Verstärkung eines Einzeltransistors von 10000 dürfte physikalisch eine
Unmöglichkeit sein.
Der Transistor hat von der Funktion erst einmal den Emitterstrom, der
die Kollektordiode leitend macht.
Innerhalb des Transistors gehen Ladungen verloren, in der üblichen
Verstärkerschaltung werden diese Verluste durch den Basisstrom ersetzt.
Eine Verstärkung von 100 setzt also voraus, dass nur ein Prozent der vom
Emitter in den Transistor hineingebrachten Ladungsträger verloren geht.
Einige Transistoren schaffen eine Verlustfreiheit, dass eine Verstärkung
von 900 entsteht, das aber nur bei einem ganz bestimmten Strom.
In Ausnahmefällen entstehen zusätzliche Ladungsträger durch den
Avalanche-Effekt im Transistor. (Wenn die B-C-Diode kurz vor dem
Durchbruch steht).
Solche Transistoren gab es zur Anfangszeit der Transistortechnik, die
hatten sogar ein Kippverhalten: ab einer bestimmtem Spannung ging die
Verstärkung auf "über Unendlich" und der Transistor wurde von selbst
leitend, in einem Kippvorgang.
Und das ist das Problem: Je weniger Verluste an Ladungsträgern man im
Transistor hat, (und damit größte Verstärkung) desto größer wird die
Gefahr, dass thermisch oder durch Avalancheffekt ausgelöste Elektronen
aus dem linear arbeitenden Transistor ein kippendes Bauelement machen.