Frage zu CMOS Komplexgattern

Marc schrieb:
> Gilt das nur für komplexere Logikfunktionen?

Eher nur für einfache, NOT, NAND, NOR.

Ein XOR, wenn man es nur aus NAND und NOR aufbaut, ist aufwändig.

Die Realisation die du gesehen hast, ist eine Vereinfachung.

Dafür muss man halt den stumpf stupiden Entwurfspfad, den du beschrieben 
hast, verlassen.

CMOS erlaubt weit kreativere Lösungen als TTL. So findet man neben 
klassischen Gatterstrukturen oft auch Transmission Gates und ähnliche 
Konstruktionen. Eine der CMOS Implementierungen von XOR: 
https://en.wikipedia.org/wiki/XOR_gate#Pass-gate-logic_wiring

Marc schrieb:
> Ist das so korrekt?

Ja das ist korrekt. Der Grund ist einfach darin zu sehen, dass die 
n-Kanal-Technik eine Inversion auf der Ebene 1 vorzieht, nämlich von 
Funktion auf Logik. Um diese zu kompensieren, muss auch die Ebene 2 
invertiert werden, nämlich von Logik auf Physik. In der Formelsprache 
wird dies durch einmal einen Überstrich über invertierten Variablen 
einmal einen Strich unter derselben symbolisiert.

Gemäss den Logikregeln zur Auflösung von Inversionen über einer Klammer, 
wie z.B.

NOT (A AND B) folgt  (NOT A) OR (NOT B). Damit ist eine Schaltung, die 
eine logische- oder eine physische Inversion durchführt, völlig 
equivalent zu ihrem Komplement und invertiert die Funktion auch 
einmalig.

Dass man parallel beide nutzt, hat die beschriebenen Gründe, weil P eben 
die 1 gut schaltet, während N die Null gut schaltet.

Bei der reinen P-Kanal-Technik hat man nur einen Pfad. Dort werden 
solche Umformungen intensiv genutzt, um die gewünschte Schaltfunktion zu 
erzielen.

Die Umformung geht logischerweise auch mehrstufig, also für verkettete 
Funktionen wie:

E = NOT (A AND  ( (NOT B) OR C)). Aus dem Vergleich der logischen und 
funktionellen Struktur, kann man die physische für den p-Kanal direkt 
hinmalen.

oerks schrieb:
> Naja, da haben die Logiktheoretiker ganze Arbeit geleistet
> und den Studenten wieder mal theoretische Flausen ins Gehirn
> gesetzt.

Der TE fragte ausdrücklich nach einer Bestätigung seiner Annahme und 
"theoretisch" ist hier maximal die Beschreibung des Sachverhaltes. 
Dieser ist nämlich mehr als praktisch, da er ständig vorkommt, sobald 
man nämlich Elektronik um seine Logik herum bauen muss und den Pfad der 
reinen Beschreibung verlässt.

Das Thema schnelle und langsame Technologien ist nochmals ein ganz 
anderes. CMOS ist diesbezüglich bei Weitem nicht die ultima ratio und 
auch Silizum ist es nicht, in welchem CMOS-Technik meist gefertigt ist. 
Uach die für die erwähnten n-Kanal-Transistoren öfters genutzte 
drive-in-diffusion ist nicht die Technik, mit der man die schnellst 
möglichen schaltenden Gatter hinbekommt.