vorwiderstand für mosfet berechnen.

R = U / I_max

woher bekomme ich die info über I, kann im datenblatt nix finden.

Der Widerstand ist ja zum Begrenzen der Flankensteilheit. Je kleiner der 
Wid. desto steiler die Flanken, desto geringer die Umschaltverluste, 
desto höher jedoch die EMV-Emmissionen.

was sind emv emmissionen?

emv = Elektromagnetische Anteile die streuen können in andere 
elektronische Systeme aber die Suche hilft auch

chris schrieb:
> emv = Elektromagnetische Anteile

Wo entdeckst du in "Elektromagnetische Anteile" ein "v".
Bisher steht EMV immer noch für "Elektromagnetische Verträglichkeit"
http://de.wikipedia.org/wiki/Elektromagnetische_Vertr%C3%A4glichkeit

ALSO BRÄUCHTE ICH VON DER SACHE HER GARKEINEN WIDERSTAND?

anton schrieb:
> ALSO BRÄUCHTE ICH VON DER SACHE HER GARKEINEN WIDERSTAND?

nein

@ Wolfgang

is von mir plump ausgedrückt gewesen euer Adel ich muss mich wohl 
entschludigen...

Thomas schrieb:
> anton schrieb:
>> ALSO BRÄUCHTE ICH VON DER SACHE HER GARKEINEN WIDERSTAND?
>
> nein

So ein Blödsinn. Der Widerstand hat neben der Begrenzung der 
Flankensteilheit natürlich denn Sinn einer Begrenzung des Stromes. Beim 
Umladen, Laden oder Entladen der Gatekapazität fließt natürlich auch ein 
Strom. Je nach Gatekapazität (ergo Mosfet) kann der durchaus einige 
Ampere Betragen. Wenn auch nur sehr kurz, kann dieser Strom natürlich zu 
einer unerlaubten Belastung des "Treibers" (z.B. Mikrocontroller-Pin) 
führen. Das ganze am Kondensator ist hier beschrieben 
http://elektroniktutor.de/analogtechnik/c_gleich.html oder hier 
http://www.elektronik-kompendium.de/sites/grd/0205301.htm
Das Gate eines Mosfets ist im übrigen natürlich eine Art Kondensator.

danke. andere frage: was bringt es mir wenn ich eine diode parallel zu 
drain und source vom mosfet schalte?

anton schrieb:
> danke. andere frage: was bringt es mir wenn ich eine diode
> parallel zu
> drain und source vom mosfet schalte?

Damit überbrückst du die interne Bodydiode

aber wenn ich parallel zu d und s vom irfp460 eine 1n407 schalte ist das 
nicht unbedingt schlecht, oder?

Carsten schrieb:
> Thomas schrieb:
>> anton schrieb:
>>> ALSO BRÄUCHTE ICH VON DER SACHE HER GARKEINEN WIDERSTAND?
>>
>> nein
>
> So ein Blödsinn. Der Widerstand hat neben der Begrenzung der
> Flankensteilheit natürlich denn Sinn einer Begrenzung des Stromes. Beim
> Umladen, Laden oder Entladen der Gatekapazität fließt natürlich auch ein
> Strom. Je nach Gatekapazität (ergo Mosfet) kann der durchaus einige
> Ampere Betragen. Wenn auch nur sehr kurz, kann dieser Strom natürlich zu
> einer unerlaubten Belastung des "Treibers" (z.B. Mikrocontroller-Pin)
> führen. Das ganze am Kondensator ist hier beschrieben
> http://elektroniktutor.de/analogtechnik/c_gleich.html oder hier
> http://www.elektronik-kompendium.de/sites/grd/0205301.htm
> Das Gate eines Mosfets ist im übrigen natürlich eine Art Kondensator.

Low Logic MOSFETs, die direkt an uC geschaltet sind, haben m.W.n. sehr 
kleine Eingangskapazitäten. Darüber hinaus haben die MOSFETs auch einen 
internen Eingangswiderstand. Ob der Strom dennoch zu groß ist, dass er 
den uC zerstört, wage ich zu bezweifeln - jedenfalls habe ich noch nie 
davon gehört bzw. es erlebt.

Und MOSFETs, bei denen die Gatekapazität groß ist, sind eher Power 
MOSFETs (wegen der großen Chipfläche und den damit resultierenden 
kleinen Bahnwiderstand). Diese werden aber eh nicht mit einem uC direkt 
geschaltet, sondern mit speziellen Treibern. Und diese sind dann in der 
Lage, gewisse Stromspitzen zu liefern (IXDN609 z.B. 9A).

Ich lasse mich jedoch gerne eines besseren Belehren.

Ok, sorry. Ich meinte eine 1n4007.

anton schrieb:
> Ok, sorry. Ich meinte eine 1n4007.

wissen tu ichs nicht, aber wenn ich auch nur eine minute überlege dann…
eine parallelgeschaltete diode soll die mosfet-interne entlasten, also 
sollte sie erstens schnell sein und zweitens einen kleineren vdrop so 
das sie früher leitend wird.
eine 1n4007 ist eine ordinäre gleichrichterdiode, silizium also 
0.6vdrop, und lahmarschig wie sau, ausreichend für 50hz, aber nicht viel 
mehr - richtig bis hier her?

Sry, wusste ich nich

Thomas schrieb:
> Low Logic MOSFETs, die direkt an uC geschaltet sind, haben m.W.n. sehr
> kleine Eingangskapazitäten.

Das kommt drauf an, wo du "sehr klein" ansetzt. 10nF kommen schnell mal 
zusammen (z.B. IRLZ34).

Eine Diode parallel macht man, weil die interne Diode ein sehr 
schlechtes Recovery-Verhalten hat. Das führt zu hochen Brückenströmen.
Deshalb eine Schottky parallel.
Geht aber nur bei Spannungen bis ca. 100V, dann wird die Flussspannung 
der Schottky zu hoch.

Alexander Schmidt schrieb:
> Lass den Widerstand am Gate einfach weg. Den braucht man nur in
> speziellen Fällen.
>
> @Carsten: Alle Treiberausgänge und die meisten Mikrocontroller-Pins sind
> kurzzeitig kurzschlussfest. Man braucht sie daher auch nicht.

Wunderbar dein fundiertes Wissen. Wo hast du das her? Arduino? So einen 
Mist habe ich mein Leben lang noch nicht gelesen. Muss jeder machen wie 
er/sie meint. Gehen tut vieles ...

anton schrieb:
> danke. andere frage: was bringt es mir wenn ich eine diode parallel zu
> drain und source vom mosfet schalte?

Schutz der Bodydiode. Diese Diode ist nicht sonderlich performant und 
wird daher in Leistungsanwendungen häufig mit einer parallelgeschalteten 
unterstüzt. Bei Hobbyanwendungen sieht man es selten, im 
automotive-Bereich hingegen eigentlich immer.

Alexander Schmidt schrieb:
> c.m. schrieb:
>> eine parallelgeschaltete diode soll die mosfet-interne entlasten, also
>> sollte sie erstens schnell sein und zweitens einen kleineren vdrop so
>> das sie früher leitend wird.
> Korrekt und daher bringt sie hier nichts.

Eine 1N4007 bringt sicher nichts. Eine angebrachte schnelle 
Schottkeydiode hingegen ist absolut angebracht. Zumindest der Footprint 
gehört hin. Ob sie nun bestückt wird oder nicht ist egal. 
Allerspätestens wenn du EMV machst oder gegen ISO16750 testest, wirst du 
mehr als dankbar sein, dass da ein Footprint da ist. Kosten tut er 
nunmal auch nicht wirklich was.

ich hab es jetzt ohne widerstand getestet. scheint zu funktionieren, 
mosfets werden aber schnell sehr warm (bei 12V und 1,2uF kondensatoren 
in der halbbrücke)