Unterschied EEPROM gegen Flash

Gast #29509
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auweia,

Beim Flash muß Du einen ganzen Sektor löschen um wieder was neues 
einzuschreiben.
Dagegen kannst Du beim EEPROM jedes einzelne Byte umprogrammieren immer 
wann Du es willst.

Das das Flash seinen Namen hat ist wohl klar oder? Es geht sehr schnell 
zu löschen und zu beschreiben, viel schneller als beim EEPROM eine 
gleiche Speichergröße zu programmieren

Reiner
Gast #29511
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Die einzelnen Speicherzellen sind beim EEPROM und beim Flash dieselben, 
also auch deren prinzipiellen Eigenschaften wie z.B. Haltbarkeit.
Der einzige Unterschied liegt in der Ansteuerelektronik. EEPROMS lassen 
sich zellenweise adressieren, Flashspeicher dagegen nur sektorweise, 
wobei je nach Exemplar die Sektoren unterschiedlich groß sein können.
#990048
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@D. Fries (Gast)

>Auf folgender Seite steht, dass bei EEPROMs das Löschen/Schreiben 2-4ms
>dauert. Bei Flash-EEPROMs dahingegen nur 10 µs.
>Wie kann das sein, wenn es sich um dieselben Speicherzellen und nur um
>eine andere Adressierung handelt?

Naja, nicht ganz. Flash kann nur blockweise gelöscht werden. Je nach Typ 
umfasst ein Block (Page, Sektor) 1...ganz viele kB!). Da wird alles 
PARALLEL gelöscht, auch in 2-4ms. Das entspricht zurückgrerechnet auf 
einen einzelnes Byte eben die von dir genannten 10us.

MFg
Falk
Gast #990052
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Flash  -> schneller (Schreiben und Lesen), teurer, mehr Schreibzyklen 
(~100.000)
EEPROM -> langsamer (Schreiben und Lesen), günstiger, weniger 
Schreibzyklen (~10.000)
Das sind aber nur allgemeine Angaben, es gibt auch Flash mit nur 1000 
Schreibzyklen, da hat man weniger Zyklen in Kauf genommen und an anderer 
Stelle dafür gewonnen.

cu
Gast #990085
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> Das entspricht zurückgrerechnet auf
> einen einzelnes Byte eben die von dir genannten 10us.

Ah, das macht dann natürlich Sinn.
Also eigentlich dauert das Löschen/Schreiben genau gleich lang, nur dass 
bei Flash eben mehr auf einmal gelöscht/geschrieben wird.
Gast #990104
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> EEPROM -> langsamer (Schreiben und Lesen), günstiger, weniger
> Schreibzyklen (~10.000)

Diese Aussage macht mich nun aber etwas stutzig.
Ich hab hier ein Script in dem steht, dass bei EEPROM bis zu 10 
Millionen Lese/Schreibzyklen möglich sind.
Ist diese Aussage komplett falsch oder bezieht sie sich auf bestimmte 
Umstände?
#990110
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@D. Fries (Gast)

>> EEPROM -> langsamer (Schreiben und Lesen), günstiger, weniger
>> Schreibzyklen (~10.000)

Er meint FLASH.

>Ich hab hier ein Script in dem steht, dass bei EEPROM bis zu 10
>Millionen Lese/Schreibzyklen möglich sind.

Im Extremfall. Gängig sind 100k bis 1Million.#

>Ist diese Aussage komplett falsch

Nein, das Postiung von ist yxcv verdreht. Siehe auch

Siehe auch Speicher.

MFG
Falk
#990125
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Der Ersatz für EEPROMs ist eigentlich NOR-Flash, da diese auch Byteweise 
beschrieben und gelesen werden können. Bei NAND ist das nicht ganz so 
einfach. Nur das Löschen bei NOR-Flash erfolgt ach Blockweise. Bei einem 
16 MB NOR-Flash von Intel sind es z.B. je 128 KiB große Blöcke. Kann 
aber auch variieren.
Auch die Schreibzyklen sind meist mit 100k-1 Mio angegeben. Bei EEPROM 
sinds meist 10-100k.
Aber die Flashzellen sind nicht gleich nach 1 Mio putt. Da kannst du 
auch mehrere Millionen mal raufschreiben. Problem ist dass sie dann 
langsamer werden. Wenn es anfangs z.B. 70µs zum Schreiben benötigt hat, 
sinds nach 1 mio mal schon 700µs.
Es wird garantiert, dass der Block eine Millionen schreibzyklen aushält. 
Aber um diese Garantie zu geben muss sehr viel spielraum vorhanden sein. 
c't hat mal einen USB-Stick 16 Millionen mal beschrieben und es wurden 
keine Fehler festgestellt.
#990177
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Man kann das nicht eindeutig unterscheiden.

Vielleicht so:

Ein EEPROM ist immer auch byteweise beschreibbar und mit 
Autoerase.

Alles andere ist Flash.


Es gibt auch EEPROMs die sind sektorweise oder komplett löschbar bzw. 
seitenweise beschreibbar.

Es gibt auch Flash mit Autoerase (AT29C512).
Es gibt auch Flash mit byteweise Schreiben.


Peter
(Firma: encrypt) #1180153
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Hallo Leute

Bitte entschuldigt, dass ich dieses Thema nochmals aufgreiffe, 
Diskussionen darum nerven mich einfach schon zu lange, als das ich 
darüber hinwegschauen könnte.

Unabhängig vom Umfang, der Qualität und der Korrektheit des Wissens, 
welches die Beteiligten hier über Flash und Eeprom Speicher 
zusammengetragen haben:

Eeprom ist auch heute noch ein Akronym für electrically ereasable 
programmable read only memory. Seit es Flash Speicher gibt können diese 
elektronisch gelöscht und beschrieben werden, ein Vergleich von Flash- 
und Eeprom Speichern kann so also nicht erstellt werden.

Flash ist eine mögliche Eeprom Technologie, der Begriff Eeprom 
distanziert diese elektronisch lösch- und programmierbaren nur lese 
Speicherbausteinen lediglich von den nicht nur (z.B. optisch löschbaren) 
elektronisch löschbaren nur lese Speicherbausteinen.

Flash=Eeprom
Eeprom=nicht nur Flash

Deam, lange ists her...

Rd. hpil. Hheenz
#1180197
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EEPROM -> teuer und langsam, aber Bitweise Beschreibbar.
Flash-EEPROM -> billig in größeren Bauformen zu fertigen und eigentlich 
schnell zu beschreiben, aber nur seitenweise.

Sollte auch der Grund dafür sein warum Flash gewonnen hat und EEPROM nur 
was für Spezialfälle ist, der Preis und die Baugröße...
(Firma: encrypt) #1180650
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Andreas Klepmeir wrote:
> EEPROM -> teuer und langsam, aber Bitweise Beschreibbar.
> Flash-EEPROM -> billig in größeren Bauformen zu fertigen und eigentlich
> schnell zu beschreiben, aber nur seitenweise.
>
> Sollte auch der Grund dafür sein warum Flash gewonnen hat und EEPROM nur
> was für Spezialfälle ist, der Preis und die Baugröße...


So vielleicht:

"Gewöhnliche" EEPROM -> teuer und langsam, aber Bitweise Beschreibbar.
Flash-EEPROM -> billig in größeren Bauformen zu fertigen und eigentlich
schnell zu beschreiben, aber nur seitenweise.
Sollte auch der Grund dafür sein warum Flash EEPROM gewonnen hat und 
"gewöhnliche" EEPROM nur was für Spezialfälle ist, der Preis und die 
Baugröße...

Der zulässige Temperaturbereich der Flash EEPROM und nicht 
deterministische Schreibzeiten sind Gründe, um auf "gewöhnliche" EEPROM 
zurückzugreiffen.
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