Bei bipolaren Transistoren folgt - beim npn-Transistor - auf eine n-dotierte Schicht eine p-dotierte Schicht und dann eine n-dotierte Schicht bzw. beim pnp-Transistor auf eine p-dotierte Schicht eine n-dotierte Schicht und dann eine p-dotierte Schicht. Da beim npn-Transistor die Basis mit der p-dotierten Schicht bzw. beim pnp-Transistor die Basis mit der n-dotierten Schicht verbunden ist, folgt in der Theorie ein symmetrischer Aufbau.
Trotzdem geht der Transistor kaputt, wenn man Emitter und Kollektor vertauscht. Wodurch und warum? Könnte man einen Bipolartransistor bauen, bei dem die Vertauschung von Emitter und Kollektor kein Problem ist, der also Wechselspannungen direkt schalten kann. Wenn nein, warum nicht?
