imx6 DDR stress test

[Holger K. (holgerkraehe)]

Soo...

Der Stresstest aus diesem Thread 
Beitrag "Eigenes i.MX6 Board - JTAG läuft. Wie nun weiter mit U-Boot?"

Konnte nun gestartet werden.

Ich denke es macht sinn, einen eigenen Thread für den Stresstest 
aufzutun.
Wobei gestartet werden hier lediglich bedeutet, dass ich das 
vorkompilierte bin file zum laufen bekommen habe.

Leider scheint es ein Problem mit der Kalibrierung zu geben.

0004DDR Freq: 396 MHz

ddr_mr1=0x00000004
Start write leveling calibration...
running Write level HW calibration
  MPWLHWERR register read out for factory diagnostics:
  MPWLHWERR PHY0 = 0x00000000


HW WL cal status: no suitable delay value found for byte 0

HW WL cal status: no suitable delay value found for byte 1
Write leveling calibration completed but failed, the following results were found:
    MMDC_MPWLDECTRL0 ch0 (0x021b080c) = 0x001F001F
Write DQS delay result:
   Write DQS0 delay: 31/256 CK
   Write DQS1 delay: 31/256 CK


Error: failed during write leveling calibration

Im Excel tool zur generierung der Konfiguration gibt es ein paar Felder:

DRAM DSE Setting - DQ/DQM (ohm)  240
DRAM DSE Setting - ADDR/CMD/CTL (ohm)  240
DRAM DSE Setting - CK (ohm)  240
DRAM DSE Setting - DQS (ohm)  240
System ODT Setting (ohm)  120

Bei diesen bin ich mir nicht sicher, was da genau verlangt wird.

Ich habe bei meinem Board beim RAM beim ZQ Pin einen 240 Ohm Widerstand.
Ebenso beim imx6 beim DRAM_ZQPAD.

Daher dachte ich, ich nehme mal überall 240 und beim letzten 120 Ohm.

Was meinen die Experten?


Könnte dies eventuell daran liegen, dass ich DQS0_N und P und DQS1_N und 
P ausversehen vertauscht habe? Das ergibt dann eine Phasenverschiebung 
um 180 Grad...