steuerbare RL Last zum Vermessen von GaN Halbbrücken

Emil K. OP #6474354
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Ich muss zur Vermessung und Charakterisierung von GaN Leistungsschaltern 
in Halbbrückentopologie in der Lage sein einen Laststrom einstellen zu 
können. Der jetzige Messaufbau nutzt dafür einen Potentiometer, 
allerdings soll der Laststrom soll der Laststrom in Zukunft 
ferngesteuert einstellbar sein. Da hier mit Spannungen von bis zu 600V 
und Strömen von bis zu 30A gearbeitet wird, kommen Digital 
Potentionmeter nicht in Frage.

Die Idee einen Mosfet zum Einstellen des Laststroms wurde bereits 
verworfen.
Aktuell bin Ich dabei ein RL Lastarray aufzubauen, wo mehrere 
Widerstände und Induktivitäten (zum zusätzlichen einstellen der 
Laststromwelligkeit) parallel geschaltet sind und jeweils einen eigenen 
Schalter besitzen. (siehe Bild)

Mich würde interessieren, ob jmd noch Alternativen kennt den Laststrom 
einzustellen. Ich würde mich da über jeden noch so kleinen Tipp freuen.

Mit freundlichen Grüßen und vielen Dank im Voraus
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MiWi Gast #6474465
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Emil K. schrieb:
> Ich muss zur Vermessung und Charakterisierung von GaN Leistungsschaltern
> in Halbbrückentopologie in der Lage sein einen Laststrom einstellen zu
> können. Der jetzige Messaufbau nutzt dafür einen Potentiometer,
> allerdings soll der Laststrom soll der Laststrom in Zukunft
> ferngesteuert einstellbar sein. Da hier mit Spannungen von bis zu 600V
> und Strömen von bis zu 30A gearbeitet wird, kommen Digital
> Potentionmeter nicht in Frage.

:-)

> Die Idee einen Mosfet zum Einstellen des Laststroms wurde bereits
> verworfen.

Warum?

Wir modulieren hier einerseits mit (wassergekühlten) und geschalteten 
Widerständen haben aber ein Halbleiter-modul mit "linearen" FETs das uns 
die Zwischenstufen fahren kann, somit ist ein "linearer" LastBetrieb von 
0-55kW @ 700V möglich.

Allerdings war sehr viel Aufwand nötig damit das Halbleiter-Modul 
nicht davonläuft wenn keine Spannung ansteht (dann fließt kein Strom, 
der Regler macht auf und dann kommt die Lastspannung... kommt nicht so 
gut bei 700V)

Ansonsten würd ich das so machen wie Du es zeigst. Jeder der Spulen-FETs 
wird galvanisch isoliert angesteuert, sinnvollerweise auch die "unten" 
sonst hast Du bei den Strömen Ausgleichsströme die einem einfachen 
Aufbau im Wege stehen können. Abgesehen ist bei diesen Leistungen ein 
vollkommen getrennter Aufbau sicherheitsmäßig ein großer Vorteil.

Eins der kniffligen Probleme wird sein die Polaritätswechseln am 
Switchingnode sauber(!) in den Griff zu  bekommen, die Ls werden den 
Knoten ungeniert ins Negative ziehen und wenn die Segmente geschaltet 
werden während Strom fließt ebenso lustige Spikes nach V_DC verursachen.

Viel Erfolg!
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