Failure Mode FET

Walter T. OP #6022489
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Hallo zusammen,

meine Frage ist im Zusammenhang mit diesem Beitrag 
Beitrag "Re: Reverse Bias Spannung FET/Bipolartransistor" , aber 
doch ziemlich unabhängig davon.

Ich will einen "open drain"-Ausgang machen (siehe Skizze). Wird an 
diesen eine negative Spannung angelegt, oder die Last kurzgeschlossen, 
wird der MOSFET dies unweigerlich mit seinem Ableben quittieren.

In der "Literatur" (Google) finde ich als "failure mode" gegen Überlast 
nur Kurzschluß zwischen Source und Drain. Heißt das, daß ich mich darauf 
verlassen kann, daß der Mikrocontroller am Gate geschützt ist, wenn der 
FET stirbt, z.B. wegen zuviel Strom oder -50V an "Out"?

Edit: Hoppla, das erste Bild war falsch. Leider kann ich es nicht 
löschen.
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Falk B. #6022652
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Walter T. schrieb:
> In der "Literatur" (Google) finde ich als "failure mode" gegen Überlast
> nur Kurzschluß zwischen Source und Drain. Heißt das, daß ich mich darauf
> verlassen kann, daß der Mikrocontroller am Gate geschützt ist, wenn der
> FET stirbt, z.B. wegen zuviel Strom oder -50V an "Out"?

Nein, denn das Gate ist sehr dünn und mal ganz sicher NICHT als 
Schutzisolation zu gebrauchen. Manchmal hält es, meinstens gibt es aber 
auch einen Kurzschluß zum Gate, wenn der MOSFET durchbrennt, denn 
schließlich hat der Chip dann mehrere hundert °C!!!
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