Guten Tag werte HF-Magier,
ich habe nun sehr viele Designs angeschaut und Material durchgelesen, doch wird die Verwirrung bei mir nur grösser - meine Kompetenz scheint nicht auszureichen um bewerten zu können, welche Informationen nun richtig und welche irreführend sind.
Könnt ihr bitte die zwei angehängten Beispiele bewerten: Bei der LTE ANT bin ich mit meiner Berechnung unsicher geworden, da die grossen Pads des Matching Circuits doch wie Stubs funktionieren und meine Impedanz durcheinander bringen, ganz abgesehen davon, dass das Verhältnis von Gap zu Pad/Track ja auch durcheinander gebracht wird.
Im Dokument "Antenna Design and RF Layout Guidelines" von Infineon/Cypress (Seite 44) habe ich gelesen, dass bei CPWG auch darauf geachtet werden sollte, dass der Gap zwischen den beiden Ground-Flächen auf Top nicht grösser sein darf als das Substrat dick ist, weil es sich sonst nicht gross von einem Microstrip unterscheiden würde und meine Berechnung sowieso falsch wäre.
Bei der NPU ANT habe ich zur Unterscheidung eine grössere Maskenfreistellung und "Taper" bzw. Teardrops eingefügt - warum auch immer, bitte belehrt mich ob das nun gut oder schlecht ist.
Wann sollte ich nur den Leiter freistellen und wann auch die Ground-Planes?
Darf ich als Referenz auch den Layer IN3 verwenden um eine höhere Dicke des Substrats zu erreichen, um dann den Gap verkleinern zu können?
Wie breit sollten die Ground-Flächen auf Top sein?
Sollte ich wie im Stackup beschrieben einfach mit 395um Microstrips fortfahren und wenn ja, wie steht es um Crosstalk (dichtes Board)?
Stimmt es, dass Thermal Reliefs bei der SMA-Buchse vermieden werden sollten oder darf ich das vernachlässigen (Handlöten)?
Ich habe noch viel mehr Fragen aber will den Beitrag jetzt nicht noch mehr aufblasen...
Vielen Dank im Voraus








