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#3385984
hallo, ich möchte eine halbbrücke aus irfp460 mit einem ir2153 ansteuern. wie kann ich den widerstand zwischen Ho und gate des mosfets berechnen?
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#3385995
R = U / I_max
Gast
#3386020
woher bekomme ich die info über I, kann im datenblatt nix finden.
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#3386025
Der Widerstand ist ja zum Begrenzen der Flankensteilheit. Je kleiner der Wid. desto steiler die Flanken, desto geringer die Umschaltverluste, desto höher jedoch die EMV-Emmissionen.
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#3386032
was sind emv emmissionen?
Gast
#3386039
emv = Elektromagnetische Anteile die streuen können in andere elektronische Systeme aber die Suche hilft auch
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#3386065
chris schrieb: > emv = Elektromagnetische Anteile Wo entdeckst du in "Elektromagnetische Anteile" ein "v". Bisher steht EMV immer noch für "Elektromagnetische Verträglichkeit" http://de.wikipedia.org/wiki/Elektromagnetische_Vertr%C3%A4glichkeit
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#3386068
ALSO BRÄUCHTE ICH VON DER SACHE HER GARKEINEN WIDERSTAND?
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#3386073
anton schrieb: > ALSO BRÄUCHTE ICH VON DER SACHE HER GARKEINEN WIDERSTAND? nein
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#3386077
@ Wolfgang is von mir plump ausgedrückt gewesen euer Adel ich muss mich wohl entschludigen...
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#3386091
Thomas schrieb: > anton schrieb: >> ALSO BRÄUCHTE ICH VON DER SACHE HER GARKEINEN WIDERSTAND? > > nein So ein Blödsinn. Der Widerstand hat neben der Begrenzung der Flankensteilheit natürlich denn Sinn einer Begrenzung des Stromes. Beim Umladen, Laden oder Entladen der Gatekapazität fließt natürlich auch ein Strom. Je nach Gatekapazität (ergo Mosfet) kann der durchaus einige Ampere Betragen. Wenn auch nur sehr kurz, kann dieser Strom natürlich zu einer unerlaubten Belastung des "Treibers" (z.B. Mikrocontroller-Pin) führen. Das ganze am Kondensator ist hier beschrieben http://elektroniktutor.de/analogtechnik/c_gleich.html oder hier http://www.elektronik-kompendium.de/sites/grd/0205301.htm Das Gate eines Mosfets ist im übrigen natürlich eine Art Kondensator.
Lass den Widerstand am Gate einfach weg. Den braucht man nur in speziellen Fällen. @Carsten: Alle Treiberausgänge und die meisten Mikrocontroller-Pins sind kurzzeitig kurzschlussfest. Man braucht sie daher auch nicht.
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#3386105
danke. andere frage: was bringt es mir wenn ich eine diode parallel zu drain und source vom mosfet schalte?
Gast
#3386107
anton schrieb: > danke. andere frage: was bringt es mir wenn ich eine diode > parallel zu > drain und source vom mosfet schalte? Damit überbrückst du die interne Bodydiode
anton schrieb: > was bringt es mir wenn ich eine diode parallel zu > drain und source vom mosfet schalte? Das kommt auf die Last an. Jeder MOSFET hat schon eine Diode zwischen Drain und Source. Daher ist eine extra Diode selten nötig.
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#3386111
aber wenn ich parallel zu d und s vom irfp460 eine 1n407 schalte ist das nicht unbedingt schlecht, oder?
Kannst du bitte die Groß- und Kleinschreibung beachten, die Texte werden dadurch besser lesbar. anton schrieb: > 1n407 Meinst du vielleicht eine 1N4007?
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#3386119
Carsten schrieb: > Thomas schrieb: >> anton schrieb: >>> ALSO BRÄUCHTE ICH VON DER SACHE HER GARKEINEN WIDERSTAND? >> >> nein > > So ein Blödsinn. Der Widerstand hat neben der Begrenzung der > Flankensteilheit natürlich denn Sinn einer Begrenzung des Stromes. Beim > Umladen, Laden oder Entladen der Gatekapazität fließt natürlich auch ein > Strom. Je nach Gatekapazität (ergo Mosfet) kann der durchaus einige > Ampere Betragen. Wenn auch nur sehr kurz, kann dieser Strom natürlich zu > einer unerlaubten Belastung des "Treibers" (z.B. Mikrocontroller-Pin) > führen. Das ganze am Kondensator ist hier beschrieben > http://elektroniktutor.de/analogtechnik/c_gleich.html oder hier > http://www.elektronik-kompendium.de/sites/grd/0205301.htm > Das Gate eines Mosfets ist im übrigen natürlich eine Art Kondensator. Low Logic MOSFETs, die direkt an uC geschaltet sind, haben m.W.n. sehr kleine Eingangskapazitäten. Darüber hinaus haben die MOSFETs auch einen internen Eingangswiderstand. Ob der Strom dennoch zu groß ist, dass er den uC zerstört, wage ich zu bezweifeln - jedenfalls habe ich noch nie davon gehört bzw. es erlebt. Und MOSFETs, bei denen die Gatekapazität groß ist, sind eher Power MOSFETs (wegen der großen Chipfläche und den damit resultierenden kleinen Bahnwiderstand). Diese werden aber eh nicht mit einem uC direkt geschaltet, sondern mit speziellen Treibern. Und diese sind dann in der Lage, gewisse Stromspitzen zu liefern (IXDN609 z.B. 9A). Ich lasse mich jedoch gerne eines besseren Belehren.
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#3386120
Ok, sorry. Ich meinte eine 1n4007.
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#3386132
anton schrieb: > Ok, sorry. Ich meinte eine 1n4007. wissen tu ichs nicht, aber wenn ich auch nur eine minute überlege dann… eine parallelgeschaltete diode soll die mosfet-interne entlasten, also sollte sie erstens schnell sein und zweitens einen kleineren vdrop so das sie früher leitend wird. eine 1n4007 ist eine ordinäre gleichrichterdiode, silizium also 0.6vdrop, und lahmarschig wie sau, ausreichend für 50hz, aber nicht viel mehr - richtig bis hier her?
Das bringt nichts die parallel zu schalten, sie ist langsam und die eingebaute Diode in deinem Mosfet schafft 20A. Die 1N4007 hält nicht soviel aus. Ein weiterer Grund für Groß-/Kleinschreibung ist die Verlinkung: 1N4007 <-> 1n4007 c.m. schrieb: > eine parallelgeschaltete diode soll die mosfet-interne entlasten, also > sollte sie erstens schnell sein und zweitens einen kleineren vdrop so > das sie früher leitend wird. Korrekt und daher bringt sie hier nichts.
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#3386143
Sry, wusste ich nich
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#3386244
Thomas schrieb: > Low Logic MOSFETs, die direkt an uC geschaltet sind, haben m.W.n. sehr > kleine Eingangskapazitäten. Das kommt drauf an, wo du "sehr klein" ansetzt. 10nF kommen schnell mal zusammen (z.B. IRLZ34).
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#3386260
Eine Diode parallel macht man, weil die interne Diode ein sehr schlechtes Recovery-Verhalten hat. Das führt zu hochen Brückenströmen. Deshalb eine Schottky parallel. Geht aber nur bei Spannungen bis ca. 100V, dann wird die Flussspannung der Schottky zu hoch.
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#3386316
Alexander Schmidt schrieb: > Lass den Widerstand am Gate einfach weg. Den braucht man nur in > speziellen Fällen. > > @Carsten: Alle Treiberausgänge und die meisten Mikrocontroller-Pins sind > kurzzeitig kurzschlussfest. Man braucht sie daher auch nicht. Wunderbar dein fundiertes Wissen. Wo hast du das her? Arduino? So einen Mist habe ich mein Leben lang noch nicht gelesen. Muss jeder machen wie er/sie meint. Gehen tut vieles ... anton schrieb: > danke. andere frage: was bringt es mir wenn ich eine diode parallel zu > drain und source vom mosfet schalte? Schutz der Bodydiode. Diese Diode ist nicht sonderlich performant und wird daher in Leistungsanwendungen häufig mit einer parallelgeschalteten unterstüzt. Bei Hobbyanwendungen sieht man es selten, im automotive-Bereich hingegen eigentlich immer. Alexander Schmidt schrieb: > c.m. schrieb: >> eine parallelgeschaltete diode soll die mosfet-interne entlasten, also >> sollte sie erstens schnell sein und zweitens einen kleineren vdrop so >> das sie früher leitend wird. > Korrekt und daher bringt sie hier nichts. Eine 1N4007 bringt sicher nichts. Eine angebrachte schnelle Schottkeydiode hingegen ist absolut angebracht. Zumindest der Footprint gehört hin. Ob sie nun bestückt wird oder nicht ist egal. Allerspätestens wenn du EMV machst oder gegen ISO16750 testest, wirst du mehr als dankbar sein, dass da ein Footprint da ist. Kosten tut er nunmal auch nicht wirklich was.
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#3386338
ich hab es jetzt ohne widerstand getestet. scheint zu funktionieren, mosfets werden aber schnell sehr warm (bei 12V und 1,2uF kondensatoren in der halbbrücke)
Carsten schrieb: >> @Carsten: Alle Treiberausgänge und die meisten Mikrocontroller-Pins sind >> kurzzeitig kurzschlussfest. Man braucht sie daher auch nicht. > Wunderbar dein fundiertes Wissen. Wo hast du das her? Arduino? Jahrelange Erfahrung mit Mikrocontrollern. Dass (MOSFET-)Treiber einen Kondensator aufladen können, der im ersten Moment einen Kurzschluss darstellt, muss ich hoffentlich nicht weiter ausführen. Und alle Mikrocontroller die ich kenne, vertragen einen Kondensator am Ausgang (z.B. für Ladungspumpen) problemlos. > So einen Mist habe ich mein Leben lang noch nicht gelesen. Muss > jeder machen wie er/sie meint. Gehen tut vieles ... Es scheint hier eine Hobbyandwendung zu sein, da geht vieles, was man in einer professionellen Entwicklung lieber lässt. > Eine 1N4007 bringt sicher nichts. Eine angebrachte schnelle > Schottkeydiode hingegen ist absolut angebracht. Bei einem 500V-MOSFET? anton schrieb: > mosfets werden aber schnell sehr warm (bei 12V und 1,2uF kondensatoren > in der halbbrücke) Wenn du mal die Rechtschreibregeln beachten würdest und erzählst, was für eine Last an der Halbbrücke hängt, dann sage ich dir gerne, ob das in Ordnung ist, oder ob ein Problem vorliegt.