Hallo zusammen,
ich möchte einen ESP32 aus dem Deep-Sleep aufwecken, sobald eine überwachte Spannung (0–3,3 V) unter ca. 2,7 V fällt. Der Wake-up erfolgt über EXT0 (RTC GPIO, Wake on LOW).
Ich habe dazu folgende einfache Schaltung vorgesehen (ohne Zenerdiode, ohne Komparator):
BC327 (PNP)
Emitter an 3,3 V
Basis über 47 kΩ an VIN (0–3,3 V)
Kollektor an ESP32 RTC-GPIO
100 kΩ Pull-up vom GPIO nach 3,3 V
Gedanke dahinter:
Bei VIN > ~2,7 V ist der Transistor aus → GPIO = HIGH
Bei VIN < ~2,6–2,7 V wird V_BE leitend → Transistor zieht den GPIO auf LOW → ESP32 wacht auf
Mir ist bewusst:
Die Schaltschwelle ist nur näherungsweise durch V_BE definiert
Temperatur- und Bauteilstreuung spielen eine Rolle
Keine Hysterese vorhanden
Fragen:
Funktioniert diese Schaltung grundsätzlich so, wie gedacht?
Reicht das LOW-Level am GPIO (≈0,2 V) sicher für EXT0?
Seht ihr Probleme mit Leckströmen oder Fehltriggern im Deep-Sleep?
Würdet ihr statt dessen zwingend einen Komparator (z. B. TLV3691) empfehlen?
Vielen Dank für eure Einschätzung!
Viele Grüße
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wakeup.jpg
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