Hallo Leute! Ich beginne gerade ein Projekt, in welchem ich einen selbstleitenden MOSFET N-Kanal benötige. Das Gehäuse müsste ein TO92 sein, später vielleicht SOT23. Der FET sollte ca. 200mA schalten können. Könntet ihr mir bitte einen Typen nennen, der diese Eigenschaften aufweist. Ich hätte schon bei einem Elektronikhändler nachgefragt, aber die haben nur selbstsperrende Typen und ohne Bezeichnung können die nichts machen. Danke Tschüss, Martin
Selbstleitende MOSFETS habe ich bisher noch nciht gesehen.. wurde es nicht reichen mit einem (pullup) widerstand das FET auf HIGH zu ziehen?? Gruss Jens
P-Kanal sind selbstleitend, N-Kanal Selbstsprerrend wenn ich das recht im Kopf habe.
falsch... ich habe noch nie mosfets gehoert, die "selbsthaltend" sind... überlegt doch einmal ein N-Mosfet leitet zB., wenn aufs GATE ein signal kommt, Source auf "GND" liegt und am DRAIN kann man dann gegen VCC die Last haenngen.. Ok, nun lege ich das Gate auf Drain, dann ist dies soch im Grunde auf VCC und leitet Ja, aber nur sehr kurtz, da das MOSFET direkt sperrt (Drain wird ja gleich gegen masse gezogen) von daher unwarscheinlich. ein MOSFET braucht zum Leiten immer eine Source Gate Spannung Gruss Jens
Aber ich habe in der Schule gelernt, dass es selbstperrende und selbstleitende MOSFETS gibt. Ich weiß sogar noch das Symbol. Nur habe ich in der Praxis noch keine gefunden. Nichteinmal unter Eagle gibt es das Symbol dafür. Gruß, Martin
Das ist auch richtig Martin. Es gibt selbstleitende und selbstsperrende mosfet - sowohl (also unabhängig von) n-, als auch p-kanal!
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Jens wenn du es nicht sicher weißt solltest du nicht sagen das es falsch ist! Weil ich z.B. nicht sicher bin hab ich geschrieben "wenn ich das recht im Kopf habe", weil ich mir so imemr die Option offen halte das ich mich irre, den irren ist Menschlich ;) Ich hab nochmal genauer nachgeschaut: "Man unterscheidet MOSFETs nach der Art der Dotierung des Halbleitermaterials, in dem (bei geeigneter Beschaltung) der leitende Kanal zwischen Drain und Source entsteht. Wir beginnen mit dem selbstsperrenden n-Kanal MOSFET, (enhancement mode n-channel MOSFET) dessen Aufbau im folgenden Bild zu sehen ist. Bild: n-Kanal-MOSFET, Aufbau der Schichten" (Bild im Anhang) "Der p-Kanal-MOSFET arbeitet analog. Hier wird allerdings das Gate negativ gegenüber Source und Substrat angesteuert. Dadurch wird am Rand der Isolationsschicht ein leitender p- Kanal aus Löchern gebildet, über den der Drainstrom fließen kann." (Systemorientierte Informatik I, www.uni-kiel.de) Heißt doch, das ein N-Kanal im Grunde seiner Natur Sperrt, es sei den ich lege eine dem Substrat genüber Postive Spannung an. Der P-Kanal jedoch Leitet ersteinmal, bis ich eine Postive Spannung an sein Gate anlege. Klar sollte man das Gate deswegen nicht offen lassen, aber ohne das ich ein Postive Spannung am Gate anlege Leitet der eine Typ von alleine und der Andere Typ sperrt.
Könnt ihr mir bitte ein paar Namen dieser selbstleitenden N-Kanal MOSFETS nennen? Die Leute im Elektronikgeschäft sind bei solchen Fragen meist hoffnungslos überfordert. Gruß, Martin
ok ok ich geb mich geschlagen aber dennoch hat dies nicht mit N-MOSFET / PMOSFET zu tun.. dies liegt an der dotierung der einzelnen Schichten nun kommt es wieder =) meinst du evtl so einen hier?? http://www.ortodoxism.ro/datasheets/philips/BF245A-B-C_2.pdf Gruss Jens
Wenn du den per TTL schaltest, wäre dann nicht auch ein TTL-Inverter möglich, oder geht das von der größe her nicht?
Oh je.... Hier ist die gesammte Unwissenheit versamelt... Es gibt: - Mosfet (Metall-Oxid) / IGFet (Insulated-Gate) - JFet (Junction-Fet) auch bekannt als Sperschichtfet - Mesfet (Schottky-Fet) ist ein JFet mit Schottky-PN-Übergang Jeden FET gibt es als N-Kanal oder P-Kanal. Der Kanaltyp hat nichts mit selbstleitend oder selbstsperrend zu tun. JFETs (und Mesfets) sind immer selbstleitend. Mosfets gibt es als selbstsperrende und selbsleitende Ausführungen. Das ergibt also folgende Möglichkeiten: - Mosfet, N-Kanal, selbstsperrend - Mosfet, P-Kanal, selbstsperrend - Mosfet, N-Kanal, selbstleitend - Mosfet, P-Kanal, selbstleitend - JFet (und Mesfet), N-Kanal, selbstleitend - JFet (und Mesfet), P-Kanal, selbstleitend
Nochmal Könnt ihr mir bitte ein paar Namen dieser selbstleitenden N-Kanal MOSFETS nennen? Gruß, Martin
@Unbekannter Schön, dass du das alles gelesen hast und du allwissend bist.. Jens, Läubi und Mr_Boertsch hat es schon gesagt es gibt auch selbstleitend aber zum eigendlichem Thema konntest du dennoch keine Antwort geben. Welche Typen? was soll also dein Post (der eh nur eine Zusammenfassung ist) Anstatt Jens im Offtopic Forum zu kritisieren und beleidigen solltest du die mal lieber an die eigene Nase fassen und lesen lernen bzw. mal etwas Sozialkompetenz aneignen.
Ich kenne da leider auch keine. Mein Tip: Am besten du guckst mal bei den führenden Halbleiter-Herstellern, wie z. B. Fairchild oder sowas.
An alle: Selbstleitende MOSFET nennt man auch "depletion MOSFET" An Martin: N-Channel Beispiel ist z.B. der BSP149 von Infineon http://www.infineon.com/upload/Document/BSP149_Rev1.1_G.pdf Der kann 600mA schalten, Package is SOT-233. In TO92 habe ich jetzt auf die Schnelle keinen gefunden... Grüße Christian
==> SUPERTEX Die Bauteile nennen sich "Verarmungs-Typ" bzw. "Depletion-Mode" FET. Gängige Typen sind LND150 (1mA) , DN3535 (200 mA) , DN2470 (500mA). Application: AN-D18.pdf (Supertex) Siehe auch: http://led-treiber.de/TT_10_2004.pdf
Hallo Klaus! Gibt es den DN3535 und den DN2470 auch in P-Kanal-Ausführung? Danke im Voraus Tschüss, Martin
Leider weiss der grosse Unbekannte auch nicht alles. Ich habe bis jetzt trotz intensiver Suche keinen selbstleitenden P-Kanal-MosFET zu Gesicht bekommen (als Datenblatt oder sonsztigen Existenznachweis). Philips und Infineon stellen N-Kanal einige Kleinleistungs- Depletion MOSFET her. Meines bescheidenen Halbwissens nach lassen sich P-Kanal Verarmungs- MosFET nicht oder nur sehr schwer mit den üblichen Prozessen herstellen. Arno
@Arno: Ja, manche Mosfets lassen sich in der Tat sehr schwer herstellen und sind deshalb (diskret) kaum erhältlich da auch kaum ein Markt dafür existiert, aber geben tut sie es. ;-)
Ich finde die Tabelle von Unbekannter sehr übersichtlich und klarstellend. Auch der Hinweis das Kanaltyp und Leitungstyp voneinander unabhängige Sachen sind ist korrekt. Ich finde man sollte es anerkennen, wenn sich jemand auskennt. Nicht jeder macht sich die Mühe etwas lang und breit darzustellen, was für ihn selbstverständlich ist. Konkret die Mos-Typen zu kennen, welche selbstleitend sind ist nochmal was anderes. Aber diese Antwort haben ja schon andere (jens, klaus f) gegeben.
@Magnus Müller
warum tot? Wenn jemand googled, findet er die Seite, kann feststellen
dass alles wichtige geschrieben ist und braucht nichts dazu zu
schreiben.
Zum Inhalt: Die Übersicht vom Unbekannten ist nach meinem Kenntnisstand
richtig und vollständig.
Die Angebote für die einzelnen Typen sind sehr unterschiedlich:
* selbstsperrende N-Kanal-Typen sind die große Masse in allen Größen
(UGS pos lässt leiten)
* selbstsperrende P-Kanal-Typen gibt es deutlich weniger
(UGS neg lässt leiten, bei vergleichbaren Typen höheren
Durchlasswiderstand)
* selbstleitende N-Kanal-Typen ("depletion") gibt es nur wenige
Kleinleistungstypen, zB. Supertex LND150N8 oder Infineon BSP129. Der NXP
BSD22 ist abgekündigt. (UGS neg sperrt, UGS pos leitet noch besser)
* selbstleitende N-Kanal-Typen in disketer Form habe ich in meinen 30
Berufsjahren noch nicht gesehen, auch wenn sie in
Übersichtsdarstellungen von ca. 1970 als möglich auftauchten.
* Während die oben genannten MOSFET-Typen alle eine isoliertes Gate
besitzen, pos und neg Spannungen verträgt, sind die Sperrschicht-Typen
(JFET) aus einer Diode aufgebaut ist, die bei leitender Polung wie eine
Diode in Durchlassrichtung Strom fließen lässt. Dieser Transistor ist
auch selbstleitend. Mir ist nur DER Standardtyp BF245 bekannt.
Auch wenn der Thread schon TOT ist, ab und zu frage ich mich wie die leute eigentlich bauteile suchen. "Am Besten mal den Lieblingsdistri anrufen" wirds wohl nicht sein. ALs wenn ich bei Digi-Key im Produktindex J-Fet anklicke bekomme ich > 400 EIntrage von 4 versch. Herstellern, wo u.a. auch SmD's dabei sind. Außerdem sind unter den RF-Fets soweit ich weiß jede Menge J-Fets.
Die Leute sind 20 Jahre zu spaet. In den 80ern konnte man noch den Distributor anrufen und konnte sich da von einem Ingenieur beraten lassen. Leider haben die Leute die Beratung genommen, dann aber aus Preisgruenden bei einem Broker gekauft. Diese Distributore wurden alle uebernommen, die Ingenieure flogen raus und jetzt ist ein(e) Ungelernte(r) da : Die Kundennummer, Teilenummer und Bestellnummer bitte ? Wie ich gerade mitbekomme ist die Zeit der Unglernten auch Zu ende. Spoerle und Sasco wurden von Arrow uebernommen. dh da gibt's wahrscheinlich nur noch einen Webshop.
>Ich habe bis jetzt trotz intensiver Suche keinen selbstleitenden >P-Kanal-MosFET zu Gesicht bekommen (als Datenblatt oder sonsztigen >Existenznachweis). Der Wissenschaft halber: P-Kanal Verarmung BSS92 N-Kanal Verarmung BSP135
Leider hat die Wissenschaft (wie üblich?) nur zur Hälfte recht. Den BSS92 beschreiben die Hersteller im Gegensatz zu dir als Anreicherungstyp. Arno
P Kanal Verarmung kenne ich auch nur in der JFET-Variante. Als MOSFET wirds eng. Vermutlich sind die Dinger aber auch einfach zu langsam weshalb es dafür kaum Anwendungen gibt. Die Elektronenbeweglichkeit ist ja nun doch wesentlich höher als die Löcherbeweglichkeit. Gibts da Abhandlungen dazu warum es keine P Kanal Depletion MOSFETs gibt? Der genaue Grund würd mich mal interessieren.
@ Mini Troll (hacky) >Die Leute sind 20 Jahre zu spaet. In den 80ern konnte man noch den >Distributor anrufen und konnte sich da von einem Ingenieur beraten >lassen. Jaja, früher war alles besser. Ein Distri ist ein Bauteilgrosshändler, kein Ingenieurbüro oder Consultant. >Spoerle und Sasco wurden von Arrow uebernommen. dh da gibt's >wahrscheinlich nur noch einen Webshop. Wenn der gescheit strukturiert ist und man ordentlich filtern kann ala Farnell/RS (auch wenn beide da noch Nachbesserungsbedarf haben), dann geht das in Ordnung. MFG Falk
Es klafft trotzdem eine Lücke zwischen Hochschulabgangswissen und verfügbaren Bauelementen am Markt. Da sind die Lehrlinge oft besser am Ball. Es gab mal Leistungs-Verarmungstypen MOSFETs. Die Firma hat sie aber aufgegeben. Vermutlich ging die Marktdurchdringung nicht schnell genug. Ich meine Lovoltech. Dann gibts noch ALD 'programmierbare' MOSFETs. Hier zu finden: http://www.aldinc.com/ald_prodselguide.htm Werden vermutlich während der Herstellung durch ein doppeltes Gate wie Flash-Speicher 'vorgespannt'. Auf ICs integriert geht vermutlich mehr. Warum gibt es hier offensichtlich keinerlei IC-Selbsthersteller im Pool so wie Platinen-Pools oder Verfahrenstechniker für Halbleiter? Wo treiben sich die Mitarbeiter von z.B. AMD nach Feierabend oder die wohl nun vielen arbeitslosen vom Infineon-Ableger rum?
IXYS hat Leistungstypen, ein IDss von 20Ampere hat doch was. http://www.ixys.com/Product_portfolio/products_link.asp?framepage=ixyspower_contact.htm&framepage1=http%3A%2F%2Fwww.ixyspower.com%2Fstore%2FFamily.aspx%3Fi%3D3 und die kleineren von Clare: http://www.ixys.com/Product_portfolio/products_link.asp?framepage=clare_contact.htm&framepage1=http://www.clare.com/products/FET.htm Alle mit mehreren hundert V Sperrspannung und keine P-Kanal. Supertex hat auch einige: http://www.supertex.com/pdf/misc/d_mode_mosfets_SG_device.pdf Gaxxx RF-MOSFETs sind oft auch Depletion-Mode. Arno
> In den 80ern konnte man noch den > Distributor anrufen und konnte sich da von einem Ingenieur beraten > lassen. Leider haben die Leute die Beratung genommen, dann aber aus > Preisgruenden bei einem Broker gekauft Kaum. Sie haben genommen, was ihnen der nette Herr aufgeschwatzt hat, egal was es kostet und daß es nicht das optimale Bauteil war, sondern eben das was dem Herrn den grössten Profit einbrachte. Solche 'Beratung' kann man sich heute als Hrsteller nicht mehr leisten, andere Hersteller sind klüger und verbauen nicht die aufgeschwatzen Bauteile, sondern bessere, billigere. Das senkt den Bedarf an solchen 'Beratern'. Ach übrigens: Die Kritik gilt bei jedem Verkäufer auch im Baumarkt.
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Hallo zusammen, auch wenn dieser Thread schon lange abgeschlossen ist habe ich für alle die es interessiert hier noch die Ergänzung zu der Tabelle, die Unbekannter aufgestellt hat. Im Anhang finden sich dazu die Kennlinien der einzelnen MOSFET-Typen. Ich habe diese mit dem Tietze-Schenk abgeglichen und gehe daher mal davon aus, dass die nun von mir verbreitete Information korrekt ist. Grüße Max
Guten Morgen, wir schreiben jetzt das Jahr 2019.. Wie ist jetzt der Stand der Dinge ??? Schönen Sonntag
Volli schrieb: > Guten Morgen, > > wir schreiben jetzt das Jahr 2019.. > > Wie ist jetzt der Stand der Dinge ??? > > Schönen Sonntag Zu dumm oder zu faul zum Suchen?
Was ist denn das für eine wachsweiche Frage 13.5 Jahre nach Eröffnung des Threads? Was willst Du denn wissen? Hast Du Dir schon mal die Produkte der oben erwähnten Hersteller angesehen? https://ixapps.ixys.com/family.aspx?i=3 Die ursprüngliche Frage war: "Das Gehäuse müsste ein TO92 sein, später vielleicht SOT23. Der FET sollte ca. 200mA schalten können. Könntet ihr mir bitte einen Typen nennen, der diese Eigenschaften aufweist." Im Link sind einige im SOT89 Gehäuse. In 13.5 Jahren sollte man es aber schaffen, das Layout von SOT23 auf SOT89 anzupassen.
BSS159 sollte passen. Hersteller wie Supertex und IXYS sind inzwischen bei Microchip und Littelfuse gelandet. Im Anhang ist auch mal die mangelnde Verfügbarkeit von P-Depletion MOSFET dokumentiert. Der Autor wurde hier auch schon lobend erwähnt. Arno
Der Stand der Dinge ? Es gibt sehr wenige Depletion Fets. Deren Zweck ist doch in erster Linie zusammen mit einem Widerstand eine Stromquelle zu bilden. Welche uebrigens sehr schnell ist. Ob P- oder N- ist doch eigentlich egal. Beim Einen ist der Widerstand oben, beim Anderen unten. Daher braucht's nur einen. Am liebsten mit hoher Spannungsfestigkeit. Damit kann man zB diskrete OpAmps mit Differenz Eingangsstufen von mehrenen 100V bauen. Die Geschwindigkeit der Stromquelle geht dann in die Bandbreite des OpAmps ein.
Unbekannt schrieb: > Ich habe momentan keine Depletion Fets, diese finde ich auch nirgends. Schlimm! Bauteile, die vor 17 Jahren obsolet waren, sind also immer noch obsolet. Und das obwohl jemand die Thread-Leiche ausgebuddelt hat. Wer hätte das gedacht! Wer hätte das denken können!!1!elf
Unbekannt schrieb: > Ich habe momentan keine Depletion Fets, diese finde ich auch nirgends. Beitrag "Re: Selbstleitende MOSFETS" Inzwischen bei Microchip, den LND150 gibt es sogar bei Reichelt
Klaus F. schrieb: > Inzwischen bei Microchip, > den LND150 gibt es sogar bei Reichelt Das ist nun so ziemlich der schwächste Typ den man finden kann. Max. Strom 1mA. Wenn man bei Reichelt nach "depletion" sucht, findet man noch einige andere, z.B. BSP149, BSP129, DN3135K1-G. Die sind noch nicht komplett ausgestorben und sind für manche Anwendung super einzusetzen. Auch wenn einige nicht verstehen wie man sie sinnvoll nutzen kann.
Pandur S. schrieb: > Der Stand der Dinge ? > Es gibt sehr wenige Depletion Fets. Deren Zweck ist doch in erster Linie > zusammen mit einem Widerstand eine Stromquelle zu bilden. Welche > uebrigens sehr schnell ist. Ob P- oder N- ist doch eigentlich egal. Beim > Einen ist der Widerstand oben, beim Anderen unten. Daher braucht's nur > einen. Am liebsten mit hoher Spannungsfestigkeit. Damit kann man zB > diskrete OpAmps mit Differenz Eingangsstufen von mehrenen 100V bauen. > Die Geschwindigkeit der Stromquelle geht dann in die Bandbreite des > OpAmps ein. Viel Dank für die Antwort. :)
Depletion schrieb: > Klaus F. schrieb: >> Inzwischen bei Microchip, >> den LND150 gibt es sogar bei Reichelt > Das ist nun so ziemlich der schwächste Typ den man finden kann. Max. > Strom 1mA. > Wenn man bei Reichelt nach "depletion" sucht, findet man noch einige > andere, z.B. BSP149, BSP129, DN3135K1-G. > Die sind noch nicht komplett ausgestorben und sind für manche Anwendung > super einzusetzen. Auch wenn einige nicht verstehen wie man sie sinnvoll > nutzen kann. Vielen Dank! Hab mir gerade welche geholt für mein Projekt
Axel S. schrieb: > Bauteile, die vor 17 Jahren obsolet waren, sind also immer noch obsolet. Verarmungs-MOSFETs sind keineswegs obsolet, sondern es sind eben Bauteile für bestimmte Nischenanwendungen. Gerade erst vor ein paar Monaten habe ich eine Baugruppe entwickelt, bei der es wichtig ist, dass die internen Elkos bzw. Supercaps nach dem Ausschalten recht zügig komplett entladen werden. Mit einem Verarmungs-MOSFET (BSP149) war dies sehr einfach zu realisieren, ohne dass ein Shunt dauerhaft Strom zieht.
Unbekannt schrieb: > Kannst du mir einen besseren empfehlen? Gegenfragen: Kannst Du (nicht) lesen? Kannst Du (nicht) suchen?
Al-Anon schrieb: > Unbekannt schrieb: >> Kannst du mir einen besseren empfehlen? > > Gegenfragen: Kannst Du (nicht) lesen? Kannst Du (nicht) suchen? Doch mir wurde aber zunächst nichts angezeigt.
Unbekannt schrieb: > Al-Anon schrieb: >> Unbekannt schrieb: >>> Kannst du mir einen besseren empfehlen? >> >> Gegenfragen: Kannst Du (nicht) lesen? Kannst Du (nicht) suchen? > > Doch mir wurde aber zunächst nichts angezeigt. Seite Neustarten Hilft!
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Beitrag #7325804 wurde von einem Moderator gelöscht.
Verarmungstypen gibt es auch für 1000V und 1,6A: IXTY1R6N100D2 https://www.mouser.de/ProductDetail/IXYS/IXTY1R6N100D2?qs=6UKyFUzHTlnus6Y%252BjFQc7w%3D%3D
Hi, such mal nach "Depletion N-Channel MOSFET". DN1509K1-G könnte passen: https://www.mouser.de/ProductDetail/Microchip-Technology/DN1509K1-G?qs=rQCxX1QmdjI47ijS5ywstg%3D%3D
Seit es GaN-Fets gibt, gibt's auch wieder reichlich selbstleitende Mosfets.
Jens G. schrieb: > Seit es GaN-Fets gibt, gibt's auch wieder reichlich selbstleitende > Mosfets. Wirklich? Werden die meisten aber nicht als Hybride mit einem selbstsperrenden N-Kanal MOSFET verbaut, damit die Gesamtkonstruktion wieder ein normaler selbstsperrender MOSFET wird? Zeig mal ein Datenblatt eines reinen, selbstleitenden GaN MOSFETs.
Falk B. schrieb: > Jens G. schrieb: >> Seit es GaN-Fets gibt, gibt's auch wieder reichlich selbstleitende >> Mosfets. > > Wirklich? Werden die meisten aber nicht als Hybride mit einem > selbstsperrenden N-Kanal MOSFET verbaut, damit die Gesamtkonstruktion > wieder ein normaler selbstsperrender MOSFET wird? Zeig mal ein > Datenblatt eines reinen, selbstleitenden GaN MOSFETs. Naja, war auch ein bißchen ironisch gemeint. Du hast schon recht, wenn es um Schaltanwendungen geht. Aber für HF-Zwecke gibt es schon schöne selbstleitende Monster ;-) Ach ja - der Begriff MOSFET war bei GaN wohl auch eher fehlplatziert. Sind ja keine MOS... (wenn es um den eigentlichen GaN-Fet geht)
:
Bearbeitet durch User
In Siliciumcarbid gibt es sowas auch bis 1700V und bis 63A, siehe https://unitedsic.com/products/sic-jfets/uf3n170400b7s/
Falk B. schrieb: > Wirklich? Werden die meisten aber nicht als Hybride mit einem > selbstsperrenden N-Kanal MOSFET verbaut, damit die Gesamtkonstruktion > wieder ein normaler selbstsperrender MOSFET wird? Zeig mal ein > Datenblatt eines reinen, selbstleitenden GaN MOSFETs. In einer AN habe ich als Grund dafür gelesen, dass es besser wäre einen aktiv zu schliessenden Schalter zu haben, als einen der beim Einschalten schon geschlossen ist. Zusätzliche Schutzmaßnahmen wären nötig. Dazu kommt noch: Was der Bauer nicht kennt... Arno
Jörg B. schrieb: > In Siliciumcarbid gibt es sowas auch bis 1700V und bis 63A, siehe > https://unitedsic.com/products/sic-jfets/uf3n170400b7s/ Interessantes Teil, aber Asufgabenstellung ebenfalls leicht verfehlt - ist nämlich auch kein Mosfet, Arno H. schrieb: > Dazu kommt noch: Was der Bauer nicht kennt... Das hat nichts mit dem nichtswissenden Bauern zu tun, sondern es ist einfach umständlicher, z.B. bei einem SNT mit einem selbstleitenden T dafür zu sorgen, daß er aktiv ausgeschaltet wird, solange das SNT noch im Startup ist. Genau so auch bei jeder µC-Mosfet-Kombination, wo immer brav empfohlen wird, einen R parallel zu G-S zu schalten, damit er beim Reset auch ja schön aus bleibt. Da ist ein selbstleitender T irgendwie ein bißchen Kontraproduktiv. Aber klar, es gibt sicherlich auch Anwendungen, wo man ein Normally-On-Verhalten möchte.
Jens G. schrieb: > Aber klar, es gibt sicherlich auch Anwendungen, wo man ein > Normally-On-Verhalten möchte. In einem aktuellen Produkt setze ich einen selbstleitenden MOSFET ein, um nach dem Ausschalten eines Gerät dafür zu sorgen, dass die Betriebsspannung zügig und sicher abgebaut wird, ohne durch einen daueraktiven Entladewiderstand den Energieverbrauch und die Erwärmung in die Höhe zu treiben. Es ist aber schon recht komisch, dass die Baugruppe im Normalbetrieb recht kühl bleibt, aber nach dem Abschalten für kurze Zeit deutlich handwarm wird. Die hohe Energie wird durch einen Doppelschichtkondensator als Kurzzeit-USV bereitgestellt. Würde aber dieser Kondensator nach Ende der Stützfunktion nicht zügig entladen werden, bliebe die Baugruppe womöglich tagelang in einem Schwebezustand zwischen ein- und ausgeschaltet. Durch den selbstleitenden MOSFET ist dann sichergestellt, dass auch der für die Steuerung verwendete Microcontroller schon nach kurzer Zeit keinen Saft mehr hat.
Jens G. schrieb: > Jörg B. schrieb: >> In Siliciumcarbid gibt es sowas auch bis 1700V und bis 63A, siehe >> https://unitedsic.com/products/sic-jfets/uf3n170400b7s/ > > Interessantes Teil, aber Asufgabenstellung ebenfalls leicht verfehlt - > ist nämlich auch kein Mosfet, Auf einer Messe hat mir mal ein Chefentwickler von UniSic erklärt, das JFETs eigentlich einfacher zu bauen sind. Ein Vorteil muss auch sein, das es gut möglich sein soll, diese JFETs zu kaskadieren, so dass man auch Schalter von 10 kV, oder im Extremfall bis 40 kV bekommt. Das Standardprodukt ist aber ein Hybrid aus SiC-JFET und NiederspannungsMOSFET. Soll damit die einfache Ansteuerung eines MOSFET haben und gleichzeitig noch schneller schalten als ein normaler SiC.
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