Widerstandsberechnung am Gate eines SiC-MOSFET

Sissi schrieb:
> In den Datenblättern finde ich keine Angaben für den maximalen Gatestrom
> beim Ein- und Ausschalten eines SiC-MOSFETs.

Den gibt es auch nicht, genau wie bei gewöhnlichen Si Mosfets oder 
Igbts.

Um welchen FET geht es bei dir?

Alexander schrieb:
> Um welchen FET geht es bei dir?

Es ist ein allgemeines Problem.

In den App-Notes werden oft bevorzugt zu verwendende Widerstände 
angegeben. Ich finde aber keinen Hinweis, wie ich aus den Angaben in den 
Datenblättern auf diese Werte komme.

Sissi schrieb:
> Es ist ein allgemeines Problem

Dann kann man auch nur allgemein antworten:

So viel Gate Widerstand wie nötig, um saubere Schaltflanken zu 
erreichen.

So wenig Gate Widerstand wie möglich, um die Schaltverluste zu 
reduzieren.

Wenn du sagst, um welchen FET es sich handelt, kann man einen 
Anhaltspunkt geben, in welcher Größenordnung der Widerstand sein sollte. 
Es macht nämlich einen Unterschied, ob man 30A schaltet, oder 300A.

Gruß,

Dietrich L. schrieb:
> ... und den Strom auf Werte zu begrenzen, die der Treiber noch verträgt

Das stimmt natürlich. Wenn die Ausgangsstufe des Treibers bereits steht, 
dann ist das natürlich ein weiteres Kriterium.

Gruß,

Alexander schrieb:
> Wenn du sagst, um welchen FET es sich handelt, kann man einen
> Anhaltspunkt geben, in welcher Größenordnung der Widerstand sein sollte.

z.B. C2M0025120D von CREE

Dietrich L. schrieb:
>> So viel Gate Widerstand wie nötig, um saubere Schaltflanken zu
>> erreichen.
>
> ... und den Strom auf Werte zu begrenzen, die der Treiber noch verträgt.

...und die Verlustleistung vom Treiber auf den Widerstand zu verlagern.

....und langsam genug zu schalten, daß der andere Mosfet (in der Brücke) 
nicht ungewollt einschaltet.