Selbstleitende MOSFETS

Gast #234136
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Hallo Leute!

Ich beginne gerade ein Projekt, in welchem ich einen
selbstleitenden MOSFET N-Kanal benötige.
Das Gehäuse müsste ein TO92 sein, später vielleicht SOT23.
Der FET sollte ca. 200mA schalten können.

Könntet ihr mir bitte einen Typen nennen, der diese Eigenschaften
aufweist.
Ich hätte schon bei einem Elektronikhändler nachgefragt,
aber die haben nur selbstsperrende Typen und ohne Bezeichnung
können die nichts machen.

Danke

Tschüss, Martin
Persönliche Seite #234139
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falsch...

ich habe noch nie mosfets gehoert, die "selbsthaltend" sind...
überlegt doch einmal

ein N-Mosfet leitet zB., wenn aufs GATE ein signal kommt, Source auf
"GND" liegt und am DRAIN kann man dann gegen VCC die Last haenngen..

Ok, nun lege ich das Gate auf Drain, dann ist dies soch im Grunde auf
VCC und leitet Ja, aber nur sehr kurtz, da das MOSFET direkt sperrt
(Drain wird ja gleich gegen masse gezogen)

von daher unwarscheinlich.

ein MOSFET braucht zum Leiten immer eine Source Gate Spannung

Gruss Jens
Gast #234140
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Aber ich habe in der Schule gelernt, dass es selbstperrende und
selbstleitende MOSFETS gibt. Ich weiß sogar noch das Symbol.

Nur habe ich in der Praxis noch keine gefunden. Nichteinmal unter Eagle
gibt es das Symbol dafür.

Gruß, Martin
Gast #234143
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Jens wenn du es nicht sicher weißt solltest du nicht sagen das es falsch
ist! Weil ich z.B. nicht sicher bin hab ich geschrieben "wenn ich das
recht im Kopf habe", weil ich mir so imemr die Option offen halte das
ich mich irre, den irren ist Menschlich ;)

Ich hab nochmal genauer nachgeschaut:
"Man unterscheidet MOSFETs nach der Art der Dotierung des
Halbleitermaterials, in dem (bei
geeigneter Beschaltung) der leitende Kanal zwischen Drain und Source
entsteht. Wir beginnen
mit dem selbstsperrenden n-Kanal MOSFET, (enhancement mode n-channel
MOSFET)
dessen Aufbau im folgenden Bild zu sehen ist.
Bild: n-Kanal-MOSFET, Aufbau der Schichten" (Bild im Anhang)

"Der p-Kanal-MOSFET arbeitet analog. Hier wird allerdings das Gate
negativ gegenüber
Source und Substrat angesteuert. Dadurch wird am Rand der
Isolationsschicht ein leitender p-
Kanal aus Löchern gebildet, über den der Drainstrom fließen kann."

(Systemorientierte Informatik I, www.uni-kiel.de)

Heißt doch, das ein N-Kanal im Grunde seiner Natur Sperrt, es sei den
ich lege eine dem Substrat genüber Postive Spannung an.

Der P-Kanal jedoch Leitet ersteinmal, bis ich eine Postive Spannung an
sein Gate anlege.

Klar sollte man das Gate deswegen nicht offen lassen, aber ohne das ich
ein Postive Spannung am Gate anlege Leitet der eine Typ von alleine und
der Andere Typ sperrt.
Angehängte Dateien:
Gast #234148
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Oh je.... Hier ist die gesammte Unwissenheit versamelt...

Es gibt:

  - Mosfet (Metall-Oxid) / IGFet (Insulated-Gate)
  - JFet (Junction-Fet) auch bekannt als Sperschichtfet
  - Mesfet (Schottky-Fet) ist ein JFet mit Schottky-PN-Übergang

Jeden FET gibt es als N-Kanal oder P-Kanal. Der Kanaltyp hat nichts
mit selbstleitend oder selbstsperrend zu tun.

JFETs (und Mesfets) sind immer selbstleitend.

Mosfets gibt es als selbstsperrende und selbsleitende Ausführungen.

Das ergibt also folgende Möglichkeiten:

  - Mosfet, N-Kanal, selbstsperrend
  - Mosfet, P-Kanal, selbstsperrend

  - Mosfet, N-Kanal, selbstleitend
  - Mosfet, P-Kanal, selbstleitend

  - JFet (und Mesfet), N-Kanal, selbstleitend
  - JFet (und Mesfet), P-Kanal, selbstleitend
Gast #234150
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@Unbekannter

Schön, dass du das alles gelesen hast und du allwissend bist..

Jens, Läubi und Mr_Boertsch hat es schon gesagt es gibt auch
selbstleitend aber zum eigendlichem Thema konntest du dennoch keine
Antwort geben.

Welche Typen? was soll also dein Post (der eh nur eine Zusammenfassung
ist)
Anstatt Jens im Offtopic Forum zu kritisieren und beleidigen solltest
du die mal lieber an die eigene Nase fassen und lesen lernen bzw. mal
etwas Sozialkompetenz aneignen.
Gast #234156
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Leider weiss der grosse Unbekannte auch nicht alles.
Ich habe bis jetzt trotz intensiver Suche keinen selbstleitenden
P-Kanal-MosFET zu Gesicht bekommen (als Datenblatt oder sonsztigen
Existenznachweis).
Philips und Infineon stellen N-Kanal einige Kleinleistungs- Depletion
MOSFET her. Meines bescheidenen Halbwissens nach lassen sich P-Kanal
Verarmungs- MosFET nicht oder nur sehr schwer mit den üblichen
Prozessen herstellen.
Arno
Gast #1351320
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Ich finde die Tabelle von Unbekannter sehr übersichtlich und 
klarstellend. Auch der Hinweis das Kanaltyp und Leitungstyp voneinander 
unabhängige Sachen sind ist korrekt. Ich finde man sollte es anerkennen, 
wenn sich jemand auskennt. Nicht jeder macht sich die Mühe etwas lang 
und breit darzustellen, was für ihn selbstverständlich ist.
Konkret die Mos-Typen zu kennen, welche selbstleitend sind ist nochmal 
was anderes. Aber diese Antwort haben ja schon andere (jens, klaus f) 
gegeben.
Gast #1444526
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@Magnus Müller

warum tot? Wenn jemand googled, findet er die Seite, kann feststellen 
dass alles wichtige geschrieben ist und braucht nichts dazu zu 
schreiben.

Zum Inhalt: Die Übersicht vom Unbekannten ist nach meinem Kenntnisstand 
richtig und vollständig.
Die Angebote für die einzelnen Typen sind sehr unterschiedlich:
* selbstsperrende N-Kanal-Typen sind die große Masse in allen Größen
 (UGS pos lässt leiten)
* selbstsperrende P-Kanal-Typen gibt es deutlich weniger
 (UGS neg lässt leiten, bei vergleichbaren Typen höheren 
Durchlasswiderstand)
* selbstleitende N-Kanal-Typen ("depletion") gibt es nur wenige 
Kleinleistungstypen, zB. Supertex LND150N8 oder Infineon BSP129. Der NXP 
BSD22 ist abgekündigt. (UGS neg sperrt, UGS pos leitet noch besser)
* selbstleitende N-Kanal-Typen in disketer Form habe ich in meinen 30 
Berufsjahren noch nicht gesehen, auch wenn sie in 
Übersichtsdarstellungen von ca. 1970 als möglich auftauchten.
* Während die oben genannten MOSFET-Typen alle eine isoliertes Gate 
besitzen, pos und neg Spannungen verträgt, sind die Sperrschicht-Typen 
(JFET) aus einer Diode aufgebaut ist, die bei leitender Polung wie eine 
Diode in Durchlassrichtung Strom fließen lässt. Dieser Transistor ist 
auch selbstleitend. Mir ist nur DER Standardtyp BF245 bekannt.
Gast #1444881
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Auch wenn der Thread schon TOT ist,

ab und zu frage ich mich wie die leute eigentlich bauteile suchen. "Am 
Besten mal den Lieblingsdistri anrufen" wirds wohl nicht sein.

ALs wenn ich bei Digi-Key im Produktindex J-Fet anklicke bekomme ich > 
400 EIntrage von 4 versch. Herstellern, wo u.a. auch SmD's dabei sind.

Außerdem sind unter den RF-Fets soweit ich weiß jede Menge J-Fets.
#1444948
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Die Leute sind 20 Jahre zu spaet. In den 80ern konnte man noch den 
Distributor anrufen und konnte sich da von einem Ingenieur beraten 
lassen. Leider haben die Leute die Beratung genommen, dann aber aus 
Preisgruenden bei einem Broker gekauft. Diese Distributore wurden alle 
uebernommen, die Ingenieure flogen raus und jetzt ist ein(e) 
Ungelernte(r) da : Die Kundennummer, Teilenummer und Bestellnummer bitte 
?
Wie ich gerade mitbekomme ist die Zeit der Unglernten auch Zu ende. 
Spoerle und Sasco wurden von Arrow uebernommen. dh da gibt's 
wahrscheinlich nur noch einen Webshop.
Gast #1444995
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>Ich habe bis jetzt trotz intensiver Suche keinen selbstleitenden
>P-Kanal-MosFET zu Gesicht bekommen (als Datenblatt oder sonsztigen
>Existenznachweis).
Der Wissenschaft halber:
P-Kanal Verarmung   BSS92
N-Kanal Verarmung   BSP135
Gast #1445057
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P Kanal Verarmung kenne ich auch nur in der JFET-Variante. Als MOSFET 
wirds eng. Vermutlich sind die Dinger aber auch einfach zu langsam 
weshalb es dafür kaum Anwendungen gibt. Die Elektronenbeweglichkeit ist 
ja nun doch wesentlich höher als die Löcherbeweglichkeit. Gibts da 
Abhandlungen dazu warum es keine P Kanal Depletion MOSFETs gibt? Der 
genaue Grund würd mich mal interessieren.
#1445104
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@  Mini Troll (hacky)

>Die Leute sind 20 Jahre zu spaet. In den 80ern konnte man noch den
>Distributor anrufen und konnte sich da von einem Ingenieur beraten
>lassen.

Jaja, früher war alles besser. Ein Distri ist ein Bauteilgrosshändler, 
kein Ingenieurbüro oder Consultant.

>Spoerle und Sasco wurden von Arrow uebernommen. dh da gibt's
>wahrscheinlich nur noch einen Webshop.

Wenn der gescheit strukturiert ist und man ordentlich filtern kann ala 
Farnell/RS (auch wenn beide da noch Nachbesserungsbedarf haben), dann 
geht das in Ordnung.

MFG
Falk
Persönliche Seite #1445616
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Es klafft trotzdem eine Lücke zwischen Hochschulabgangswissen und 
verfügbaren Bauelementen am Markt. Da sind die Lehrlinge oft besser am 
Ball.


Es gab mal Leistungs-Verarmungstypen MOSFETs. Die Firma hat sie aber 
aufgegeben. Vermutlich ging die Marktdurchdringung nicht schnell genug. 
Ich meine Lovoltech.
Dann gibts noch ALD 'programmierbare' MOSFETs. Hier zu finden:
http://www.aldinc.com/ald_prodselguide.htm

Werden vermutlich während der Herstellung durch ein doppeltes Gate wie 
Flash-Speicher 'vorgespannt'.

Auf ICs integriert geht vermutlich mehr.


Warum gibt es hier offensichtlich keinerlei IC-Selbsthersteller im Pool 
so wie Platinen-Pools oder Verfahrenstechniker für Halbleiter? Wo 
treiben sich die Mitarbeiter von z.B. AMD nach Feierabend oder die wohl 
nun vielen arbeitslosen vom Infineon-Ableger rum?
#1445875
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Gast #1445906
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> In den 80ern konnte man noch den
> Distributor anrufen und konnte sich da von einem Ingenieur beraten
> lassen. Leider haben die Leute die Beratung genommen, dann aber aus
> Preisgruenden bei einem Broker gekauft

Kaum.
Sie haben genommen, was ihnen der nette Herr aufgeschwatzt hat, egal was 
es kostet und daß es nicht das optimale Bauteil war, sondern eben das 
was dem Herrn den grössten Profit einbrachte.

Solche 'Beratung' kann man sich heute als Hrsteller nicht mehr leisten, 
andere Hersteller sind klüger und verbauen nicht die aufgeschwatzen 
Bauteile, sondern bessere, billigere.

Das senkt den Bedarf an solchen 'Beratern'.

Ach übrigens: Die Kritik gilt bei jedem Verkäufer auch im Baumarkt.
Gast #4991330
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Hallo zusammen,

auch wenn dieser Thread schon lange abgeschlossen ist habe ich für alle 
die es interessiert hier noch die Ergänzung zu der Tabelle, die 
Unbekannter aufgestellt hat. Im Anhang finden sich dazu die Kennlinien 
der einzelnen MOSFET-Typen. Ich habe diese mit dem Tietze-Schenk 
abgeglichen und gehe daher mal davon aus, dass die nun von mir 
verbreitete Information korrekt ist.

Grüße
Max
Angehängte Dateien:
Gast #5702607
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Was ist denn das für eine wachsweiche Frage 13.5 Jahre nach Eröffnung 
des Threads?

Was willst Du denn wissen? Hast Du Dir schon mal die Produkte der oben 
erwähnten Hersteller angesehen?
https://ixapps.ixys.com/family.aspx?i=3

Die ursprüngliche Frage war: "Das Gehäuse müsste ein TO92 sein, später 
vielleicht SOT23. Der FET sollte ca. 200mA schalten können.
Könntet ihr mir bitte einen Typen nennen, der diese Eigenschaften
aufweist."

Im Link sind einige im SOT89 Gehäuse. In 13.5 Jahren sollte man es aber 
schaffen, das Layout von SOT23 auf SOT89 anzupassen.
#6986969
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Der Stand der Dinge ?
Es gibt sehr wenige Depletion Fets. Deren Zweck ist doch in erster Linie 
zusammen mit einem Widerstand eine Stromquelle zu bilden. Welche 
uebrigens sehr schnell ist. Ob P- oder N- ist doch eigentlich egal. Beim 
Einen ist der Widerstand oben, beim Anderen unten. Daher braucht's nur 
einen. Am liebsten mit hoher Spannungsfestigkeit. Damit kann man zB 
diskrete OpAmps mit Differenz Eingangsstufen von mehrenen 100V bauen. 
Die Geschwindigkeit der Stromquelle geht dann in die Bandbreite des 
OpAmps ein.
Gast #6987473
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Klaus F. schrieb:
> Inzwischen bei Microchip,
> den LND150 gibt es sogar bei Reichelt
Das ist nun so ziemlich der schwächste Typ den man finden kann. Max. 
Strom 1mA.
Wenn man bei Reichelt nach "depletion" sucht, findet man noch einige 
andere, z.B. BSP149, BSP129, DN3135K1-G.
Die sind noch nicht komplett ausgestorben und sind für manche Anwendung 
super einzusetzen. Auch wenn einige nicht verstehen wie man sie sinnvoll 
nutzen kann.
Gast #6987493
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Pandur S. schrieb:
> Der Stand der Dinge ?
> Es gibt sehr wenige Depletion Fets. Deren Zweck ist doch in erster Linie
> zusammen mit einem Widerstand eine Stromquelle zu bilden. Welche
> uebrigens sehr schnell ist. Ob P- oder N- ist doch eigentlich egal. Beim
> Einen ist der Widerstand oben, beim Anderen unten. Daher braucht's nur
> einen. Am liebsten mit hoher Spannungsfestigkeit. Damit kann man zB
> diskrete OpAmps mit Differenz Eingangsstufen von mehrenen 100V bauen.
> Die Geschwindigkeit der Stromquelle geht dann in die Bandbreite des
> OpAmps ein.

Viel Dank für die Antwort. :)
Gast #6987503
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Depletion schrieb:
> Klaus F. schrieb:
>> Inzwischen bei Microchip,
>> den LND150 gibt es sogar bei Reichelt
> Das ist nun so ziemlich der schwächste Typ den man finden kann. Max.
> Strom 1mA.
> Wenn man bei Reichelt nach "depletion" sucht, findet man noch einige
> andere, z.B. BSP149, BSP129, DN3135K1-G.
> Die sind noch nicht komplett ausgestorben und sind für manche Anwendung
> super einzusetzen. Auch wenn einige nicht verstehen wie man sie sinnvoll
> nutzen kann.

Vielen Dank! Hab mir gerade welche geholt für mein Projekt
(Firma: Schweigstill IT) Persönliche Seite #6987506
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Axel S. schrieb:
> Bauteile, die vor 17 Jahren obsolet waren, sind also immer noch obsolet.

Verarmungs-MOSFETs sind keineswegs obsolet, sondern es sind eben 
Bauteile für bestimmte Nischenanwendungen.

Gerade erst vor ein paar Monaten habe ich eine Baugruppe entwickelt, bei 
der es wichtig ist, dass die internen Elkos bzw. Supercaps nach dem 
Ausschalten recht zügig komplett entladen werden. Mit einem 
Verarmungs-MOSFET (BSP149) war dies sehr einfach zu realisieren, ohne 
dass ein Shunt dauerhaft Strom zieht.
Beitrag #7017676 wurde von einem Moderator gelöscht.
Beitrag #7325797 wurde von einem Moderator gelöscht.
Beitrag #7325804 wurde von einem Moderator gelöscht.
#7326173
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Jens G. schrieb:

Seit es GaN-Fets gibt, gibt's auch wieder reichlich selbstleitende Mosfets.

Wirklich? Werden die meisten aber nicht als Hybride mit einem selbstsperrenden N-Kanal MOSFET verbaut, damit die Gesamtkonstruktion wieder ein normaler selbstsperrender MOSFET wird? Zeig mal ein Datenblatt eines reinen, selbstleitenden GaN MOSFETs.

#7326395
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Falk B. schrieb:

Jens G. schrieb:

Seit es GaN-Fets gibt, gibt's auch wieder reichlich selbstleitende Mosfets.

Wirklich? Werden die meisten aber nicht als Hybride mit einem selbstsperrenden N-Kanal MOSFET verbaut, damit die Gesamtkonstruktion wieder ein normaler selbstsperrender MOSFET wird? Zeig mal ein Datenblatt eines reinen, selbstleitenden GaN MOSFETs.

Naja, war auch ein bißchen ironisch gemeint. Du hast schon recht, wenn es um Schaltanwendungen geht. Aber für HF-Zwecke gibt es schon schöne selbstleitende Monster ;-) Ach ja - der Begriff MOSFET war bei GaN wohl auch eher fehlplatziert. Sind ja keine MOS... (wenn es um den eigentlichen GaN-Fet geht)

#7327388
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Falk B. schrieb:

Wirklich? Werden die meisten aber nicht als Hybride mit einem selbstsperrenden N-Kanal MOSFET verbaut, damit die Gesamtkonstruktion wieder ein normaler selbstsperrender MOSFET wird? Zeig mal ein Datenblatt eines reinen, selbstleitenden GaN MOSFETs.

In einer AN habe ich als Grund dafür gelesen, dass es besser wäre einen aktiv zu schliessenden Schalter zu haben, als einen der beim Einschalten schon geschlossen ist. Zusätzliche Schutzmaßnahmen wären nötig. Dazu kommt noch: Was der Bauer nicht kennt...

Arno

#7327460
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Jörg B. schrieb:

In Siliciumcarbid gibt es sowas auch bis 1700V und bis 63A, siehe https://unitedsic.com/products/sic-jfets/uf3n170400b7s/

Interessantes Teil, aber Asufgabenstellung ebenfalls leicht verfehlt - ist nämlich auch kein Mosfet,

Arno H. schrieb:

Dazu kommt noch: Was der Bauer nicht kennt...

Das hat nichts mit dem nichtswissenden Bauern zu tun, sondern es ist einfach umständlicher, z.B. bei einem SNT mit einem selbstleitenden T dafür zu sorgen, daß er aktiv ausgeschaltet wird, solange das SNT noch im Startup ist. Genau so auch bei jeder µC-Mosfet-Kombination, wo immer brav empfohlen wird, einen R parallel zu G-S zu schalten, damit er beim Reset auch ja schön aus bleibt. Da ist ein selbstleitender T irgendwie ein bißchen Kontraproduktiv. Aber klar, es gibt sicherlich auch Anwendungen, wo man ein Normally-On-Verhalten möchte.

(Firma: Schweigstill IT) Persönliche Seite #7327646
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Jens G. schrieb:

Aber klar, es gibt sicherlich auch Anwendungen, wo man ein Normally-On-Verhalten möchte.

In einem aktuellen Produkt setze ich einen selbstleitenden MOSFET ein, um nach dem Ausschalten eines Gerät dafür zu sorgen, dass die Betriebsspannung zügig und sicher abgebaut wird, ohne durch einen daueraktiven Entladewiderstand den Energieverbrauch und die Erwärmung in die Höhe zu treiben. Es ist aber schon recht komisch, dass die Baugruppe im Normalbetrieb recht kühl bleibt, aber nach dem Abschalten für kurze Zeit deutlich handwarm wird. Die hohe Energie wird durch einen Doppelschichtkondensator als Kurzzeit-USV bereitgestellt. Würde aber dieser Kondensator nach Ende der Stützfunktion nicht zügig entladen werden, bliebe die Baugruppe womöglich tagelang in einem Schwebezustand zwischen ein- und ausgeschaltet. Durch den selbstleitenden MOSFET ist dann sichergestellt, dass auch der für die Steuerung verwendete Microcontroller schon nach kurzer Zeit keinen Saft mehr hat.

#7328235
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Jens G. schrieb:

Jörg B. schrieb:

In Siliciumcarbid gibt es sowas auch bis 1700V und bis 63A, siehe https://unitedsic.com/products/sic-jfets/uf3n170400b7s/

Interessantes Teil, aber Asufgabenstellung ebenfalls leicht verfehlt - ist nämlich auch kein Mosfet,

Auf einer Messe hat mir mal ein Chefentwickler von UniSic erklärt, das JFETs eigentlich einfacher zu bauen sind. Ein Vorteil muss auch sein, das es gut möglich sein soll, diese JFETs zu kaskadieren, so dass man auch Schalter von 10 kV, oder im Extremfall bis 40 kV bekommt. Das Standardprodukt ist aber ein Hybrid aus SiC-JFET und NiederspannungsMOSFET. Soll damit die einfache Ansteuerung eines MOSFET haben und gleichzeitig noch schneller schalten als ein normaler SiC.

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