Brown out Detection Datenblatt

Gast #5654076 
Hallo,
ich wollte mein µC absichern, dass bei Stromausfall ein paar Daten im 
Flash gespeichert werden. Das Datenblatt ist leider sehr sehr komisch.

Vielleicht hat von euch jemand eine Idee, was Note1 und Note2 genau 
unterscheidet? Ist Note1 für Spannungsabfall und Note2 für 
Spannungsanstieg?

Ich möchte gerne die Toleranzen wissen, also wenn 3,3V abfallen, wann 
frühestens die BOD aktiv wird und wann spätestens.
Umgekehrt bei Spannungsanstieg dasselbe.
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Gast 
An sich ist das doch eigentlich unten deutlich geschrieben. Einzig das 
die Gleichungen fließend in Text übergehen kann etwas unübersichtlich 
wirken.

Für konkrete Berechnungen fehlt die Angabe von N bzw. HYST[3:0]. Diese 
ist in dem Ausschnitt nicht abgebildet.

Um welchen µC handelt es sich den genau?
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Für mein Verständnis ist VBOD- (bzw. VBOD) die untere Schaltschwelle, 
VBOD+ die obere Schaltschwelle der Schalthysterese. Für fallende Vdd ist 
die untere Schwelle VBOD- relevant, für steigende Vdd die obere VBOD+.

VBOD- = 1.5V + Level[7:0] * 6 mV
VBOD+ = VBOD- + N * HystereseSchritt

Wie groß N und der Hystereseschritt sind, ist aus dem Ausschnitt nicht 
zu erkennen. In dem gegebenen Beispiel ist die Hysterese 11 mV.
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Gast 
Ja genau wie Elias interpretiere ich die Werte auch.

Elias K. schrieb:
> Wie groß N und der Hystereseschritt sind, ist aus dem Ausschnitt nicht
> zu erkennen. In dem gegebenen Beispiel ist die Hysterese 11 mV.

Allerdings ist HYST_STEP schon gegeben, wenn ich mich jetzt nicht irre.

HYST_STEP = Level_Step = 6 mV
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Gast 
Hallo,

ich endschuldige mich und liefere mal folgendes Bild nach. Der µC ist 
ein Microchip SAMD51. Ich möchte den ohne Hysterese betreiben. Dann 
müssten ja nur die obigen Angaben für mich interessant sein!?
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