmenge kann direkt mit Hilfe eines Ladungsverstärkers 
oder indirekt über die Spannung an der Sperrschichtkapazität gemessen 
werden. Im ersten Fall spricht man von Ladungsauslese, im zweiten Fall 
von Spannungsausle-
se." - Angelika Erhard, Einführung in die Digitale Bildverarbeitung, 
2008, Vieweg+Teubner

Gruß
Frederik

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