Forum: Mikrocontroller und Digitale Elektronik vorwiderstand für mosfet berechnen.


von anton (Gast)


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hallo, ich möchte eine halbbrücke aus irfp460 mit einem ir2153 
ansteuern. wie kann ich den widerstand zwischen Ho und gate des mosfets 
berechnen?

von Wolfgang (Gast)


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R = U / I_max

von anton (Gast)


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woher bekomme ich die info über I, kann im datenblatt nix finden.

von blub (Gast)


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Der Widerstand ist ja zum Begrenzen der Flankensteilheit. Je kleiner der 
Wid. desto steiler die Flanken, desto geringer die Umschaltverluste, 
desto höher jedoch die EMV-Emmissionen.

von anton (Gast)


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was sind emv emmissionen?

von chris (Gast)


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emv = Elektromagnetische Anteile die streuen können in andere 
elektronische Systeme aber die Suche hilft auch

von Wolfgang (Gast)


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chris schrieb:
> emv = Elektromagnetische Anteile

Wo entdeckst du in "Elektromagnetische Anteile" ein "v".
Bisher steht EMV immer noch für "Elektromagnetische Verträglichkeit"
http://de.wikipedia.org/wiki/Elektromagnetische_Vertr%C3%A4glichkeit

von anton (Gast)


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ALSO BRÄUCHTE ICH VON DER SACHE HER GARKEINEN WIDERSTAND?

von Thomas (Gast)


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anton schrieb:
> ALSO BRÄUCHTE ICH VON DER SACHE HER GARKEINEN WIDERSTAND?

nein

von chris (Gast)


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@ Wolfgang

is von mir plump ausgedrückt gewesen euer Adel ich muss mich wohl 
entschludigen...

von Carsten (Gast)


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Thomas schrieb:
> anton schrieb:
>> ALSO BRÄUCHTE ICH VON DER SACHE HER GARKEINEN WIDERSTAND?
>
> nein

So ein Blödsinn. Der Widerstand hat neben der Begrenzung der 
Flankensteilheit natürlich denn Sinn einer Begrenzung des Stromes. Beim 
Umladen, Laden oder Entladen der Gatekapazität fließt natürlich auch ein 
Strom. Je nach Gatekapazität (ergo Mosfet) kann der durchaus einige 
Ampere Betragen. Wenn auch nur sehr kurz, kann dieser Strom natürlich zu 
einer unerlaubten Belastung des "Treibers" (z.B. Mikrocontroller-Pin) 
führen. Das ganze am Kondensator ist hier beschrieben 
http://elektroniktutor.de/analogtechnik/c_gleich.html oder hier 
http://www.elektronik-kompendium.de/sites/grd/0205301.htm
Das Gate eines Mosfets ist im übrigen natürlich eine Art Kondensator.

von Alexander S. (esko) Benutzerseite


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Lass den Widerstand am Gate einfach weg. Den braucht man nur in 
speziellen Fällen.

@Carsten: Alle Treiberausgänge und die meisten Mikrocontroller-Pins sind 
kurzzeitig kurzschlussfest. Man braucht sie daher auch nicht.

von anton (Gast)


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danke. andere frage: was bringt es mir wenn ich eine diode parallel zu 
drain und source vom mosfet schalte?

von Thomas (Gast)


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anton schrieb:
> danke. andere frage: was bringt es mir wenn ich eine diode
> parallel zu
> drain und source vom mosfet schalte?

Damit überbrückst du die interne Bodydiode

von Alexander S. (esko) Benutzerseite


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anton schrieb:
> was bringt es mir wenn ich eine diode parallel zu
> drain und source vom mosfet schalte?

Das kommt auf die Last an. Jeder MOSFET hat schon eine Diode zwischen 
Drain und Source. Daher ist eine extra Diode selten nötig.

von anton (Gast)


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aber wenn ich parallel zu d und s vom irfp460 eine 1n407 schalte ist das 
nicht unbedingt schlecht, oder?

von Alexander S. (esko) Benutzerseite


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Kannst du bitte die Groß- und Kleinschreibung beachten, die Texte werden 
dadurch besser lesbar.

anton schrieb:
> 1n407
Meinst du vielleicht eine 1N4007?

von Thomas (Gast)


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Carsten schrieb:
> Thomas schrieb:
>> anton schrieb:
>>> ALSO BRÄUCHTE ICH VON DER SACHE HER GARKEINEN WIDERSTAND?
>>
>> nein
>
> So ein Blödsinn. Der Widerstand hat neben der Begrenzung der
> Flankensteilheit natürlich denn Sinn einer Begrenzung des Stromes. Beim
> Umladen, Laden oder Entladen der Gatekapazität fließt natürlich auch ein
> Strom. Je nach Gatekapazität (ergo Mosfet) kann der durchaus einige
> Ampere Betragen. Wenn auch nur sehr kurz, kann dieser Strom natürlich zu
> einer unerlaubten Belastung des "Treibers" (z.B. Mikrocontroller-Pin)
> führen. Das ganze am Kondensator ist hier beschrieben
> http://elektroniktutor.de/analogtechnik/c_gleich.html oder hier
> http://www.elektronik-kompendium.de/sites/grd/0205301.htm
> Das Gate eines Mosfets ist im übrigen natürlich eine Art Kondensator.

Low Logic MOSFETs, die direkt an uC geschaltet sind, haben m.W.n. sehr 
kleine Eingangskapazitäten. Darüber hinaus haben die MOSFETs auch einen 
internen Eingangswiderstand. Ob der Strom dennoch zu groß ist, dass er 
den uC zerstört, wage ich zu bezweifeln - jedenfalls habe ich noch nie 
davon gehört bzw. es erlebt.

Und MOSFETs, bei denen die Gatekapazität groß ist, sind eher Power 
MOSFETs (wegen der großen Chipfläche und den damit resultierenden 
kleinen Bahnwiderstand). Diese werden aber eh nicht mit einem uC direkt 
geschaltet, sondern mit speziellen Treibern. Und diese sind dann in der 
Lage, gewisse Stromspitzen zu liefern (IXDN609 z.B. 9A).

Ich lasse mich jedoch gerne eines besseren Belehren.

von anton (Gast)


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Ok, sorry. Ich meinte eine 1n4007.

von c.m. (Gast)


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anton schrieb:
> Ok, sorry. Ich meinte eine 1n4007.

wissen tu ichs nicht, aber wenn ich auch nur eine minute überlege dann…
eine parallelgeschaltete diode soll die mosfet-interne entlasten, also 
sollte sie erstens schnell sein und zweitens einen kleineren vdrop so 
das sie früher leitend wird.
eine 1n4007 ist eine ordinäre gleichrichterdiode, silizium also 
0.6vdrop, und lahmarschig wie sau, ausreichend für 50hz, aber nicht viel 
mehr - richtig bis hier her?

von Alexander S. (esko) Benutzerseite


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Das bringt nichts die parallel zu schalten, sie ist langsam und die 
eingebaute Diode in deinem Mosfet schafft 20A. Die 1N4007 hält nicht 
soviel aus.

Ein weiterer Grund für Groß-/Kleinschreibung ist die Verlinkung:
1N4007 <-> 1n4007

c.m. schrieb:
> eine parallelgeschaltete diode soll die mosfet-interne entlasten, also
> sollte sie erstens schnell sein und zweitens einen kleineren vdrop so
> das sie früher leitend wird.
Korrekt und daher bringt sie hier nichts.

: Bearbeitet durch User
von anton (Gast)


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Sry, wusste ich nich

von Wolfgang (Gast)


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Thomas schrieb:
> Low Logic MOSFETs, die direkt an uC geschaltet sind, haben m.W.n. sehr
> kleine Eingangskapazitäten.

Das kommt drauf an, wo du "sehr klein" ansetzt. 10nF kommen schnell mal 
zusammen (z.B. IRLZ34).

von papa_x (Gast)


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Eine Diode parallel macht man, weil die interne Diode ein sehr 
schlechtes Recovery-Verhalten hat. Das führt zu hochen Brückenströmen.
Deshalb eine Schottky parallel.
Geht aber nur bei Spannungen bis ca. 100V, dann wird die Flussspannung 
der Schottky zu hoch.

von Carsten (Gast)


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Alexander Schmidt schrieb:
> Lass den Widerstand am Gate einfach weg. Den braucht man nur in
> speziellen Fällen.
>
> @Carsten: Alle Treiberausgänge und die meisten Mikrocontroller-Pins sind
> kurzzeitig kurzschlussfest. Man braucht sie daher auch nicht.

Wunderbar dein fundiertes Wissen. Wo hast du das her? Arduino? So einen 
Mist habe ich mein Leben lang noch nicht gelesen. Muss jeder machen wie 
er/sie meint. Gehen tut vieles ...

anton schrieb:
> danke. andere frage: was bringt es mir wenn ich eine diode parallel zu
> drain und source vom mosfet schalte?

Schutz der Bodydiode. Diese Diode ist nicht sonderlich performant und 
wird daher in Leistungsanwendungen häufig mit einer parallelgeschalteten 
unterstüzt. Bei Hobbyanwendungen sieht man es selten, im 
automotive-Bereich hingegen eigentlich immer.

Alexander Schmidt schrieb:
> c.m. schrieb:
>> eine parallelgeschaltete diode soll die mosfet-interne entlasten, also
>> sollte sie erstens schnell sein und zweitens einen kleineren vdrop so
>> das sie früher leitend wird.
> Korrekt und daher bringt sie hier nichts.

Eine 1N4007 bringt sicher nichts. Eine angebrachte schnelle 
Schottkeydiode hingegen ist absolut angebracht. Zumindest der Footprint 
gehört hin. Ob sie nun bestückt wird oder nicht ist egal. 
Allerspätestens wenn du EMV machst oder gegen ISO16750 testest, wirst du 
mehr als dankbar sein, dass da ein Footprint da ist. Kosten tut er 
nunmal auch nicht wirklich was.

von anton (Gast)


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ich hab es jetzt ohne widerstand getestet. scheint zu funktionieren, 
mosfets werden aber schnell sehr warm (bei 12V und 1,2uF kondensatoren 
in der halbbrücke)

von Alexander S. (esko) Benutzerseite


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Carsten schrieb:
>> @Carsten: Alle Treiberausgänge und die meisten Mikrocontroller-Pins sind
>> kurzzeitig kurzschlussfest. Man braucht sie daher auch nicht.
> Wunderbar dein fundiertes Wissen. Wo hast du das her? Arduino?
Jahrelange Erfahrung mit Mikrocontrollern.

Dass (MOSFET-)Treiber einen Kondensator aufladen können, der im ersten 
Moment einen Kurzschluss darstellt, muss ich hoffentlich nicht weiter 
ausführen.
Und alle Mikrocontroller die ich kenne, vertragen einen Kondensator am 
Ausgang (z.B. für Ladungspumpen) problemlos.

> So einen Mist habe ich mein Leben lang noch nicht gelesen. Muss
> jeder machen wie er/sie meint. Gehen tut vieles ...
Es scheint hier eine Hobbyandwendung zu sein, da geht vieles, was man in 
einer professionellen Entwicklung lieber lässt.

> Eine 1N4007 bringt sicher nichts. Eine angebrachte schnelle
> Schottkeydiode hingegen ist absolut angebracht.
Bei einem 500V-MOSFET?


anton schrieb:
> mosfets werden aber schnell sehr warm (bei 12V und 1,2uF kondensatoren
> in der halbbrücke)
Wenn du mal die Rechtschreibregeln beachten würdest und erzählst, was 
für eine Last an der Halbbrücke hängt, dann sage ich dir gerne, ob das 
in Ordnung ist, oder ob ein Problem vorliegt.

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