Hallo,
mir fehlt das Fachwissen, deshalb frage ich hier.
Ich habe die angehängte Schaltung gebastelt und möchte sie gerne "optimieren". Bei der 48 Volt-Version nimmt der TLV431 bei Erreichen des Schaltpunkes die positive Vorspannung vom Gate des N-Channel Mosfet weg und dieser sperrt den Minus-Ausgang.
Bei der 5 Volt-Version das Gleiche, nur mit dem TL431.
Ich habe es mit den paar N-Channel Mosfets ausprobiert, die ich hier vorrätig habe und bei einigen Typen funktioniert es nicht. Bei anderen hingegen tadellos auf Steckboard und auch auf Platine.
Ich kann zwar die Datenblätter lesen, aber mit fehlt das Fachwissen. Auf welche Eigensachften des Mosfet müsste ich bei der Auswahl achten?
Der zu schaltende Strom liegt nur bei etwa 500 mA.
Die LogicLevel-Typen (die mit dem "L" im Namen) funktionieren nicht, weil der TL431 die A-K-Spannung nicht unter 2,5V ziehen kann und die Transistoren deswegen nicht abschalten.
Das nächste Mal bitte einen gut lesbaren Schaltplan anhängen.
Beachten sollte man, daß die Gate-Schwellspannung mit steigender Temperatur sinkt. Es kann also passieren, daß im Sommer der FET nicht richtig abschaltet.
Im Klartext, diese Schaltung ist großer Murks.
weil der TL431 die A-K-Spannung nicht unter 2,5V ziehen kann
Vielleicht kann er`s doch, jedenfalls kann in der Simulation mit dem verschlüsselten Modell von TI die A-K-Spannung auch unter 2,5V gezogen werden wenn man den Ref-Eingang unabhängig steuert.
Im Datenblatt habe ich keine Infos zu dieser Betriebsart gefunden und auch das Simulationsmodel ist mit Vorsicht zu betrachten, da andere Eigenschaften nicht mit der Realität zusammenpassen.
Ich würde da auf jeden Fall ein weniger analoges "Schaltglied" als einen Mosfet einsetzen. Z.B. ändert sich die Ube eines bipolaren Transitors über die Temperatur viel weniger.
Ich habe es mit den paar N-Channel Mosfets ausprobiert, die ich hier
vorrätig habe und bei einigen Typen funktioniert es nicht. Bei anderen
hingegen tadellos
Und wir sollen jetzt raten, welche Mosfets du verwendet hast und wie dich sich in deiner Schaltung verhalten?
Auf welche Eigensachften des Mosfet müsste ich bei der Auswahl achten?
Um was zu erreichen?
BTW: es ist generell eine schlechte Idee, die Masse abzuschalten. Das fällt einem früher oder später auf den Kopf.
Habe gerade gesehen, daß laut TL431-Innenschaltung die Kathode von der Referenzspannung mit hochgezogen wird, weil die Basis-Kollektor-Diode des Transistors am Ref-Eingang leitend wird, wenn die Ref-Spannung > Kathodenspannung + 0,6V ist. Die Schaltung sollte sich etwa so wie im Bild verhalten. Das Simulationsmodell taugt also nichts.
Vielleicht kann er`s doch, jedenfalls kann in der Simulation mit dem
verschlüsselten Modell von TI die A-K-Spannung auch unter 2,5V gezogen
werden wenn man den Ref-Eingang unabhängig steuert.
Nur soweit, bis er sich über die BC-Diode des Eingangstransistors die Spannung an REF selber runter zieht.
Es gibt doch fertige Überwachungs-ICs mit internem FET.
So mal auf die Schnelle gefunden, TPS26630:
• 4.5-V to 60-V operating voltage
• Integrated 60-V, 31-mΩ RON hot-swap FET
• Reverse polarity protection and reverse current
blocking support with an external N-channel FET
• 0.6-A to 6-A adjustable current limit (± 7%)
• Adjustable UVLO, OVP Cut Off, output slew rate
control for inrush current limiting
Die Schaltung sollte sich etwa so wie im Bild verhalten
Ähm, besser nicht, negativer Widerstand.
Aber wenn der TL431 wegen Erreichen von 2.5V an Ref die Kathode durchschaltet, sinkt diese nur bs 1.8V weil sie ab dann beginnt, über die interne Diode von Ref nach K den Spannungsteiler an Ref nicht über 2.5V kommen zu lassen.
Aber wenn der TL431 wegen Erreichen von 2.5V an Ref die Kathode
durchschaltet, sinkt diese nur bs 1.8V weil sie ab dann beginnt, über
die interne Diode von Ref nach K den Spannungsteiler an Ref nicht über
2.5V kommen zu lassen.
Ja, aber nur wenn die Spannung an Ref genügend hochohmig aus der Sicht des TL431 ist.
Mit den eingangs schon erfolgten Hinweisen von Julian und Arno ist für mich alles geklärt. Damit nicht der Eindruck von Desinteresse meinerseits entsteht.
Peter D.
Danke für den Link. Das kann ich wegen SMD nicht brauchen. Das muss auch nicht so komfortabel sein. Wenn Du noch etwas in THT weißt, würde mir das helfen.
BTW: es ist generell eine schlechte Idee, die Masse abzuschalten. Das
fällt einem früher oder später auf den Kopf.
So selten ist das nicht. Das macht praktische jedes LiIon Schutz-IC. Zum Beispiel der allgegenwärtige DW01.
Wegen der Body-Diode von Mosfets werden dabei typischerweise zwei N-Mosfets antiseriell verwendet - oder ein Dual N-Mosfet wie der 8205A (zwei interne N-Mosfets mit verbundenen Drains).
N-Mosfets sind halt billig und so einfach anzusteuern.
So selten ist das nicht. Das macht praktische jedes LiIon Schutz-IC. Zum
Beispiel der allgegenwärtige DW01.
Ist aber ziemlich blöd.
Wenn ich zum Beispiel meinen portablen MP3 Player an der USB Buchse meines Fernsehers auflade, und den analogen Ton über mit meiner HiFi Anlage wiedergebe, dann habe ich die Schutz-Schaltung faktisch überbrückt.
Rechnet man mit so etwas? Nein! Das ist typischer China-Schrott.
So selten ist das nicht. Das macht praktische jedes LiIon Schutz-IC. Zum
Beispiel der allgegenwärtige DW01.
Ist aber ziemlich blöd.
Wenn ich zum Beispiel meinen portablen MP3 Player an der USB Buchse
meines Fernsehers auflade, und den analogen Ton über mit meiner HiFi
Anlage wiedergebe, dann habe ich die Schutz-Schaltung faktisch
überbrückt.
Der DW01 trennt üblicherweise den Minuspol des Akkus vom GND des versorgten Gerätes. Welche weiteren Geräte da noch über GND zusammenhängen ist belanglos und ändert nichts an der Schutzwirkung.
