FET oder MOSFET als Heizung

Lupo123 schrieb:
> Am besten
> ohne großen Schaltungsaufwant,

Ein Hochlast-Keramik-Drahtwiderstand an passendem Netzteil.

Bis 100° C könnte es mit MOSFETs noch gerade so gehen. Bei 150° C  ist 
aber die maximale Leistung der FETs schon sehr beschränkt und die 
Widerstände sind wirklich effektiver. Da geht es dann ggf. auch über 200 
C noch.

>Wieso so kompliziert? Nimm einfach einen Hochlastwiderstand. Gängige
Aber an der Basis/Gate kann man den Strom schön regeln.

Michael_ schrieb:
>>Wieso so kompliziert? Nimm einfach einen Hochlastwiderstand. Gängige
> Aber an der Basis/Gate kann man den Strom schön regeln.

Das kann man mit einem Widerstand aber auch, wenn man ihn mit einem 
Transistor ansteuert.

Michael_ schrieb:
> Aber an der Basis/Gate kann man den Strom schön regeln.

Was natürlich über die Höhe der Spannung am Widerstand nicht geht....

(oder doch?)

Gerd E. schrieb:
> Die halten viel mehr Wärme aus als die
> meisten Transistoren und sind zum heizen viel besser geeignet.

Und sind auch noch wesentlich teurer. Je nachdem was der TS unter 
"klein" versteht, reichen wenige Watt auch schon aus.

So groß ist der Preisunterschied nicht. Für den Preis einen 25 W 
Hochlastwiderstandes kann man auch etwa einen Transistor mit rund 100 W 
als angegebenen Ptot bekommen. Mehr als etwa 25 W würde ich so einem 
Transistor auch nicht zumuten bei 100 C Gehäusetemperatur.

Hi,

ich habe das in meiner Firma mal entwickeln müssen. Mit FETs wurde dann 
auf bis zu 70°C geheizt. Leider geht das für den geforderten 
Temperaturbereich nicht mit Halbleitern, die werden bei 150°C nämlich zu 
Leitern ;)
Was du brauchst sind Hochlastwiderstände. In den Datenblättern sind 
meistens die Leistungskurven angegeben, bei welcher Gehäusetemp. du noch 
wieviel Leistung verbraten darfst. Aber auch hier musst du aufpassen, 
und vorher sicherstellen, dass der Widerstand auch heiß genug werden 
darf. In der Firma hatten wir Widerstände, die konnten auch nur 150°C 
(Kerntemp.) heiß werden.

Grüße

> So groß ist der Preisunterschied nicht. Für den Preis einen 25 W
> Hochlastwiderstandes kann man auch etwa einen Transistor mit rund 100 W
> als angegebenen Ptot bekommen.

Bloss ist der Widerstand komplett,
beim Transistor fehlt noch der Kühlkörper den er für die Wunderleistung 
braucht.

Aber Äpfel und Birnen vergleichen sich halt so schön.

>beim Transistor fehlt noch der Kühlkörper den er für die Wunderleistung
>braucht.
Quatsch, dann wird er ja nicht mehr heiß.

Stimmt, weil er gleich durch brennt :-D :-D

>für ein Experiment möchte ich gern eine kleine planare Fläche auf etwa
>100°C (gern auch 150°C) aufheizen.
Stimmt nicht, weil er damit "nicht" gleich durch brennt :-D :-D

Stimmt diese Zementwidestäde kann man bis zur Rotgluht(ja fast schon 
orange) erhitzen ohne das sie Schaden nehmn. Allerdings könnn sie 
aufplatzen wenn man sie massiv Überlastet, dann fliegt einem de glühende 
Sand engegen und das kan weh tun...
Zum Thema: Mittels FET Heizen ist billiger (So ein Hochlastiderstand im 
ALugehäuse ist ja recht teuer), den man kann irgendeinen alten FET 
(Restpöten denman nachgeschmissen bekommt) nehmen denn man zu Schalten 
nicht mehr nimmt. Regeln ganz einfach mittels TL431 oder ähnlichem.

MFG Frala

jtag schrieb:
> Leider geht das für den geforderten
>
> Temperaturbereich nicht mit Halbleitern, die werden bei 150°C nämlich zu
>
> Leitern ;)

Doch, geht schon, nur bezahlen wird er das nicht wollen...

Siehe dort:
http://www.rohm.com/products/sic/high.html

Zitat:
Research conducted by ROHM, in collaboration with the Kyoto University 
and the University of Arkansas, on SiC's superior electrical 
characteristics at high temperatures, along with high heat resistance 
(Tj=250ºC) intelligent power modules, have led to the development of 
elements that feature stable operation at temperatures up to 250ºC.
Zitatende

Lupo123 schrieb:
> für ein Experiment möchte ich gern eine kleine planare Fläche auf etwa
> 100°C (gern auch 150°C) aufheizen.
> Würde das mit einen FET oder MOSFET gehen?

Die Idee ist bestechend.
Es ist billiger als die Kombination Transistor & Hochlastwiderstand.
Und vor allem nur an dem Bauteil das geheizt werden soll tritt 
Verlustwärme auf.
Ich sehe eigentlich fast keinen Grund warum das nicht gehen sollte.
Man sagt MOSFET-Transistoren im allgemeinen nach, das sie einen negative 
Temperaturkoeffizienten hätten.
Die MOSFET Transistoren z.B. IRF540 im TO220 Gehäuse oder der IRFP150 im 
TO247 Gehäuse scheinen mir also sehr geeignet zu sein.

Mach doch einfach mal ein Experiment und schließe so einen zwischen 
Source und Drain an ein strombegrenztes! Labornetzteil an.
Z.B. auf 30V und 1 Ampere einstellen.
Dann brauchst du noch eine zweite einstellbare Spannungsquelle für das 
Gate.
Hier brauchst du eine Spannung di evon 0 bis ca 3-4-5-6V einstellbar 
ist.
Verbrenn dir nicht die Finger!!!

>strombegrenztes!

Und da liegt der Knackpunkt! Deine Regelung muss berücksichtigen, dass 
der Transistor unter keinen Umständen zu weit aufsteuert.
Wenn deine Versorgung keine Strombegrenzung hat musst du also den Strom 
irgendwie messen.

Am einfachsten find ich so einen Einstelbare Stromsenke mittels TL431 
und Shunt(muss nichts besonderes seint) aufgebaut. Also unbedingt Regeln 
aufgrund der wie schon erwähnten negativen Abhängigkeit der 
Thresholdspannung. Den Tempregler dem einfachen Stromregler überlagern.

Hier ist ein Array aus P- und N-Kanal Fets. Geht bis 210°C:
http://www.elektor.de/elektronik-news/rekord-mikrocontroller-vertragt-210-c.1769690.lynkx