Verpolungsschutz für jFET?

[momo_ (Gast)]

Hallo,
ich habe eine kleine Vorverstärkerschaltung mit einem J310 FET (als 
Source-Folger geschaltet und mit einem 9V-Block betrieben, keine anderen 
Halbleiter in der Schaltung).

Kann der FET durchbrennen, wenn man beim Batteriewechsel aus Versehen 
den 9V-Block falsch rum an die Kontakte hält?

Wenn ja, würde ich eine Diode als Verpolungsschutz einbauen.

[hinz (Gast)]

So einen kleinen Schaltplan kann man doch auch posten.

[Marek N. (Gast)]

Prinzipiell kann man beim JFET die Anschlüsse D und S vertauschen.
Ob dir GS-Diode leitfähig wird, und ob es ihr schadet , hängt von der 
äußeren Beschaltung ab.

[momo_ (Gast)]

hinz schrieb:
> So einen kleinen Schaltplan kann man doch auch posten.

Sourcefolger halt...


Marek N. schrieb:
> Ob dir GS-Diode leitfähig wird, und ob es ihr schadet , hängt von der
> äußeren Beschaltung ab.

Was ist denn da der entscheidende Faktor?

[hinz (Gast)]

Da wird nichts passieren. Wenn du ganz auf Nummer sicher gehen willst, 
dann häng noch einen 1kOhm Widerstand direkt vors Gate.

[Marek N. (Gast)]

momo_ schrieb:
> Was ist denn da der entscheidende Faktor?

Der maximale Gatestrom in Durchlassrichtung. Laut Datenblatt 10 mA. Du 
bis so bei 40 µA. Also alles im grünen Bereich.

hinz schrieb:
> dann häng noch einen 1kOhm Widerstand direkt vors Gate.

Er hat sogar 220k!

[hinz (Gast)]

Marek N. schrieb:
> momo_ schrieb:
>> Was ist denn da der entscheidende Faktor?
>
> Der maximale Gatestrom in Durchlassrichtung. Laut Datenblatt 10 mA. Du
> bis so bei 40 µA. Also alles im grünen Bereich.
>
> hinz schrieb:
>> dann häng noch einen 1kOhm Widerstand direkt vors Gate.
>
> Er hat sogar 220k!

Aber auch den 2,2µF Kondensator.

[Jens G. (jensig)]

Marek N. (bruderm) schrieb:

>hinz schrieb:
>> dann häng noch einen 1kOhm Widerstand direkt vors Gate.

>Er hat sogar 220k!

Das mit dem verstehenden Lesen mußt Du wohl noch mal üben. Er meinte 
natürlich in Serie zum Gate ...