Peter schrieb:
> Mosfets (bzw. im Wechselrichter IGBTs) sind etwa 50cm Leitungslänge
Ganz schön viel.
> entfernt und haben lokal nur einen Widerstand (22Ω) am Gate.
Der soll die parasitären Schwingungen der Zuleitung mit der
Gatekapazität dämpfen.
> Die
> PWM-Frequenz beträgt etwa 75kHz.
Normal. Das entscheidende ist aber die Schaltgeschwindigkeit.
> In Lehrbüchern liest man immer, dass der Treiber nur maximal einige
> Zentimeter Abstand haben soll.
Sollte man anstreben.
> Weiß jemand, wo genau die Nachteile bei
> einem solchen Design sind?
Mehr Störeinkopplung
Mehr Leitungsinduktivität, mehr Schwingneigung
Geringere Treiberleistung, begrenzt durch den Wellenwiderstand der
Zuleitung. Allerdings muss man da aufpassen, die rein HF-Betrachtung
reicht da nicht aus. Denn der Abschluß (MOSFET-Gate) ist stark
kapazitiv.
> Ich nehme an, dass die Treiberleistung höher sein muss, um die Kapazität
> auszugleichen.
Nicht wirklich, die paar Dutzend pF der Leitung fallen nicht ins
Gewicht. Außerdem wird der Teiber durch den unvermeidlichen
Dämpfungswiderstand sowieso schon arg ausgebremst. Bei 22 Ohm am Gate
hat man bei 12V Ansteuerung nur knapp 500mA Spitzenstrom, das schafft
selbst der schwächste Treiber.
Wenn man das so machen MUSS/will, sollte man dennoch alle anderen
Möglichkeiten der Optimierung nutzen. Auf jeden Fall MÜSSEN die
Zuleitungen zum Gate (Gate und Masse) verdrillt sein!
