Ersatz-Transistor für Schweißgerät

Maxim Gast #7355566
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Tagchen,

bei einem Schweißgerät ist ein Leistungstransistor MBQ60T65PES durchgebrannt, der nur schwer zu bekommen ist: https://www.magnachip.com/wp-content/uploads/2020/10/MBQ60T65PES-2.pdf

Nach langem Suchen habe ich vielleicht eine mögliche Alternative FGH60N60SMD gefunden: https://www.onsemi.com/pdf/datasheet/fgh60n60smd-d.pdf

Auf der Platine sind mehrere Transistoren parallel geschaltet, das wird im Datenblatt der Alternative ausdrücklich erlaubt.

Obwohl die Daten recht ähnlich aussehen, bin ich mir doch nicht ganz sicher. Was meint ihr, könnte ich es mit der Alternative versuchen oder habe ich einen wesentlichen Unterschied übersehen?

Vielen Dank Euch!

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Maxim Gast #7355688
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Danke für die Links.

Verstehe ich das richtig, dass der FGH60T65SHD von ON Semi der genau passende Ersatz wäre? Leider finde ich den aber auch nur in Angeboten aus Fernost mit entsprechend langer Lieferzeit.

In welchen Punkten passt der FGH60N60SMD nicht?

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Rentner Ost Gast #7355721
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Wenn ein Austauschtyp verwendet wird müssen alle der parallelgeschalteten Transistoren gewechselt werden. Diese sollten alle vom gleichen Hersteller und möglichst aus der selben Charge stammen.

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Maxim Gast #7355937
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Verstehe. Also wäre der neuere FGH60T65SHD von ON-Semiconductor ein passender Ersatz für den originalen MBQ60T65PES. Danke dafür!

Beim Transistor FGH60T65SHD von On-Semi steht auch explizit drin, dass er für Parallelschaltung geeignet ist. Das finde ich im Datenblatt vom originalen MBQ60T65PES nicht.

Oder hat jeder IGBT einen "Positive Temperature Co−efficient for Easy Parallel Operation", auch wenn es nicht im Datenblatt steht?

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H. H. Gast #7355963
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Maxim schrieb:

Also wäre der neuere FGH60T65SHD von ON-Semiconductor ein passender Ersatz für den originalen MBQ60T65PES.

Noch immer nicht.

Oder hat jeder IGBT einen "Positive Temperature Co−efficient for Easy Parallel Operation", auch wenn es nicht im Datenblatt steht?

Kann man an der Kennlinie erkennen, er muss positiven TK haben.

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Maxim Gast #7356066
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Danke für die pdf-Datei, da scheint das ganz gut erklärt zu sein, auch wenn ich nicht alles verstehe. Aber offensichtlich hängt es auch von der Gate-Spannung ab, welchen Temperaturkoeffizient man hat.

Jetzt muss ich also erst einmal die Gate-Spannung bestimmen und dann mit den Diagrammen aus dem Datenblatt des originalen Transistors versuchen, den Temperaturkoeffizienten ablesen.

Wenn die Kurve für eine bestimmte Gate-Spannung fällt, ist es gut, wenn sie steigt eher nicht.

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