Ich habe Schwierigkeiten, die physikalischen Zusammenhänge bei Metalloxid-Halbleiter-Übergangssteuerung durch Gate zu verstehen.
Also pn-Übergang/Dotierung/Verarmungszone und dessen Entstehung verstehe ich.
Nun soll bei MOS auf p-Substrat nochmal ein Dielektrikum gelegt werden, um es dann mit einer zusätzlichen Leiterschicht drauf (Metall) zu steuern, indem in der Grenzzone vom p-Substrat eine "Elektronen-Inverse-Schicht" erzeugt wird, der den Leitungskanal zwischen zwei n-Substraten bildet. Genau hier stehe ich aufm Schlauch. Ich verstehe die ganzen Grafiken zur Verschiebung der Bänder (Verflachung etc.) nicht (wie z.B. in dieser Wikipage https://en.wikipedia.org/wiki/Field_effect_(semiconductor).
Mein Skript sagt im Wortlaut:
"Wird die Gatespannung VG bis zu dem Punkt erhöht, an dem an der Si-SiO2- Grenzfläche folgende Bedingung gilt: ψS=2ϕF (1.46) bedeutet dies, dass die Elektronendichte an der Grenzfläche genauso groß ist wie die Löcherdichte, die durch Dotierung im Silizium-Substrat vorhanden wäre. Da diese Elektronen sich an der Grenzfläche ansammeln können, dehnt sich die Raumladungszone kaum noch aus und erreicht eine maximale Ausdehnung... Stattdessen werden nun Elektronen, die durch Generationsprozesse im Substrat entstehen, an der Grenzfläche angereichert. Da hierdurch der ursprüngliche Ladungsträgertyp in einer dünnen Schicht und dem Gateoxid umgekehrt wird, nennt man diesen Zustand Inversion."
Wie entsteht diese Inversion? Wird jetzt also aus dem P-Substrat in der Grenzfläche n-Substrat? Sind diese ganzen Grafiken 2D und entsteht das erst an den Rändern? Was hat das Verhältnis der Gate-Source Spannung und Drain-Source Spannung mit der Entstehung (Breite?) der Inversionsschicht zu tun? Was geht hier ab!?
Traut sich jemand zu, diesen Effekt für Strohdummies wie mich zu erklären?