Safe-Operating-Area von IGBT zu schön um wahr zu sein?

A-Freak schrieb:
> Mir ist im Datenblatt vom
> https://www.infineon.com/cms/en/product/power/igbt/igbt-discretes/igw25n120h3/
> auf seite 7 die äußerst optimistische SOA aufgefallen.

Naja, da wäre ich sehr vorsichtig.

> Nach dieser hätte der IGBT im Analogbetrieb keinen zweiten Durchbruch

Stimmt sicher nicht.

> und dürfte (nur durch einen realisierbaren Kühlkörper limitiert)

Nö, denn es gibt einen minimalen Wärmewiderstand im Gehäuse, offizielle 
0,46K/W. Mit Isolierscheibe kommt man vielleicht auf 0,7-1K/W. Dazu 
kommt der Kühlkörper. Da sind real bestenfalls 100W Verlustleistung 
drin. Auch ein TO247 Gehäuse ist nicht unendlich gut kühlbar. Die 326W 
max. Verlustleitung im Datenblatt bei 25°C CHIPtemperatur sind rein 
akademisch. Das schafft der reine Chip im Labor in einem Spezialaufbau, 
aber nie und nimmer im TO247 Gehäuse.

Beitrag "Re: Dicker MOSFET, dünnes Anschlusspin?"

> jede
> Kombination von 5V*60A bis 1,2KV*0,25A verheizen?

Bestenfalls sehr kurzzeitig, ein paar Dutzend bis wenige hundert 
Millisekunden, denn die mittlere Verlustleistung von ~300W kriegst du 
dort nicht raus.

> Das wäre zu schön um Wahr zu sein um größere aktive Lasten zu bauen

Eben!

A-Freak schrieb:
> Das wäre zu schön um Wahr zu sein um größere aktive Lasten zu bauen
Du musst die zum Diagramm gehörigen Rahmenbedingungen einhalten.
Eine davon ist "Tj<175°C"

MaWin schrieb:
> Ich sehe in Figure 2 eine DC Kurve von 5V/1A bis 600V/0.5A.

Man beachte die entsprechende 1µs Kurve, von 10V/30A bis 650V/100A! :-)