Ich will mit einem 74HCT03 (O.C. NAND) eine Spannung runterziehen, die höher ist, als die Versorgungsspannung (+5V). Geht das? Grüße Christoph
Nein. Datenblatt? Dort steht als max. Spannung VCC für den Ausgang. Du hast 35V-12V= 23V, liegt deutlich darüber. So was macht man mit einem zusätzlichen Transistor.
HildeK schrieb: > Nein. Datenblatt? Dort steht als max. Spannung VCC für den > Ausgang. > Du hast 35V-12V= 23V, liegt deutlich darüber. > So was macht man mit einem zusätzlichen Transistor. OK. Danke. -- Christoph
Oder einen BC546, geht bis 80V und Strom verträgt der auch deutlich mehr. Das Runterziehen der Spannung ist bestimmt kein Selbstzweck. Was ist den das Ziel der Aktion? Alleine die Z-Diode an der Stelle ist schon sehr merkwürdig. Die 35V dürfen jedenfalls nicht von einer (idealen) Spannungsquelle kommen. Sonst ist Ungemach absehbar.
Wolfgang schrieb: > Oder einen BC546, geht bis 80V und Strom verträgt der auch > deutlich > mehr. BC846A nehme ich in der Tat. > > Das Runterziehen der Spannung ist bestimmt kein Selbstzweck. > Was ist den das Ziel der Aktion? > > Alleine die Z-Diode an der Stelle ist schon sehr merkwürdig. Die 35V > dürfen jedenfalls nicht von einer (idealen) Spannungsquelle kommen. > Sonst ist Ungemach absehbar. Die 35V haben noch einen 15k Vorwiderstand davor. Mit idealen Spannungsquellen arbeite ich im wirklichen Leben nicht :) Ich poste nachher mal die Schaltung. Vielleicht kann Schwarmintelligenz sie ja noch optimieren. :) -- Christoph
HildeK schrieb: > Datenblatt? Dort steht als max. Spannung VCC für den Ausgang Wenn es ein vernünftiges Datenblatt ist, enthält es auch den relevanten Teil der Innenschaltung, nämlich das, was jeweils an den Ein- bzw. Ausgängen der Gatter sitzt. Beim Ausgang kann man daraus ableiten, daß die Body-Diode eines p-MOSFET zwischen Ausgang und Vcc liegt. Bei (zu) hoher Spannung am Ausgang leitet diese Diode.
Axel S. schrieb: > HildeK schrieb: >> Datenblatt? Dort steht als max. Spannung VCC für den Ausgang > > Wenn es ein vernünftiges Datenblatt ist, enthält es auch den relevanten > Teil der Innenschaltung, nämlich das, was jeweils an den Ein- bzw. > Ausgängen der Gatter sitzt. Beim Ausgang kann man daraus ableiten, daß > die Body-Diode eines p-MOSFET zwischen Ausgang und Vcc liegt. Bei (zu) > hoher Spannung am Ausgang leitet diese Diode. Der 74HCT03 ist kein Muß, wenn es eine andere Familie gibt, die höhere Spannung erlaubt, hätte ich auch nichts dagegen, aber der Stromverbrauch war ursprünglich ausschlaggebend für HC. Aber die Schaltung ist noch nicht fertig. Sie folgt hier. Darin befindet sich jetzt kein IC mehr, sondern der Aufbau besteht aus diskreten Transistoren. Mir läge daran, die Zahl der Transistoren und Dioden zu minimieren. -- Christoph
Hier noch mal eine Grafik. Der untere Teil ist nur eine andere XOR-Schaltung, die ich als ALternative hinzugefügt habe.
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