Warum geht ein Transistor kaputt, wenn man Emitter und Kollektor vertauscht

OP #8090426
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Bei bipolaren Transistoren folgt - beim npn-Transistor - auf eine n-dotierte Schicht eine p-dotierte Schicht und dann eine n-dotierte Schicht bzw. beim pnp-Transistor auf eine p-dotierte Schicht eine n-dotierte Schicht und dann eine p-dotierte Schicht. Da beim npn-Transistor die Basis mit der p-dotierten Schicht bzw. beim pnp-Transistor die Basis mit der n-dotierten Schicht verbunden ist, folgt in der Theorie ein symmetrischer Aufbau.

Trotzdem geht der Transistor kaputt, wenn man Emitter und Kollektor vertauscht. Wodurch und warum? Könnte man einen Bipolartransistor bauen, bei dem die Vertauschung von Emitter und Kollektor kein Problem ist, der also Wechselspannungen direkt schalten kann. Wenn nein, warum nicht?

(Firma: Starfleet) #8090440
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folgt in der Theorie ein symmetrischer Aufbau.

Naja, Marx ist die Theorie und Murks ist die Praxis .... und man sollte schon unterscheiden an welcher Achse gedreht wird und welches die Symmetrieachse ist ...

weil die (internen) pn Grenzschichten unterschiedlich dick sind, quasi "passend zu den beiden Spannungen U_BE und U_CB. Vertauscht man nun den Transistor, "passen" die extern angelegten Spannungen nicht mehr zu den Schichtdicken und die resultierenden Ströme sind für jeweilige schicht zu hoch.

Bild aus: https://www.ohi.at/topic/elektronik-einfuehrung/15-aufbau-transistor/

PS: Klingt nach 'ne Hausaufgabe aus dem Fach "Halbleiterphysik".

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: Bearbeitet durch User
#8090441
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Thomas S. schrieb:

Da beim npn-Transistor die Basis mit der p-dotierten Schicht bzw. beim pnp-Transistor die Basis mit der n-dotierten Schicht verbunden ist, folgt in der Theorie ein symmetrischer Aufbau

Neben der Dotierungsart wird das Verhalten auch durch die Stärke der Dotierung und durch die Geometrie bestimmt. Auch in der Theorie ist da nichts symmetrisch.

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