Spannungsteiler an Gate von NMOS

F. P. schrieb:

So geht doch wertvolle Spannung verloren

Ja, etwa ein Tausendstel. Wenn das Bisschen in deiner Schaltung irgend einen Effekt hat, dann hast du etwas dramatisch falsch gemacht.

Schau dir lieber mal das Toleranzfenster von UGSth an, und wie stark sie von der Temperatur abhängt.

Warum macht das keiner so wie in 1.png?

Deine Frage enthält eine falsche Behauptung: dass es niemand so macht. Das stimmt einfach nicht. Aber wenn es so wäre, wäre es völlig egal.

Tut man Zucker in den Kaffee oder gießt man den Kaffee auf den Zucker? Fragen, die die Welt bewegen.

F. P. schrieb:

Es ist wieder passiert. Praktisch jede NMOS-Schaltung, die hier vorgestellt wird, setzt den Widerstand zur Gate-Entladung hinter den Angstwiderstand

Was sinnvoller ist, hängt von mehreren Dingen und der Dimensionierung der beiden Widerstände ab.

• Ist der Angstwiderstand ein Teil eines Spannungsteilers, um die Gatespannung zu verkleinern, die diese Version natürlich die richtige.
• Ist der Angstwiderstand wirklich nur ein Angstwiderstand, dann ist die Reihenfolge eher eine akademische Frage, aber praktisch egal. Der Unterschied ist wesentlich kleiner als alle Toleranzen.

Außerdem ist das kein Angstwiderstand. Er reduziert die Stromstärke beim Aufladen der Gate-Kapazität und verbessert dadurch die Stabilität der Stromversorgung sowohl innerhalb als auch ein bisschen außerhalb des steuernden Mikrochips.

Wir hatten die Diskussion in der Firma auch schon. Für den Entladewiderstand dierekt am Gate wurde entschieden, wenn es sicherheitskritisch war. Falls R2 unterbrochen ist bleibt Q1 dann sicher aus.

F. P. schrieb:

Praktisch jede NMOS-Schaltung, die hier vorgestellt wird, setzt den Widerstand zur Gate-Entladung hinter den Angstwiderstand

Der 10R ist kein Angstwiderstand, sondern ein Schaltflankenverflachungswiderstand und somit ein Störstrahlungsreduzierwiderstand.

Warum macht das keiner so wie in 1.png?

Der 10k ist möglichst nah am Mosfet direkt an G und S gut aufgehoben, denn dann können nicht so viele kalte Lötstellen auftreten. Mit jeder Lötverindung und jedem Bauteil zusätzlich erhöht sich die Wahrscheinlichkeit, dass dieser Widerstand genau das nicht tun kann, wofür er eingebaut wurde: im Notfall den Mosfet abschalten.

Hans W. schrieb:

Schau dir lieber mal das Toleranzfenster von UGSth an, und wie stark sie von der Temperatur abhängt.

Ist in diesem Zusammenhang sinnlos.

Dietrich L. schrieb:

Was sinnvoller ist, hängt von mehreren Dingen und der Dimensionierung der beiden Widerstände ab.

• Ist der Angstwiderstand ein Teil eines Spannungsteilers, um die Gatespannung zu verkleinern, die diese Version natürlich die richtige.

Braucht man relativ oft, weil viele FETs nur 10V U(GS) vertragen.

Lothar M. schrieb:

Der 10k ist möglichst nah am Mosfet direkt an G und S gut aufgehoben, denn dann können nicht so viele kalte Lötstellen auftreten. Mit jeder Lötverindung und jedem Bauteil zusätzlich erhöht sich die Wahrscheinlichkeit, dass dieser Widerstand genau das nicht tun kann, wofür er eingebaut wurde: im Notfall den Mosfet abschalten.

Das ist mal heftig an den Haaren herbeigezogen, ich vertraue meiner Arbeit.

Aber siehe mal den Anhang, die Zuleitungen der FETs enden im Gehäuse auf Pfostensteckern. Mit den 100k direkt drauf war ich sicher, solange ich noch am Gerät gebaut habe.

Lothar M. schrieb:

Der 10R ist kein Angstwiderstand, sondern ein Schaltflankenverflachungswiderstand und somit ein Störstrahlungsreduzierwiderstand.

So niederohmig und steilflankig muss das Ansteuersignal erstmal sein, dass die 10 Ω zusammen mit den 73 pF Ciss das Umladen des Gates nennenswert bremsen ...

Lothar M. schrieb:

Der 10R ist kein Angstwiderstand, sondern ein Schaltflankenverflachungswiderstand und somit ein Störstrahlungsreduzierwiderstand.

Nicht in Verbindung mit dem gezeigten BSS123. Und auch mit einem fetten MOSFET bewirkt der Widerstand nur dann etwas, wenn der MOSFET niederohmig (also über einen Gate-Treiber) angesteuert wird.

Wenn die Steuerung hingegen über einen CMOS-Ausgang erfolgt, hat die Ausgangsstufe bereits zwischen 20 und 50Ω Ausgangsimpedanz. Da bewirken zusätzliche 10Ω nichts mehr.