SPICE Level 1 MOSFET (Fehler in Musterlösung)

Gast #5882767
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Hey, kann es sein das die Musterlösung nicht richtig ist? Es geht um das 
grünumrandete. Wieso liegt da die Variable W? Für was soll diese zweite 
Variable stehen? Um die weiter kann es sich doch unmöglich handeln. 
Vielleicht ein Fehler in der Musterlösung da dort eigentlich U_DS stehen 
sollte?

Beim Übergang vom linearen in Sättigungsbereich gilt wiederum 
U_DS=U_GS-T_th. Aber da wir uns in Sättigung befinden macht diese 
Glechung überhaupt Sinn? Welche variable gilt nun für das grünumrandete?

Ich bedanke mich für jede Hilfe im vorraus
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Gast #5882998
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Ich denke der Fehler liegt in der Formel richtig? In Klammer muss es 
glaube lambda * U_GS sein anstatt U_DS. Wo ist denn der Sinn das U_DS 
ein Einfluss darauf hat obwohl die Overdrivespannung bereits vorhanden 
ist. Denn es gilt ja schleißlich U_DS größer gleich U_OV in Sättigung
#5883199
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Verkehrsministervonibiza schrieb:
> Ich denke der Fehler liegt in der Formel richtig? In Klammer muss es
> glaube lambda * U_GS sein anstatt U_DS. Wo ist denn der Sinn das U_DS
> ein Einfluss darauf hat obwohl die Overdrivespannung bereits vorhanden
> ist. Denn es gilt ja schleißlich U_DS größer gleich U_OV in Sättigung

In der Formel muss es lambda*Uds heißen.

Idrain = (W/L)·(KP/2)·(1+LAMBDA·Vds)·(Vgs-Vto)^2

Quelle: Seite 198
https://people.clarkson.edu/~tortmeye/ee211/pspice%20files/pspcref.pdf

Ich denke die Schaltung im Anhang, simuliert mit LTspiceXVII, zeigt die 
gewünschten Arbeitspunkte von Aufgabe c.


Nachtrag
Ich habe die Transistoren jetzt, wie in der Aufgabe, M1, M2 und M3 
benannt.
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