Hallo Zusammen, für die Ansteuerung zweier Halbbrücken (4x 200V MOSFETS) über isolierte Gate-Treiber stelle ich mir die Frage, ob die 13V-Versorgung zur Ansteuerung der Gates auf dem 200V Potential mitschwimmen können. Kann ich die beiden GNDs einfach verbinden? Die 13V (BIAS-Supply) für den Halbbrücken-Treiber werden auch isoliert per Fly-Back von einer 24V LV-Seite zur 200V Seite übertragen. Danke vorab für Tipps.
Was meinst du mit Gerd54 schrieb: > isolierte Gate-Treiber ? Sicher ist es am besten, als Grundlage den Schaltplan deiner Anordnung zu sehen, um dann darüber zu diskutieren.
Ohne Schaltplan keine gescheite Antwort möglich. Im dümmsten Fall liegt die Spannung dann auch am Gehäuse.
Wenn die Halbbrücken kontinuierlich laufen oder in Ruhe unten sind, dann geht auch Bootstrapversorgung über eine Diode.
Hallo Zusammen, im Anhang eine kleine Skizze. Die 24V (GND) soll aufs Gehäuse, die 200V Seite bleibt isoliert. Können die isolierten GNDs auf der 200V Seite (Flyback u. 200V GND) intern zusammengeführt werden?
Versorgung der Gates soll der Flyback wie im Anhang gezeigt übernehmen. Also ein einziger Flyback für beide Halbbrücken und alle 4 MOSFETs.
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