Hallo!
Ich bin auf der Suche nach einem NPN Transistor mit der Verstärkung
10000 bei einer UBE Spannung von 0,6V und IC von 100mA d.h. IB ist 10µA.
Gibt es so etwas, denn ich kann leider keinen finden.
Grüße
Frentzen
Christoph Kessler (db1uq) schrieb:> da stehts ja, das heißt dann Sziklai-Paar (nie gehört):
Komplementar-Darlington ist auch gängiger.
Eine alternative Suche ist "super-beta", aber die findet auch nichts mit
den Eckdaten die der TO vorgibt.
@ Peter (Gast)
>Aber nicht als linearen Verstärkerzu gebrauchen...
Die Frage stellt sich gar nicht. Die Frage an den OP ist.
Schon mal was über Netiquette gelesen?
>>Aber nicht als linearen Verstärkerzu gebrauchen...>Die Frage stellt sich gar nicht. Die Frage an den OP ist.
Hä? Ein Darlington ist nun mal nicht dasselbe wie ein Komperator,
desswegen mein Kommentar, ich wollte einfach dem OP helfen.
>Schon mal was über Netiquette gelesen?
Und überhaupt: Wo liegt bei Dir das Problem mit meiner Antwort? Magst
wohl keine Belehrung...?
> ich wollte einfach dem OP helfen.
Das wollen andere auch. Aber weil keiner weiß, für was er den
Supertransistor braucht, ist ihm so nicht zu helfen. Pech... :-/
Mit einen Darlingtion Transistor auf GE Basis könnte man eventuell an
0,6V als UBE rankommen, und auch eine Verstärkung von 10000 erreichen -
wird aber schon recht eng.
Verstärkung eines Einzeltransistors von 10000 dürfte physikalisch eine
Unmöglichkeit sein.
Der Transistor hat von der Funktion erst einmal den Emitterstrom, der
die Kollektordiode leitend macht.
Innerhalb des Transistors gehen Ladungen verloren, in der üblichen
Verstärkerschaltung werden diese Verluste durch den Basisstrom ersetzt.
Eine Verstärkung von 100 setzt also voraus, dass nur ein Prozent der vom
Emitter in den Transistor hineingebrachten Ladungsträger verloren geht.
Einige Transistoren schaffen eine Verlustfreiheit, dass eine Verstärkung
von 900 entsteht, das aber nur bei einem ganz bestimmten Strom.
In Ausnahmefällen entstehen zusätzliche Ladungsträger durch den
Avalanche-Effekt im Transistor. (Wenn die B-C-Diode kurz vor dem
Durchbruch steht).
Solche Transistoren gab es zur Anfangszeit der Transistortechnik, die
hatten sogar ein Kippverhalten: ab einer bestimmtem Spannung ging die
Verstärkung auf "über Unendlich" und der Transistor wurde von selbst
leitend, in einem Kippvorgang.
Und das ist das Problem: Je weniger Verluste an Ladungsträgern man im
Transistor hat, (und damit größte Verstärkung) desto größer wird die
Gefahr, dass thermisch oder durch Avalancheffekt ausgelöste Elektronen
aus dem linear arbeitenden Transistor ein kippendes Bauelement machen.
Hrhrhr... Warscheinlich bekomm ich jetzt Haue wenn ich das sag. Aber es
gibt schon einen Schaltungstrick mit den man aus einem Transistor
v>10000 rausholen kann. Aber dafür braucht man eine recht hohe Spannung
als Vcc... 100-200V.
Darlingtons haben ihre Daseinsberechtigungen dadurch, daß es wohl mit
einem Einzeltransistor nicht geht. Sie ermöglichen durchaus
Stromverstärkungen um die 10000.
Mit Ube eines Einzeltransistors, kann man auskommen, wenn man einen
Komplementärdarlington baut. Man braucht dazu auch keine
Ge-Transistoren, die eine Menge anderer Nachteile gegenüber Si haben.
Der einzige Nachteil ist die Sättigungsspannung beim Darlington. Man
kann da aber durchaus bis 0,8V herunter kommen.
tof schrieb:> Aber dafür braucht man eine recht hohe Spannung> als Vcc... 100-200V.
Wenn UBE auf 0,6V fix ist sind auch sicher keine 100-200V Vcc drin.Die
Schaltung würde mich aber trotzdem interessieren...
Na, ehe wir uns rumstreiten, wie wir die Stromverstärkung definieren.
Es gibt ja Kleinsignal-, Großsignalverstärkung, h21e ... .
Bei 100mA wird es wohl Großsignal-Stromverstärkung sein, und da ist es
mit Sicherheit nicht zu erreichen.
Eine eigene Frage?
Dieser Thread ist über 16 Jahre alt.
Stell sie in einem eigenen Thread – dort lesen mehr Leute mit, und sie wird öfter und schneller beantwortet.