EveryCircuit - MOSFET Eigenschaften?

OP #4610747
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Hallo,

ich habe mir mal ein Simulationsprogramm EveryCircuit angeschaut.

Dieses läuft sofort auf Chrome:
http://everycircuit.com/app/


Jetzt meine Frage: Wenn ich in EveryCircuit ein MOSFET hinzufüge, dann 
gibt es folgende einstellbare Parameter:

Name:   möglicher Wert:

Width       1 µm
Length    200 nm
KP        118 µA/V²
VTO       430 mV
Lambda     60 m1/V

Leider finde ich nirgendswo eine Erklärung. Was bedeuten die alle ?

Wenn ich z.B. IRLZ44N habe, welche Werte muss ich da eingeben. Dass man 
die Werte einfach so aus dem Datasheet abtippen kann sieht das danach 
nicht so aus...?
#4610775
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Quelle: Seite 199, 
http://users.ece.gatech.edu/~rincon/classes/pspicerf.pdf

Sperrbereich
Vgs < Vto
Idrain = 0

Übergangsbereich, gekrümmter Verlauf von Idrain(Vds) für Vgs=konstant
Vds < Vgs-Vto
Idrain = (W/L)·(KP/2)·(1+LAMBDA·Vds)·Vds·(2·(Vgs-Vto)-Vds)

Sättigung, flacher Verlauf von Idrain(Vds) für Vgs=konstant
0 < Vgs-Vto <Vds
Idrain = (W/L)*(KP/2)*(1+LAMBDA·Vds)*(Vgs-Vto)^2

Vor allem die letzte Formel kannst du nehmen um für konstantes Vds und 
variablem Vgs die Kennlinie Idrain(Vgs) anzunähern.

Das V entspricht dem U in der deutschen Literatur.
OP #4611359
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werde leider nicht schlau draus

Ist Vdss dasselbe wie Vds ?
Ist Vgs(th) dasselbe wie Vgs ?
W und L stehen für Width und Lenght ?
Wo bekomm ich Werte wie LAMBDA und KP her?

Ich dachte EveryCircuit ist für Anfänger konzipiert?
Also genau so idiotisch wie Platzprobleme in diesem Programm ?

In www.falstad.com/circuit muss ich nur Threshold Voltage eingeben, das 
wäre glaube ich aus dem Datenblatt Vgs(th)
Gast #4611466
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Helmut v. schrieb:
> Jetzt meine Frage: Wenn ich in EveryCircuit ein MOSFET hinzufüge, dann
> gibt es folgende einstellbare Parameter:
>
> Name:   möglicher Wert:
>
> Width       1 µm
> Length    200 nm
> KP        118 µA/V²
> VTO       430 mV
> Lambda     60 m1/V
>
> Leider finde ich nirgendswo eine Erklärung. Was bedeuten die alle ?
>
> Wenn ich z.B. IRLZ44N habe, welche Werte muss ich da eingeben. Dass man
> die Werte einfach so aus dem Datasheet abtippen kann sieht das danach
> nicht so aus...?

Width und length ist die tatsächliche Länge/Breite des Transistors.
Kp ist ein Prozesssfaktor, der z.B von der Oxiddicke des Gates abhängt.
VTO ist die Threshold voltage (vth oder Vgs(vth)->Gate source genau auf 
Threshold, alles das gleiche im Prinzip)
Lambda ist auch ein Prozessfaktor der dir die Stärke der 
Kanallängenmodulation bestimmt.

Das Modell zur Berechnung (jemand anderes hat oben schon die Formeln 
gepostet) sind die  "Shichman Hodges Equations"

Das Problem ist dass das sehr einfache Formeln sind, die 
überschlagsmäßig stimmen, aber nicht im Detail. Dadurch kannst du die 
Werte so wie Helmut zwar gemacht hat irgendwie rausrechnen, hast dann 
aber auch nur irgendein Modell, das niemals das Verhalten deines 
Transistors widerspiegelt.
Schon mal deshalb weil die Parameter alle sehr stark schwanken (schau 
dir nur mal die Threshold Voltage bei dem dir genannten Transistor an!)


Um einen Transistor im Detail zu simulieren brauchst du sehr viel mehr 
Parameter und aufwändigere Modelle, und viele Daten/Prozessparameter an 
die du normalerweise niemals so rankommen wirst.
Wenn du zB mit LtSpice einen speziellen Transistor simulierst, musst du 
davon ausgehen dass die Parameter stimmen, richtig ändern bzw von einem 
gekauften Transistor/Datenblatt ein --funktionierendes-- Modell zu 
erstellen ist meiner Meinung nach als "Laie" unmöglich.

Helmut v. schrieb:
> Gibt es kein Programm welches LTSpice interaktiver macht ?

Multisim von National Instruments ist das was du suchst. Ist nur nicht 
gratis. Evtl gibts eine Testversion, keine Ahnung.
OP #4612588
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ok, danke für den Tipp mit Multisim. Kann man denn in diesem Programm so 
wie in EveryCircuit an jeder Leitung automatisch Ampere und Volt 
anzeigen lassen? Zwar kann man in Multisim einen Multimeter oder 
Amperemeter anschließen, aber da wären dann wieder mehr Mausklicks 
erforderlich.

Was eigentlich auch so akzeptabel wäre.

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